【課題】ＬＥＤランプの外部出力を増加させる、改良点を提供すること。
【解決手段】発光ダイオードであって、４毎センチメートル未満の吸収係数を有する透明な基板と、複数の活性放射層以外の層において５００毎センチメートル未満の吸収係数を有する複数のエピタキシャル層と、該複数のエピタキシャル層上のうちの少なくとも１つの上のオーム接触および金属被覆層であって、該オーム接触および該金属被覆層は、少なくとも約８０パーセントの透過率を有する、オーム接触および金属被覆層とを備えている、発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、水素ガスを含む不活性ガスからなる雰囲気ガス９中で作製し、次に棒状体を原料棒６として用いて浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】光の取出し効率および量産性に優れ、フリップチップボンディングを容易に行うことが可能な透明絶縁性基板を用いた半導体発光装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光装置は、表面側から裏面側に連通する第１切り欠き部（２０）を側面に有する透明絶縁性基板（１２）表面に第１半導体層（１４）、活性層（１６）および第１半導体層と反対の導電型である第２半導体層（１８）が設けられていて、第１半導体層上に設けられたｎ側コンタクト電極（２２）と透明絶縁性基板裏面に設けられた第１電極（３２）とが、第１切り欠き部に設けられた第１接続部（３０）を介して電気的に接続することで、第１半導体層と第１電極とが電気的に接続し、第２半導体層上には第２半導体層と電気的に接続するｐ側コンタクト電極（３４）と第２電極（３６）とが設けられている半導体発光装置である。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、発光色のばらつきが小さい発光を得ることが可能な発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、サファイアまたはＳｉＣからなり、裏面側に蛍光物質を含有しない領域（１０ａ）と表面側に蛍光物質を含有する領域（１０ｃ）とを有する基板（１０）と、基板（１０）の表面上に設けられ、蛍光物質を励起するための光を発光する窒化物半導体層（３０）と、を具備する発光素子およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れているとともに適切に製造することが可能である半導体発光素子を提供する。
【解決手段】支持基板１と、支持基板１に支持されたｐ−ＧａＮ層２と、支持基板１に対してｐ−ＧａＮ層２よりも離間した位置に配置されたｎ−ＧａＮ層４と、ｐ−ＧａＮ層２とｎ−ＧａＮ層４との間に配置された活性層３と、を備える半導体発光素子Ａであって、支持基板１は、その厚さｔ₁が２００μｍ以上、１０００μｍ以下である。 （もっと読む）