【課題】 発光素子アレイのボンディング部を樹脂などによってコーティングした場合であっても、樹脂などが発光素子の発光面に流れ出すことを抑制し、発光強度の低下を抑制できる発光素子アレイを提供する。
【解決手段】 基板２に、複数の発光素子３と、複数の電極パッド５とを有する発光素子アレイ１であって、複数の発光素子３は、基板２の一方主面に列状に配置され、複数の電極パッド５は、発光素子アレイ１の一方主面に、発光素子３の配列方向に沿って列状に配置され、複数の発光素子３の列と複数の電極パッド５の列との間における基板２の一方主面に、配列方向に沿った第１の凹部６ａを少なくとも１列有し、第１の凹部６ａの両端は、複数の発光素子３の列および複数の電極パッド５の列における両端よりも外側に位置する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光利用効率を高め、蛍光体板により波長変換を行ってもイエローリングのない安定した白色光や、赤色、緑色の色むらのない安定した色の光を発光する安価な発光装置を提供するものである。
【解決手段】発光素子と、発光素子が発光する光を波長変換する蛍光体板を備える発光装置において、発光素子を形成する半導体層の表面に、発光素子が発光する光の半波長以下のピッチを有する凹部を形成して、矩形周期構造体を構成し、蛍光体板は、矩形周期構造体の上方に配置している。 （もっと読む）

【課題】電流拡がり及び発光効率が極大化された発光素子を提供すること。
【解決手段】第１のドーパントがドーピングされた第１の半導体層、第２のドーパントがドーピングされた第２の半導体層、及び前記第１及び第２の半導体層間に介在する第１の活性層を有する第１の領域と、前記第１の領域上に配置され、前記第１のドーパントがドーピングされ、露出領域を含む第３の半導体層、前記露出領域を除いた前記第３の半導体層上に配置され、前記第２のドーパントがドーピングされた第４の半導体層及び前記第３及び第４の半導体層間に介在する第２の活性層を有する第２の領域とを備え、前記第４の半導体層から前記第１の半導体層まで互いに離隔した第１及び第２のトレンチが形成された発光構造物と、所定の位置に配置された第１から第３の電極とを含んで発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成された低接触抵抗のｎ側電極を有するＧａＮ系発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板である基板１１０と、基板１１０上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体からなりｐｎ接合型の発光構造を含むエピ層１２０と、を有するエピウェハを準備する第１ステップと、前記エピウェハに含まれる基板１１０の裏面をポリッシングする第２ステップと、前記第２ステップでポリッシュされた基板１１０の裏面全体にｎ側オーミック電極を形成する第３ステップと、前記第３ステップで形成された前記ｎ側オーミック電極をエッチングによりパターニングする第４ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質で低コストの発光ダイオード用基板の製造方法、発光ダイオードの製造方法及びモールドの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る発光ダイオード用基板は、基板上に、レジスト材料を配置する工程と、主面に複数の第１の凸部が形成され、少なくとも前記第１の凸部の上面に、その幅及び間隔が前記第１の凸部の幅及び間隔よりも小さい複数の第２の凸部が形成されたモールドを、前記基板に押し付けることにより、前記第１の凸部間及び前記第２の凸部間に前記レジスト材料を進入させる工程と、前記モールドを押し付けた状態で、前記レジスト材料を固化させることにより、前記基板上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンから前記モールドを剥離する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記基板に対してエッチングを施す工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に減少させることができる新規な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造方法は、成長基板１を提供する工程と、前記成長基板１に複数の溝１ａを形成する工程と、前記成長基板１に半導体素子層２を形成する工程と、前記成長基板１から前記半導体素子層２を分離するように、前記成長基板１及び前記半導体素子層２の温度を変更する工程と、を備えている。成長基板と窒化物半導体基板との間の接触面積を減らし、ウェハ接合工程においての加熱による温度変化工程では、成長基板と窒化物半導体基板とは異なる膨張係数を有しているので、応力が集中して、成長基板と窒化物半導体基板を互いに剥離する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層構造体と、透明電極と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、を備えた半導体発光素子を提供する。