本発明による実施形態は、ワークピースの表面上方にプロセスガスを分配するためのシステム及び方法に関する。本発明の一実施形態によれば、プロセスガスは、供給源から、複数のオリフィスを画成するガス分配シャワーヘッドを通してワークピースの表面へ流される。又、ガス分配シャワーヘッドは、ウェハ表面上の材料を除去するための複数の排気オリフィスも特徴とする。シャワーヘッドの排気オリフィスにより与えられる補足的排気は、ウェハ表面を横切る半径方向の流れに起因するガス速度の変化を減少するように働き、これにより、ウェハの縁に生じる処理とウェハの中心に生じる処理との間の均一性を向上させる。分配アパーチャー面積と排気アパーチャー面積との比は、フェースプレートにわたって変化してもよいし、一定に保たれてもよい。更に、分配アパーチャー及び排気アパーチャーのサイズ及び数は、半導体ウェハ表面にわたるガス分布を最適にするように選択できる。 （もっと読む）

本発明は、キャリアに保持された基板又はウェーハを熱的に処理するための装置に関する。熱処理装置(230)は、気体を処理チャンバ(236)に選択可能に注入するための注入システム(250)を有する。注入システム(250)は、反応物及び他の気体の流れを各ウェーハ(242)の表面を横切るように差し向けるための複数の注入ポート又はオリフィス(252)が分配された１又は２以上の細長い注入管を含む。細長い注入管は、軸線の周りに３６０度回転可能である。
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本発明は、半導体製造に有用なガス分配装置を提供する。本ガス分配装置は、単一部材と、単一部材内に形成され、ガスをプロセス領域内へ均一に供給するためのガス分配網とを含む。ガス分配網は、単一部材の上面を通して上方に伸び、ガス源に接続される入口通路と、１つの接合点に集中し、この接合点において入口通路に接続されている複数の第１の通路と、複数の第１の通路に接続されている複数の第２の通路と、複数の第２の通路に接続され、ガスを処理領域内へ供給する複数の出口通路とによって形成されている。第１の通路は接合点から単一部材の周縁表面まで半径方向外向きに伸び、第２の通路は第１の通路と直角ではなく、第１の通路から周縁表面まで外向きに伸びている。出口通路は単一部材の下面を通って下方に伸び、ガスを前記処理領域内へ供給する。
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【課題】ウエハに形成される薄膜の特性が向上するとともに、特性のバラツキが抑制できる薄膜形成装置を得る。
【解決手段】反応室３にはウエハ５が設置された石英ボート４が配置されている。ガス導入孔８とガス排気孔９が石英チューブ２の内側の管にそれぞれ対向して配置されているので、反応室３内のガスの流れは、図中矢印７で示すように、ウエハ表面と平行な方向に面内均一に形成することができ、Ｓｉウエハ面内の特性バラツキを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】被処理物へのチャージングダメージを抑制しつつ、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施す。
【解決手段】下部電極２および上部電極３に高周波電力が供給されて、下部電極２および上部電極３間のプラズマによるエッチング処理が開始されてから第１次処理時間が経過すると、上部高周波電源６から出力される高周波電力の大きさがコントローラ７により制御されて、上部高周波電源６から上部電極３に印加される高周波電力の大きさが約２００Ｗから約３００Ｗに変更される。
【効果】エッチング処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布を均一に保つことができ、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができる。 （もっと読む）