【課題】光−電気変換の量子効率が高く、受光素子及び発光素子として、優れた実用性が得られる鉄シリサイド半導体薄膜を有する光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。次いで、化学気相成長法又は気相エピタキシ法により初期層の結晶粒の横方向成長を促進しつつ第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２上に粒径が１０乃至１００μｍの第２のβ−ＦｅＳｉ_２層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】保持基板上に成長したＩＩＩ族窒化物結晶を、結晶品質を劣化させることなく剥離することができる
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）保持基板２０上の表側主面に、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２２を形成する工程と、（ｂ）前記保持基板２０裏側主面からレーザ光を照射して、前記第1のＩＩＩ窒化物結晶層２２の裏面側をレーザ加工する工程と、（ｃ）前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面に第２のＩＩＩ族窒化物結晶層２４を成長する工程と、（ｄ）前記保持基板２０と前記第1のＩＩＩ族窒化物層２２の界面から分離する工程とを備え、（ｅ）前記工程（ｂ）において、前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面にレーザ加工時に発生する分解ガスを放出するガス放出構造体を設ける。これにより、レーザ加工部の基板全体に対する面積を大きくすることができるので、剥離の際の応力による結晶のクラックを低減できる。 （もっと読む）

【課題】基板のオリフラ部と基板保持凹部の内周面との間に生じる隙間に反応生成物が堆積することを防止し、基板面内の温度分布を最小限に抑えることができ、発光波長分布のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光デバイスを成膜する気相成長装置において、基板保持凹部１４ａに基板１６を保持したときに、基板１６のオリフラ部１６ａと基板保持凹部１４ａの内周面との間に生じる隙間に、該隙間の形状と同一の形状を有し、基板の厚さと同一の厚さを有する嵌合部材２８を配置する。 （もっと読む）

【課題】第二ｎ型半導体層表面に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ｃを積層する第一工程と、前記第一ｎ型半導体層１２ｃ上に前記第一ｎ型半導体層１２ｃの再成長層１２ｄと第二ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二ｎ型半導体層１２ｂを積層する工程において、前記再成長層１２ｄ形成時よりも少量の前記Ｓｉをドーパントとして供給することにより第二ｎ型半導体層第一層を形成する工程（１）と、前記Ｓｉを前記工程（１）よりも多く供給することにより第二ｎ型半導体層第二層を形成する工程（２）と、をこの順で行うことを特徴とする半導体発光素子１の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤマスクとして用いられるＳｉＯ２層は熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けると、その構成要素であるＳｉやＯが窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、発光効率の低下と発光効率という問題があった。この、ＳｉＯ2層を用いたマスクパターンの熱的損傷に依る問題点を解決する構造，方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体構造は、第１の基板、第１の窒化物半導体膜及び第２の窒化物半導体膜を備えた窒化物半導体構造であって、前記第１の基板は、前記第１の窒化物半導体膜とは異なる材料からなり、前記第１の窒化物半導体膜は前記第１の基板上に成長され、前記第１の窒化物半導体膜上面は、凹部及び凸部が同一材料で形成されており、前記第２の窒化物半導体膜は、前記第１の窒化物半導体膜上面の前記凹部及び凸部上に成長する構造、及びその構造の製造方法により解決する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】直接窒化されたサファイア基板２上のＡｌＮ層にラジカル源５から窒素ラジカル又は窒素イオンを含む気体を所定時間照射する。その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】成長途中に生じる凹部を縮小させ、バルク状でかつ結晶性の高い窒化物半導体単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法による窒化物半導体単結晶の製造方法であって、種基板１との界面の裏側に主面および凹部を有する第１の窒化物半導体単結晶部２を前記種基板１上に成長させる工程と、前記凹部内にマスク４を設ける工程と、前記マスク４を覆うように前記第１の窒化物半導体結晶部２上に第２の窒化物半導体結晶部を成長させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基板上に均一な結晶を成長させる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基板の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる結晶成長方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基板の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させる。このように、バッファ層の堆積レートＲｔとバッファ層の平均の厚さＴを適切に管理することにより、バッファ層の上に形成された窒化物半導体結晶の表面モフォロジーの良好な平坦性が実現できるとともに、結晶欠陥であるピット発生数Ｎｐをきわめて小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にＩＩＩ族窒化物半導体をヘテロエピタキシャル成長させた場合に、オリフラ近傍からＩＩＩ族窒化物半導体層中に発生する端部クラックを低減する。
【解決手段】＜１１１＞方向を回転軸として、＜１１０＞方向を左回りに３０°、９０°、１５０°のいずれかの角度φだけ回転させた方向にオリフラを有する（１１１）面を主面とするシリコン基板をヘテロエピタキシャル成長用基板として使用し、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】搬送される長尺の基材に成膜できる領域である成膜ゾーン２２の下方に配置される少なくとも１本のガス供給管３２であって、該成膜ゾーンの下方から該成膜ゾーンを指向する１個以上のガス供給口３４Ａを有する前記ガス供給管を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置１０を用いて、前記成膜ゾーンの下方に位置する前記ガス供給口から前記成膜ゾーンにガスを供給して、前記基材を搬送しながら前記基材上に連続的に成膜する、成膜方法。 （もっと読む）