積層構造体は、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間の発光部と、を含む。透明電極は、積層構造体のｐ形半導体層の側の第１主面においてｐ形半導体層に接続される。透明電極はｐ側電極の上に設けられる。ｎ側電極は、第１主面においてｎ形半導体層に接続される。透明電極は、おいてｎ側電極とｐ側電極との間に設けられ透明電極を貫通する孔を有する。ｐ側電極からｎ側電極に向かう第２軸に対して垂直な第３軸に沿った孔の幅は、ｎ側電極及びｐ側電極の第３軸に沿った幅よりも大きい。孔のｎ側電極側の端とｎ側電極との間の第２軸に沿った距離は、孔のｐ側電極側の端とｐ側電極との間の第２軸に沿う距離以下である。 （もっと読む）

【課題】レーザスクライブによる不良が無く、所望の形状を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体からなる半導体素子１０は、以下の構成を備えている。基板１００上には、ｎ型の第１半導体層２００、活性層３００、ｐ型の第２半導体層４００が順に設けられている。また、２つの第１端面８４０は、平面視で対向するように劈開により形成されている。また、２つの溝部８２０は、平面視で第１端面８４０と直交する方向に、２つの第１端面８４０まで延在している。さらに、溝部８２０は、底部が少なくとも活性層３００の下面よりも下まで位置している。また、第２端面８６０は、第１端面８４０と直交する方向で、かつ、溝部８２０よりも外側に形成され、レーザによるスクライブによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】赤色光、青色光および緑色光を発光する発光装置の小型化を可能にできるIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体発光素子１０は、第１〜第３の面１１ｃ〜１１ｅ、及び裏面１１ｂを有する窒化ガリウム支持基体１１と、第１及び第２の面１１ｃ、１１ｄ上にそれぞれ設けられた第１及び第２のIII族窒化物半導体積層部１２、１３と、第３の面１１ｅ上に設けられた第３のIII族窒化物半導体積層部１４とを備える。第１及び第２のIII族窒化物半導体積層部１２，１３は、緑色光を発生する組成比のインジウムを含む活性層１２ｂ、１３ｂを有する。第３のIII族窒化物半導体積層部１４は、青色光を発生する組成比のインジウムを含む活性層１４ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を実現する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子は、基板、導電性反射膜、活性領域、第１電極、透明導電膜、及び第２電極が設けられる。導電性反射膜は基板上に設けられる。活性領域は、第１導電型透明電極、第１導電型コンタクト層、発光層、第２導電型コンタクト層、及び第２導電型透明電極が導電性反射膜上に積層形成される。第１電極は活性領域と離間し、導電性反射膜上に設けられる。透明導電膜は、一端が第２導電型透明電極上部を覆うように設けられ、他端が絶縁膜を介して記導電性反射膜上に設けられ、活性領域の側面とは絶縁膜を介して接する。第２電極は、透明導電膜の他端上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】発光素子構造及びその製造方法である。
【解決手段】この発光素子構造は、基板と、発光構造と、を備える。この基板は、対向する上表面と下表面、及び対向する２つの傾斜側面を有し、傾斜側面のそれぞれの両側が、それぞれ上表面と下表面に接合される。発光構造は、上表面に設けられる。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能な発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１００において、成長基板１０は、第１レーザー加工面１０C_１と、第１割断面１０C_２と、を含む第１側面１０Ｃを有する。第１割断面１０C_２には、成長基板１０を構成する材料の結晶格子面が露出している。垂直方向における第１レーザー加工面１０C_１の高さαは、垂直方向における成長基板１０の厚みβ_１と素子本体２０の厚みβ_２との和の２５％以上４０％以下である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上、及び製造歩留まりの向上を図ることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、シリコンを含む支持基板の主面上に複数の発光領域を形成する工程と、アルカリ性溶液による異方性エッチングによって、前記発光領域の表面に凹凸部を形成するとともに、前記支持基板の主面における前記複数の発光領域のあいだに、前記アルカリ性溶液による異方性エッチングによってＶ字状の溝を形成する工程と、前記溝の位置において前記支持基板を分割し、前記発光領域ごとに分ける工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶を基板とする半導体発光チップの製造において、得られる半導体発光チップにおける半導体発光素子の欠けを抑制する。
