【課題】製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位（ＢＰＤ）をより確実に貫通刃状転位（ＴＥＤ）に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の一方面にＳｉイオンを注入し、又は電子線照射する第１工程と、炭化珪素基板１をアニール処理する第２工程と、炭化珪素基板１の一方面側をエピタキシャル成長させてエピタキシャル膜３を得を形成する第３工程とを備える。前記炭化珪素基板に注入されるイオンは、Ｓｉイオン、Ｃイオン、Ｈイオン、Ｈｅイオン、Ｐイオン、Ａｌイオン、Ｂイオン及びＮイオンからなる群から選択される少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化ガリウム膜製造方法に関し、より詳細には、成長する窒化ガリウム膜内の欠陥を減らすことができる窒化ガリウム膜製造方法に関する。
【解決手段】このために、本発明は、基板上に、外周面に周方向溝を有する窒化ガリウムナノロッド（ＧａＮ ｎａｎｏ ｒｏｄ）を成長させる窒化ガリウムナノロッド成長ステップ；及び、前記窒化ガリウムナノロッド上に窒化ガリウム膜を成長させる窒化ガリウム膜成長ステップ；を含むことを特徴とする窒化ガリウム膜製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、（０００１）面に対してオフ角が１０°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板１を準備する工程と、ベース基板１の表面上に炭化珪素層を成長させる工程とを備える。炭化珪素層を成長させる工程では、炭化珪素層の成長方向側から見たときの幅方向における温度勾配を２０℃／ｃｍ以上とする。このようにすれば、得られた炭化珪素インゴットはその成長最表面９について中央部を含むほぼ全面がファセット面５になっているため、外周端部のみを研削することで全面がファセット面５となった炭化珪素インゴットを得ることができる。 （もっと読む）

【目的】
ＧａＮ系化合物半導体成長層に生じる歪が低減されるとともに、当該結晶成長層にダメージを与えることなくＳｉ基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び成長層付き基板を提供する。
【解決手段】
Ｓｉ基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、上記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）結晶層であるバッファ層を成長する工程と、上記バッファ層上にＧａＮ系化合物結晶を成長する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】反り量の少ない窒化物半導体ウエハを得る。
【解決手段】サファイア基板に窒化物半導体薄膜結晶層と、その上にボイドを含む金属窒化膜とが設けられてなるボイド形成基板上に窒化物半導体厚膜結晶層を形成した後、前記ボイド形成基板を除去する窒化物半導体ウエハの製造法において、前記サファイア基板の裏面に、サファイアの熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材料からなる反り相殺層を形成し、前記窒化物半導体厚膜結晶層の成長温度下で、熱膨張係数の差によって前記反り相殺層を形成したボイド形成基板を、前記金属窒化膜が形成される面から見て凸状に反らせ、前記凸状に反らせたボイド形成基板の上に前記窒化物半導体厚膜結晶層を凸状に成長させ、成長終了後、前記成長温度から常温に戻る際に、前記ボイド形成基板の平らな形状への復元とともに前記窒化物半導体厚膜結晶層の凸状から平らな形状への戻りが、前記窒化物半導体厚膜結晶層の半導体極性面から見た凹状の反りを相殺する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体結晶のクラック発生を抑制でき、窒化物半導体結晶の歩留の向上が図れる窒化物半導体結晶の製造方法、及び窒化物半導体エピタキシヤルウエハおよび窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】
種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板上に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させるに際し、エピタキシャル成長した単結晶ダイヤモンドにおいて基板のダイヤモンドの欠陥に由来する欠陥を極力低減すること。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド基板上の欠陥の位置に、幅と深さのアスペクト比（深さ／幅）２以上の溝又は穴を形成した単結晶ダイヤモンド基板上に、気相エピタキシャル成長法によって単結晶ダイヤモンド膜を形成してなり、前記溝又は穴の部分が空孔として結晶内部に残っていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 （もっと読む）

【課題】主面の結晶欠陥が少ない単結晶ダイヤモンド、及び該単結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド複合体とその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも、板状の２つ以上の単結晶ダイヤモンドより構成されており、それぞれの単結晶ダイヤモンドが、それぞれの主面間に介在する接合層によって接合されてなることを特徴とするダイヤモンド複合体。前記ダイヤモンド複合体から接合層を境にして分離されたことを特徴とする単結晶ダイヤモンド。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ層をサファイア下地基板から簡単に剥離できるようにしたＧａＮ自立基板の製造方法の提供。
【解決手段】サファイア下地基板上にＧａＮ層を気相成長させる工程と、前記ＧａＮ層から前記サファイア下地基板を、前記成長中の反りもしくは降温中の熱応力によって前記下地基板を破壊することで除去する工程と、を含む、ＧａＮ自立基板を製造する方法において、前記サファイア下地基板が、面方位が（１１−２０）面であるａ面サファイア下地基板１０であり、前記サファイア下地基板の表面もしくは裏面に前記サファイア下地基板全面を横断するように溝を形成し、前記溝が前記a面サファイア下地基板の劈開しやすい面方向に形成されているようにした。 （もっと読む）