【課題】半導体層における応力を緩和し低動作電圧で高発光効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ型半導体層と、窒化物半導体を含むｐ型半導体層と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に設けられ、互いに積層され、ＧａＮを含む複数の障壁層と、複数の障壁層のそれぞれの間に設けられ、第１Ｉｎ組成比のＩｎＧａＮを含む井戸層と、を有する発光部と、ｎ型半導体層と発光部との間に設けられ、互いに積層され、ＧａＮを含む複数の第１層と、複数の第１層のそれぞれの間に設けられ、第１Ｉｎ組成比の０．６倍以上で第１Ｉｎ組成比よりも低い第２Ｉｎ組成比のＩｎＧａＮを含む第２層と、を有する多層構造体と、多層構造体と発光部との間に設けられ、Ａｌ_ｙ１Ｇａ_１−ｙ１Ｎ（０＜ｙ１≦０．０１）を含む第３層を含むｎ側中間層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板が目標温度に達するまでの時間を短縮し、従来よりも生産能力の優れた気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板を加熱するためのヒータ４２と、ヒータ４２が発した熱を基板に伝達するためのサセプタ４と、基板の温度を測定するための熱電対５０と、を備えた気相成長装置において、熱電対の測温部５０ａを覆う熱電対カバー５１は、熱電対の測温部５０ａと距離を置いて設けられている。該距離は前記熱電対カバー５１の設置高さを変更することにより調節可能であって、温度測定の応答性を調節可能とする。 （もっと読む）

【課題】自立基板の反りを低減した窒化物半導体自立基板及びそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、連続成長した窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において１０個／ｃｍ²以上から６００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記基板表面は、０個／ｃｍ²以上から２００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記窒化物半導体自立基板の内部のインバージョンドメインよりも前記基板表面に到達するインバージョンドメインの密度が少ない。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１成膜ロール２０Ａ及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１対称面１８Ａが設定され、成膜ゾーン２２が設定され、第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面内に配列される１本又は２本以上のガス供給管３２であって、成膜ゾーンと対向し、かつ第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えるガス供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、マグネシウムをドープしたｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層であって、アルミニウム組成比ｘが０．２３以上０．３未満の範囲であり、かつキャリア濃度が５×10¹⁷／cm³以上であるか、アルミニウム組成比ｘが０．３以上０．４未満の範囲であり、かつキャリア濃度が３．５×10¹⁷／cm³以上であるか、または、アルミニウム組成比ｘが０．４以上０．５未満の範囲であり、かつキャリア濃度が２．５×10¹⁷／cm³以上であることを特徴とするｐ型ＡｌＧａＮ層である。 （もっと読む）

【課題】反応炉から排出される排ガス中に含まれる各種有害成分の除害処理を確実に行うことができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】III-Ｖ族化合物半導体材料を成膜する反応炉１２と、原料ガス及びキャリアガスを導入するための原料ガス導入管１４と、反応炉から排ガスを導出する排気管１５に設けられて原料ガスの除害処理を行う原料ガス除害装置とを備えたＭＯＣＶＤ装置において、反応炉の内面に付着した反応生成物を除去するためのクリーニングガスとしてアミン系ガス又は反応炉内でアミン系ガスに変化するガスを供給するクリーニングガス供給源２２を設けるとともに、原料ガス除害装置１８の上流側にクリーニングガスの除害処理を行うクリーニングガス除害装置１７を直列に設ける。 （もっと読む）

【課題】十分な導電性を付与したIII族窒化物結晶を短時間で成長可能とする。
【解決手段】III族のハロゲン化物ガスとＮＨ_３ガスを用いてIII族窒化物結晶を下地基板上に４５０μｍ／ｈｏｕｒよりも大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度で成長する場合において、ドーピング原料としてＧｅＣｌ_４を用いることによりIII族窒化物結晶
中にＧｅをドーピングし、III族窒化物結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０
^−２Ωｃｍ以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜等の成膜装置において、成膜室を機械的強度に優れかつ高純度な部材で作製する。
【解決手段】石英板材と金属部材を一体化したハイブリッド部材を使用して成膜室が作製される。ハイブリッド部材は、石英板材を金属部材に真空吸着することによって作製され、ハイブリッド部材の石英板材側が成膜室の内面となるように成膜室が組み立てられる。原料ガスに接する成膜室の内面が石英面になっていて、石英板材でカバーされた金属面は成膜室の内部から隔離されるので、金属部材からの放出ガスの影響を抑制できる。成膜室の外殻が金属部材で構成されるので機械的強度に優れている。石英板材を金属部材と一体化した状態で成膜室の組み立て等を行えるので、石英板材の破損の危険性を低減できる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の表面平坦性を向上させることができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、低転位領域１０と、低転位領域１０よりも転位密度が高い高転位領域１２とを有するＧａＮ基板１４を準備する。次に、高転位領域１２を覆わずに高転位領域１２を囲むように低転位領域１０上に絶縁膜１６を形成する。次に、ＧａＮ基板１４上に窒化物半導体層１８を形成する。これにより、高転位領域１２上で発生した異常成長が低転位領域１０に伝播するのを防ぎつつ、原料拡散により絶縁膜１６の近傍で窒化物半導体層１８の厚みが増大するのを防ぐことができる。この結果、窒化物半導体層１８の表面平坦性を向上させることができ、半導体装置の歩留まりを向上できる。 （もっと読む）