【課題】設計したドーピング濃度および深さ方向分布の製造ばらつき（生産揺らぎ）を抑えて、発光出力を向上させかつ安定化させる。
【解決手段】ｐ型電極１１とｎ型電極１２の形成後に、静電容量測定手段が、ｐ型電極１１とｎ型電極１２間の静電容量を測定する静電容量測定工程と、不純物濃度分布演算手段が、測定した静電容量から不純物濃度分布を演算する不純物濃度分布演算工程（図示せず）と、第１不純物濃度分布制御手段が、演算した不純物濃度分布が最も低い値を特徴量として、次のロットまたは基板における発光層の形成時に、ＭＯＣＶＤ手段を制御して最大の発光出力が得られるように制御する第１不純物濃度分布制御工程（図示せず）とを有している。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物光放出デバイスにおいて、光放出層を含有するデバイス層は、デバイス中、特に光放出層中の歪みを減少させるように設計されたテンプレートの上に成長する。光放出デバイス中の歪みを減少させることでデバイスの性能を改良する。
【解決手段】デバイスは、基板１上の第１の実質的単一結晶層２と、第２の実質的単一結晶層６と、第１の実質的単一結晶層２と第２の実質的単一結晶層６との間に配置された第３の実質的単一結晶層５と、第１の実質的単一結晶層２と第２の実質的単一結晶層６との間に配置されるインジウムを含有する非単一結晶層３とを含有するＩＩＩ族窒化物構造を含む。 （もっと読む）

【課題】構造高さの小さな薄膜半導体チップを後にウェハレベルで簡単にテストでき、また、構造高さが小さく、良好な機械的安定性を有する薄膜発光ダイオードチップを提供する。
【解決手段】薄膜半導体チップ１が、電磁放射の形成に適した活性層体２と、活性層体２上の導電性かつ反射性のコンタクト材料層４と、導電性かつ反射性のコンタクト層４上のフレキシブルな導電性シート６から成る支持体層とを含み、導電性シート６はカーボンシートである。 （もっと読む）

【課題】本発明は多層発光構造体薄膜を用いた垂直構造の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】上記垂直構造の半導体発光素子は、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を含む多層発光構造体と、前記多層発光構造体の下部に配置される第１ボンディング層と、前記第１ボンディング層の下部に配置される第２ボンディング層と、前記第２ボンディング層の下部に配置されるヒートシンク層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】素子作製時の裏面チッピングを抑制する。
【解決手段】半導体発光素子用ウエハを切削して素子化する半導体発光素子の製造方法において、前記半導体発光素子用ウエハは、半導体積層部と、前記半導体積層部の第一主面側に設けられる第一電極と、前記半導体積層部の第二主面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられる第二電極とを備え、前記半導体発光素子用ウエハの切削は、前記半導体発光素子用ウエハの第一方向及び該第一方向と直交する第二方向の複数の切削ラインに沿って、前記半導体発光素子用ウエハを前記支持基板の途中の深さまで切削して前記半導体発光素子用ウエハに格子状のハーフカット溝を形成する第一切削工程と、前記支持基板を完全に切断し溝の深さが前記半導体発光素子用ウエハに貼り付けたダイシングシートにまで達するように前記ハーフカット溝を更に切削する第二切削工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】光透過率が高く、かつ電極との接触抵抗が低いβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板、そのβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板を含むＬＥＤ素子、及びＬＥＤ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ドナー含有β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる低ドナー濃度層２ａと、低ドナー濃度層２ａ上に積層された、ドナー含有β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる、第１電極３を接続するための高ドナー濃度層２ｂとを含むβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板２を提供する。高ドナー濃度層２ｂは、厚さが１μｍ以下であり、低ドナー濃度層２ａよりも薄く、低ドナー濃度層２ａよりもドナー濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子チップを接合するマウント材の劣化を抑制する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光装置は、サファイア基板、活性領域、及び光遮断層が設けられる。活性領域は、サファイア基板上に設けられ、通電されてサファイア基板の厚み方向で発光する発光層を有する。光遮断層は、サファイア基板の裏面に設けられ、発光層で発生された光をサファイア基板の裏面側に透過するのを遮断し、サファイア基板が酸化アルミニウム（Ａｌ_ｘＯ_ｙ）に改質されてなる。 （もっと読む）

【課題】蛍光量子効率を向上して光の変換効率を向上させることのできる蛍光基板と、これを備えた発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置において、ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含む６Ｈ型ＳｉＣ結晶からなる蛍光基板と、前記蛍光基板上に複数の窒化物半導体層により形成され、前記蛍光基板をドナー・アクセプタ・ペアにより発光するための励起光を発する発光部と、を備え、前記ドナー不純物の濃度をＣ_Ｄ、前記アクセプタ不純物の濃度をＣ_Ａ、アクセプタイオン化エネルギーをＥｉとしたときに、前記アクセプタ不純物のイオン化エネルギーが０．３ｅＶを超えた領域においては、Ｃ_Ｄ[ｃｍ^−３]−Ｃ_Ａ[ｃｍ^−３]≧４．７６×１０^１８×Ｅｉ[ｅＶ]−１．４３×１０^１８の関係を満たし、前記アクセプタ不純物のイオン化エネルギーが０．３ｅＶを超えない領域においては、Ｃ_Ｄ[ｃｍ^−３]−Ｃ_Ａ[ｃｍ^−３]≦４．７６×１０^１８×Ｅｉ[ｅＶ]−１．４３×１０^１８の関係を満たすようにした。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高いＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型層、発光層およびｐ型層が、発光層をｎ型層とｐ型層が挟むように配置されたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であり、発光層と基板との間にある層のａ軸格子定数ａ₁と発光層のａ軸格子定数ａ₂との差の割合Δａ（＝１００（ａ₁−ａ₂）／ａ₁）の範囲が、−０．０５≦Δa≦０．０５（単位：％）であるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、ＩＩＩ族窒化物半導体をＭＯＣＶＤ法で成長させる際のＶ族原料とＩＩＩ族原料のモル比（Ｖ／ＩＩＩ比）が、発光層と基板との間にある層を成長させる際には３００〜１６００であり、井戸層を成長させる際には７００００〜１９００００であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。 （もっと読む）