【解決手段】表面がサファイア単結晶のＣ面で構成された基板の表面に複数の半導体発光素子が形成された素子群形成基板に対して、基板表面側から、基板表面およびサファイア単結晶のＭ面に沿う第１方向に向かう割溝を基板表面に形成し（Ｓ１０３）、基板裏面側からレーザ光を照射することで、第１方向に向かう第１改質領域および基板表面に沿いかつ第１方向とは異なる第２方向に向かう第２改質領域を基板内部に形成し（Ｓ１０４、Ｓ１０５）、第１改質領域および第２改質領域を用いて素子群形成基板を分割し（Ｓ１０６）、半導体発光チップを得る。 （もっと読む）

【課題】放射パターンが良好で、高出力かつ小型化を図りつつ、出射面の間隔を大きく形成することができる発光装置を提供する。
【解決手段】第１利得領域１６０は垂線Ｐに対して一方側に傾いて第１面１３０と接続され、第２利得領域１７０は垂線Ｐに対して他方側に傾いて第１面１３０と接続され、第３利得領域１８０は第１利得領域１６０または第２利得領域１７０に沿って形成されている。第１利得領域１６０および第２利得領域１７０は、同じ傾きで第２面１３２と接続され、第１利得領域１６０の端面１９０と第２利得領域１７０の端面１９２とは、第１面１３０において重なり、第１利得領域１６０は第１の曲率を備えた第１利得部分１６２を有し、第２利得領域１７０は第２の曲率を備えた第２利得部分１７２を有し、第３利得領域１８０において共振する光は、第１利得領域１６０または第２利得領域１７０を導波する光に結合し第２面１３２から出射される。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成でファブリ・ペローモードのレーザ発振を抑制して発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０１の上方に形成された発光層（活性層１０４）と、発光層が発する光を出射する光出射端面１３０ａとを有する半導体層積層体を備える半導体発光素子であって、発光層が発する光を閉じ込め導波する光導波路１２４と、光導波路１２４の光出射端面側の端面である光導波路端面１２４ａと光出射端面１３０ａとの間の領域であって、光導波路端面１２４ａから光出射端面１３０ａまでにおいて光導波路１２４からの光を基板１０１の主面と水平方向には実質的に光を閉じ込めずに通過させる領域である分離領域１２７Ａとを備え、光導波路端面１２４ａは、光出射端面１３０ａに対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】成長基板をＬＬＯ法によって除去する際に、異物の活性層端部への付着を防止しつつ、得られた素子の強度の向上ができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子の製造方法は、半導体積層体のストリート部の幅以内に犠牲部を形成し、犠牲部とともにその周囲部分を除去するウェットエッチングを施し、ストリートにあるエッチング残存物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ）成長基板を準備する工程と、（ｂ）前記成長基板上に半導体層を形成する工程と、（ｃ）前記半導体層を複数の素子部に分割するとともに、各素子部間の半導体層の少なくとも一部を犠牲層として残す工程と、（ｄ）前記半導体層上に金属層を形成する工程と、（ｅ）前記半導体層に、前記金属層を介して支持基板を設ける工程と、（ｆ）前記成長基板に、前記素子部の全部を覆い、かつ前記犠牲層の外縁内に収まるようにレーザーを照射することにより、前記成長基板を前記半導体層から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の光出射部の間隔を大きくすることができ、発光装置がライトバルブの直下に配置された方式のプロジェクターに適用できる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００では、第１領域１６０と第２領域１６２とは、第１反射部１８１，１８３にて接続され、第１領域１６０と第３領域１６４とは、第２反射部１８２，１８５にて接続され、第２領域１６２と第３領域１６４とは、出射面となる第１層１０６の側面１３１に接続され、第１領域１６０は、第１領域１６０の長手方向が出射面１３１に対して平行になるように設けられ、第２領域１６２と第３領域１６４とは、同じ傾きで傾いて第１面１３１と接続され、第１領域１６０、第２領域１６２、および第３領域１６４の少なくとも１つと、第４領域１６６と、の間の距離は、エバネッセント結合が生じる距離であり、第４領域１６６は、共振器を構成する。 （もっと読む）