【課題】活性層の内部量子効率を向上させた窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設けられたバッファ層および活性層と、を備え、バッファ層は、交互に積層された、Ｉｎ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ（０＜ｘ１≦１）の式で表わされる第１のバッファ層と、Ｉｎ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０≦ｘ２＜１、ｘ２＜ｘ１）の式で表わされる第２のバッファ層と、を有しており、第１のバッファ層のＩｎ組成ｘ１は変化し、第１のバッファ層の少なくとも１層のＩｎ組成ｘ１が、活性層のＩｎ組成よりも大きい窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第１下側層と、第１ドープ層と、第１上側層と、を含む。第１下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第１ドープ層は、第１下側層の上に設けられ第１下側層の格子定数以上の格子定数を有し１×１０^１８ｃｍ^−３以上１×１０^２１ｃｍ^−３未満の濃度であり第１下側層よりも高い濃度で不純物を含有する。第１上側層は、第１ドープ層の上に設けられ第１ドープ層の格子定数以上で第１下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に成長した発光セルのクラック形成を最小化でき、発光素子の光放出量を効果的に増加させうる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２１０と、基板２１０上に相互に離隔して設けられ、半導体物質の積層により形成される少なくとも二つの発光セル２４０と、発光セル２４０の間に順次に積層された反射層２２０及び透明絶縁層２３０と、発光セル２４０を覆う透明電極２５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上させて、光出力及び信頼性を向上させることができる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１は、第１窒化物半導体層１０と、第１窒化物半導体層１０上に形成された活性層１２と、活性層１２上に形成された第２窒化物半導体層１４と、第２窒化物半導体層１４上に形成されてＡｌＩｎＮを具備する第３窒化物半導体層１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】安全性及び信頼性を高めた発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、基板１００と、基板のＲ面上に配置され、岩塩構造（Ｒｏｃｋ Ｓａｌｔ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する窒化物を含むバッファー層２１０と、バッファー層上に配置され、ａ面に成長した発光構造物１２０とを備える。バッファー層２１０は、ＬａＮ、ＴｈＮ、ＰｒＮ、ＮｄＮまたはＳｍＮの少なくとも一つを含んで形成され、基板１００と発光構造物１２０との格子不整合及び熱膨張係数の差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、窒化物半導体層のクラックがほとんどなく、表面の粗度が極めて優秀であるので、全体的な安定性の向上された窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】本実施形態の窒化物系半導体素子は、基板と、前記基板上に形成されるアルミニウムシリコンカーバイド（ＡｌＳｉ_ｘＣ_１−ｘ）前処理層と、前記前処理層上に形成されるＡｌがドーピングされたＧａＮ層と、前記ＡｌがドーピングされたＧａＮ層上に形成されるＡｌＧａＮ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】極性方向に沿って結晶層（２〜７）を成長させた半導体光エミッタ内の自然発生的な分極誘導電界を低減し、打ち消し、または反転し、エミッタの動作効率およびキャリアの閉じ込めを改善する。
【解決手段】これは、隣接する結晶層（２〜７）の材料組成の相違を低減し、分極誘導電荷を妨げる空間電荷および擬似電界を発生させるために１つまたは複数の層にグレードを付け、分極誘導電荷とは反対の電荷状態へとイオン化する様々な不純物を半導体内に取り込み、帯電した原子層の順序を逆転させ、デバイス内のｎ型層およびｐ型層の成長順序を逆転させ、均一な活性領域の代わりに多層放出系を使用し、かつ／または材料の面内格子定数を変化させることによって、実現される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成したクラックが少ない高品位の窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板の上に形成されたＡｌＮバッファ層の上に形成された機能層を備える窒化物半導体素子が提供される。機能層は、交互に積層された、複数の機能部低濃度層と、複数の機能部高濃度層と、を含む。機能部低濃度層は、窒化物半導体を含み、Ｓｉ濃度が５×１０^１８ｃｍ^−３未満である。機能部高濃度層は、Ｓｉ濃度が５×１０^１８ｃｍ^−３以上である。複数の機能部高濃度層のそれぞれの厚さは、機能部低濃度層のそれぞれの厚さよりも薄い。複数の機能部高濃度層のそれぞれの厚さは、０．１ナノメートル以上５０ナノメートル以下である。複数の機能部低濃度層のそれぞれの厚さは、５００ナノメートル以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体層の劣化及び破壊を抑制した半導体発光素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、Ｉｎ含有中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、シリコン基板の上に下地層を介して形成され、窒化物半導体を含み第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられＧａ_１−ｚ１Ｉｎ_ｚ１Ｎを含む井戸層と、を含む。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。Ｉｎ含有中間層は、第１半導体層と発光部との間、及び、第２半導体層と発光部との間の少なくともいずれかに設けられ、上記ｚ１とは異なる組成比でＩｎを含む窒化物半導体を含み、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さを有する。 （もっと読む）