【課題】リーク電流が低減された、耐圧性が高い窒化物系化合物半導体素子の製造方法および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の欠陥を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置システムを提供する。
【解決手段】金属膜としてのTiN膜及び絶縁膜としてのZrO₂膜が形成されたウエハを処理室へ搬入し、この処理室にZrO₂膜を改質する改質ガスとしてO₂を供給し、このウエハに電磁波を照射することにより、ZrO₂膜を構成する双極子を励起してZrO₂膜を改質し、ウエハを処理室から搬出する。 （もっと読む）

【課題】膜厚方向に亘って緻密な薄膜を得ること。また、良好なデバイス構造を得ること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させることにより、Ｓｉ含有ガスとＯ3ガスとを用いてウエハＷに反応生成物を形成する成膜ステップと、プラズマにより前記反応生成物を改質する改質ステップと、からなる成膜−改質処理を複数回行うと共に、薄膜の形成途中にてプラズマの強度を変更する。具体的には、反応生成物の積層膜厚が薄い時（成膜−改質処理を開始した初期）にはプラズマの強度を小さくすると共に、反応生成物の積層膜厚が増加する程（成膜ステップの回数が増える程）、ウエハＷに供給するプラズマの強度を段階的に大きくする。あるいは、反応生成物の膜厚が薄い時にプラズマの強度を強くして、その後弱くする。 （もっと読む）

【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＳｉ含有ガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＳｉ含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜−改質ステップを行った後、Ｓｉ含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】多孔質ゲート絶縁層を設けることにより基板に発生する熱応力を低減し、基板の割れを防止することが可能な半導体デバイスおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極およびゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極並びに電極間を接続する半導体層を有し、ゲート絶縁層を挟んでゲート電極と反対側にソース電極、ドレイン電極とが配置された半導体素子において、多孔質ゲート絶縁層を設けることにより基板に発生する熱応力を低減し、基板の割れを防止する。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウム（Ｇｅ）半導体を自己組織的に実現するＧｅ半導体製造方法。
【解決手段】 シリコン（Ｓｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）からなるＳｉＧｅ薄膜を融液成長により固化させ、結晶化されたＳｉＧｅ薄膜中に自己組織的に出現したＧｅ偏析に起因するＧｅ高濃度構造を形成する。さらに酸化濃縮技術を利用してＧｅ濃度を高めることを特徴としたＧｅ半導体製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体の表面処理方法、ＩＩＩ族窒化物半導体及びその製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体構造物に関する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体の表面処理方法が開示される。本ＩＩＩ族窒化物半導体の表面処理方法は、ＩＩＩ族元素極性を有する第１表面と、第１表面と反対に位置し、窒素極性を有する第２表面とを有するＩＩＩ族窒化物半導体を備える段階と、窒素極性を有する第２表面がＩＩＩ族元素極性に変換されるように第２表面にレーザーを照射する段階とを含む。 （もっと読む）

１つまたは複数の処理領域を画定する処理チャンバ内で、１バッチの基板を処理するステップを含む、基板処理チャンバを洗浄する方法。１バッチの基板を処理するステップは、バッチからの１基板を処理チャンバ内で処理するステップと、基板を処理チャンバから取り除くステップと、オゾンを処理チャンバ内に導入するステップと、チャンバを紫外光に１分未満の間暴露するステップとを含む様々なサブステップを有するサブルーチン内で実行されうる。基板をバッチ処理するサブステップは、バッチ内の最後の基板が処理されるまで繰り返されてよい。バッチ内の最後の基板を処理した後に、方法は、最後の基板を処理チャンバから取り除くステップと、オゾンを処理チャンバ内に導入するステップと、処理チャンバを紫外光に３分間から１５分間暴露するステップとを含む。
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【課題】ガラス基板上の膜を効率よく加熱することができる加熱装置を提供する。
【解決手段】高温ガスを絞ってビーム状にして基板に垂直に入射させると停滞層が出来ない、または、薄いので効率よくガスの温度を基板に伝えられる。この現象を別の言い方をすると基板の温度は垂直に入射する高温ガスに対してよく伝わる。この原理を用いて、ガスを急速に効率よく加熱するガス加熱装置である。支持台２６上に載置されたガラス基板２４の表面２５に、このガラス基板の軟化点温度よりも高い単一の高温ガスビームを垂直に吹き付けて高温に加熱する。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、熱及び紫外光に対する耐久性の低い汎用プラスチック基板に対して、それらの熱や光のエネルギーを基板に直接照射すること無く、高い絶縁性能を有する酸化シリコン薄膜の形成を効率的に行う装置及びその薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願発明の薄膜素子形成装置は、ケイ素化合物が塗設された基板に対して、装置に導入された雰囲気ガスに紫外光線を照射することによって生成されるオゾンや酸素ラジカルなどの活性酸素種を塗設膜に接触させ、かつ薄膜を２００℃以下の特定温度を保持することによって、該ケイ素化合物薄膜を酸化シリコン薄膜に変換すると同時に熱アニール効果により物理的・電気的性能の向上した薄膜を簡便に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】複数のデバイスを含む基板に対し、電磁放射線によるアニール中に基板の表面全体に一様な加熱を実施する方法を提供する。
【解決手段】基板３００上にアモルファス炭素を含む層３１２を堆積させるステップと、その後、該層３１２を少なくとも約３００℃の温度に加熱するのに十分な条件下で該基板３００を約６００ｎｍ〜約１０００ｎｍの波長を１つ以上もつ電磁放射線にさらすステップと、を含む前記方法が提供される。任意に、前記アモルファス炭素を含む層３１２は、窒素、ホウ素、リン、フッ素、及びそれらの組合わせからなる群より選ばれたドーパントを更に含んでいる。一態様においては、前記アモルファス炭素を含む層３１２は、反射防止コーティングと、電磁放射線を吸収し且つ基板３００の最上面をアニールする吸収層である。一態様においては、基板３００はレーザアニールプロセスにおいて電磁放射線にさらされる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮベースの半導体デバイスのための技術的に簡単かつ安価な製造方法を提供し、高められた発光効率を有する半導体デバイスのための製造方法を開発すること
【解決手段】ＧａＮベースの多数の層（４）を、基板ボディ（１）と介在層（２）とを有する張り合せ基板上に被着し、この場合、基板ボディ（１）の熱膨張係数が、ＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数に近似しているか又はＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数より大きく、ＧａＮベースの層（４）を介在層（２）上に析出させる。有利には、介在層及び基板ボディを、ウェハボンディング法によって張り合せる。 （もっと読む）

【課題】小さい寄生容量及び高いキャリヤ移動度を有する半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０と、Ｓｉ基板１０上に形成された所定幅のＳｉＯ_２層１２と、両側にそれぞれ第１の端部４０ａ及び第２の端部４０ｂを有し、第１の端部４０ａ及び第２の端部４０ｂから側方向のエピタキシャル成長によって形成され、ＳｉＯ_２層１２を覆うＳｉＧｅ層４０と、ＳｉＯ_２層１２に対応してＳｉＧｅ層４０上にエピタキシャル成長によって形成され、Ｓｉの格子変形が誘導されたストレインＳｉ層５０と、を備える半導体基板である。 （もっと読む）