【課題】水平方向への電流の拡散（分散）が改善されて発光効率が向上できる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層と、上記ｎ型窒化物半導体層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたｐ型窒化物半導体層と、上記ｎ型窒化物半導体層の内部及び表面のうち少なくとも一つの位置に形成され、上記ｎ型窒化物半導体層をなす物質との界面に２次元電子ガス層が形成されるように上記ｎ型窒化物半導体層をなす物質よりバンドギャップエネルギーが大きい物質からなる複数の電流拡散層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低電圧で高輝度の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１、第２電極層、第１、第２半導体層、発光層及び第１中間層を含む半導体発光素子が提供される。第１電極層は、金属部を有する。金属部には、円相当直径が１０ｎｍ以上５μｍ以下の複数の貫通孔が設けられている。第２電極層は光反射性である。第１半導体層は、第１電極層と第２電極層との間に設けられ第１導電形である。第２半導体層は第１半導体層と第２電極層との間に設けられ第２導電形である。発光層は、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられる。第１中間層は、第２半導体層と第２電極層との間に設けられ、光透過性である。第１中間層は、複数の第１コンタクト部と、第１非コンタクト部と、を含む。第１非コンタクト部は、積層方向に対して垂直な平面内において第１コンタクト部と並置される。 （もっと読む）

【課題】
コストおよび閾値電圧が上がることなく、静電耐圧特性を向上させた発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層、およびｐ側窒化物半導体層が順に積層され、前記ｎ側窒化物半導体層上および前記ｐ側窒化物半導体層上に、それぞれｎ側電極およびｐ側電極が設けられた発光素子において、前記ｎ側窒化物半導体層が、前記ｎ型電極と接する上部ｎ型コンタクト層と下部ｎ型コンタクト層とで構成されるｎ型コンタクト層を有し、前記上部ｎ型コンタクト層と前記下部ｎ型コンタクト層との間に、前記上部ｎ型コンタクト層および前記下部ｎ型コンタクト層のいずれとも組成の異なるＡｌＮ層が設けられており、前記ＡｌＮ層と前記ｎ側電極との間の距離が、前記ＡｌＮ層と前記基板との間の距離よりも短いことを特徴とする、発光素子。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光サイリスタ１０は、ｐ型の半導体基板１２と、ｐ型の第１の半導体層１６と、量子井戸構造２０と、キャリアブロック調整層２４を含むｎ型の第２の半導体層２２と、ｐ型の第３の半導体層２６と、ｎ型の第４の半導体層２８と、半導体基板の裏面に形成された裏面電極３０と、第４の半導体層２８上に形成された上部電極３２と、ゲート電極３４とを有する。キャリアブロック調整層のバンドギャップは、正孔に対するエネルギーレベルが量子井戸構造のバリア層のエネルギーレベルよりも高くなるように調整される。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図る自己走査型発光素子アレイを提供する。
【解決手段】自己走査型発光素子アレイ１０は、半導体基板と、半導体基板上に形成された島Ｓｎ-１、Ｓｎ、Ｓｎ＋１、Ｓｎ+２と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含む発光部サイリスタＬｎ−１、Ｌｎ、Ｌｎ+１、Ｌｎ+２と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含むシフト部サイリスタＴｎー１、Ｔｎ、Ｔｎ+１、Ｔｎ+２と、当該島内に積層されたｐｎ接合の結合ダイオードの直下に形成された寄生サイリスタＰＴｎ、ＰＴｎ+１、ＰＴｎ+２、ＰＴｎ+３と、当該島内に形成された電流狭窄層とを有する。電流狭窄層は、酸化領域と非酸化領域とを含み、寄生サイリスタのカソード層２８ＰＴの直下には酸化領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図る自己走査型発光素子アレイを提供する。
【解決手段】自己走査型発光素子アレイは、半導体基板と、半導体基板上に形成された島Sn-1、Sn、Sn+1、Sn+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含む発光部サイリスタLn-1、Ln、Ln+1、Ln+2と、当該島内に積層されたｐｎｐｎ構造の半導体層を含むシフト部サイリスタTn-1、Tn、Tn+1、Tn+2と、当該島内に積層されたｐｎ接合の結合ダイオードの直下に形成された寄生サイリスタPTｎ、PTn+1、PTn+2、PTn+3と、当該島内に形成された電流狭窄層とを有する。電流狭窄層は、酸化領域と非酸化領域とを含み、寄生サイリスタのカソード層の直下には酸化領域が形成される。 （もっと読む）

【課題】光吸収が低減され、高輝度が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光層と、上側電極と、前記発光層と前記上側電極との間に設けられ、前記発光層の側の第１の層と、前記第１の層のキャリア濃度よりも高いキャリア濃度を有し前記上側電極の側に設けられた第２の層と、を有する電流拡散層であって、前記発光層から放出された光を出射可能な凹部を有する電流拡散層と、前記発光層に対して前記電流拡散層とは反対の面の側に設けられた反射層と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光サイリスタ１０は、ｐ型の半導体基板１２と、ｐ型の半導体多層膜反射鏡１６と、ｐ型の第１の半導体層１８と、ｎ型の第２の半導体層２０と、ｐ型の第３の半導体層２２と、ｎ型の第４の半導体層２４と、半導体基板１２の裏面に形成された裏面電極３０と、第４の半導体層２４上に形成された上部電極３２とを有し、半導体多層膜反射鏡１６は、選択的に酸化された酸化ＤＢＲ１６Ａと、これに隣接する導電ＤＢＲ１６Ｂとを含み、酸化ＤＢＲ１６Ａは、半導体基板による光の吸収を抑制し、導電ＤＢＲ１６Ｂは、半導体基板１２と第１の半導体層１８とを電気的に接続する。 （もっと読む）