【課題】結晶基板を安価に製造可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明は、気相成長装置の基板保持具(10)に保持されオリエンテーションフラット(23)を有する下地基板(20)の結晶成長面(21)上に結晶膜(30)を成長させ、該結晶膜(30)から結晶基板(35)を製造する方法であって、前記基板保持具(10)は、前記下地基板(20)の結晶成長面(21)の一部を露出させる開口部(12)を備え、前記開口部(12)は、その輪郭に、円弧状部(13)と弦状部(14)を含み、前記弦状部(14)の内壁は、前記オリエンテーションフラット(23)を前記下地基板(20)の中心軸を回転軸として３０°又は９０°の整数倍回転させた面に略平行な壁面(15)を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高電圧駆動素子の為にＳｉＣやＧａＮの基板の簡素化が重要な課題となっている。
Ｓｉ基板上のシリコン酸化膜の上に単結晶のＳｉＣ膜やＧａＮ膜に形成したＭＯＳＦＥＴなどの素子をアニールする手法を開示する。
【解決手段】光学ランプからの光をレンズで集光する手段、或いはレーザ光など高温度を発生させる手段によりＳｉＣなど化合物半導体の表層部はＳｉ基板の融点を越えるような高温度として、Ｓｉ基板部はその融点よりも十分低い温度となるような冷却部を設けてＳｉ基板を保持するステージを設けたことを特徴とするアニーリング装置。 （もっと読む）

【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。
【解決手段】２°以上のオフ角を有する結晶構造｛１１１｝の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施例による半導体発光素子の製造方法は、半導体成長用基板上に第１導電性半導体層、活性層及び第２導電性半導体層を順に成長させて発光部を形成する段階と、上記第２導電性半導体層上に上記発光部と結合されるように支持部を形成する段階と、上記発光部から上記半導体成長用基板を分離する段階と、上記分離された半導体成長用基板の表面に残存する半導体層が除去されるように上記半導体成長用基板にエッチングガスを適用する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物基板を低価格で効率よく製造することを可能とするＩＩＩ族窒化物層の成長方法およびＩＩＩ族窒化物基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物層の成長方法は、配向した六方構造を有するグラファイト基板１０を準備する工程と、グラファイト基板１０上に少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物層２０を成長させる工程と、を含む。また、本ＩＩＩ族窒化物基板は、少なくともｃ軸方向に配向する複数の結晶で構成される。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位をより確実に貫通刃状転位に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法及び前記炭化珪素ウェハを用いた炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気又は真空において、１７００℃〜２２００℃で炭化珪素基板１を加熱処理することで、炭化珪素基板１の基底面転位２０の先端部を貫通刃状転位３０に転換し、当該炭化珪素基板１上に、炭化珪素のエピタキシャル成長を行うことで、基底面転位２０が低減したエピタキシャル膜２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体に過大な力を加えることなく製造することができ、得られる蛍光体粉末の大きさのばらつきを抑制することのできる直方体状の蛍光体粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体粉末を製造するにあたり、成長基板上に、所定の励起光で励起されると波長変換光を発する単結晶の蛍光体を成長させる蛍光体成長工程と、成長された単結晶の蛍光体を機械的に分割して直方体状の蛍光体粉末とする分割工程と、により、直方体状の粉末が得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】クラックが入り難い高抵抗な窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】下地基板の表面に、第１の層Ｂと第２の層Ｆからなる窒化物半導体層１を形成し、その窒化物半導体層１を下地基板から分離して得られる直径４０ｍｍ以上、厚さ２００μｍ以上の自立した窒化物半導体基板１０であって、第２の層Ｆは、その表面の面内の平均転位密度が１×１０³ｃｍ^-2以上、１×１０⁸ｃｍ^-2未満であると共に、電気抵抗率が０．０２Ωｃｍより大きくなるように形成されており、第１の層Ｂは、第２の層Ｆよりも電気抵抗率が低くなるように形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】加工性に優れていて品質が高いIII族窒化物結晶を提供すること。
【解決手段】III族窒化物単結晶を１０００℃以上で熱処理することによりIII族元素を含む化合物からなる被膜を形成し、その被膜を除去することによりIII族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）