【課題】 回路パターンの有無や形状によらず、テスト成膜１回のみで、且つテストウエハの枚数を２５枚程度以下で、ローディング効果を補正可能とする。
【解決手段】 少数枚の基板を処理室内に収容し、処理室内の一端側からメインノズルより第１ガスと第２ガスとを成膜工程と同じ流量で供給して他端側に向かって流し、少数枚の基板に対してテスト成膜することで少数枚の基板に形成された膜の膜厚値を入力する入力部と、テスト成膜時にメインノズルより供給する少なくとも第２ガスの流量値を入力する入力部と、成膜時に複数枚の基板に形成される膜の膜厚が基板配列方向で同等となるような各サブノズルより供給する第２ガスの流量値を算出する算出部と、算出された流量値を出力する出力部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法による基板処理工程を実施する際に、基板表面に供給される活性種やイオンの密度の面内均一性を向上させ、基板表面に供給される活性種やイオンの量を増加させる。
【解決手段】多段に積載された複数の基板を収納する処理室と、処理室内と連通するプラズマ発生室と、処理室内に第１の処理ガスを供給する第１処理ガス供給ラインと、処理室内に第２の処理ガスを供給する第２処理ガス供給ラインと、プラズマ発生室内に第３の処理ガスを供給する第３処理ガス供給ラインと、第３の処理ガスが供給された前記プラズマ発生室内に電子源プラズマを発生させるプラズマ発生装置と、プラズマ発生室内にて発生させた電子源プラズマから電子を抽出して処理室内の基板間の領域に照射する電子線供給装置と、処理室内を排気する排気ラインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】供給管内を高速で流れてきた原料ガスを、短い距離で均等に分配して反応室に導くことができ、また原料ガス流量が非常に多い場合であっても、ウエーハ上の原料ガスの流速分布を均一にすることができる薄膜の気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室のサセプタ上にウエーハを載置し、該ウエーハ上に薄膜を気相成長させる方法であって、少なくとも、原料ガスを、２つのラインに分岐し、その後該分岐させた原料ガスの各々を一旦２つに分岐させた後に合流させ、その後更に２つに分岐させて、原料ガスを前記反応室に供給しながら気相成長させることを特徴とする薄膜の気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】 連続成膜時間を長くできる、シャワーヘッド電極からガスを供給するプラズマＣＶＤ法による成膜方法を提供する。
【解決手段】基板６０を支持する保持電極３０とシャワーヘッド電極１４間に高周波電源１６から高周波を印加し、シャワーヘッド電極１４から第１のガスを基板６０に供給し、ガス供給管５０から基板６０の表面に第２のガスを供給し、基板６０の表面にプラズマＣＶＤ法により膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】薄膜中に均一に配置された微粒子を含む薄膜を形成することができる薄膜形成装置を得ること。
【解決手段】基板５を載置して加熱しながら保持する基板ホルダ６と、ガス供給部４７から基板５付近まで原料ガスを導くガス供給管４１ａ，４１ｂと、ガス供給管４１ａ，４１ｂから吹出されるガスからプラズマ４８ａ，４８ｂを生成するプラズマ源４６ａ，４６ｂとを有し、基板５に対してプラズマ処理するプラズマ処理室４ａ，４ｂと、微粒子供給部３４からの微粒子含有媒体を基板５表面に噴出する噴出口３１とを有し、基板５表面に微粒子を配置する微粒子噴出室３と、プラズマ処理室４ａ，４ｂからの原料ガスと、微粒子噴出室３からの微粒子含有媒体と、を収集する排気部８ａ，８ｂと、を備え、基板ホルダ６とプラズマ処理室４ａ，４ｂと微粒子噴出室３とを同一の容器２内に配置する。 （もっと読む）

【課題】無駄な待ち時間を減らしつつ、流量制御の精度を向上させることができる流体分流供給ユニットを提供すること。
【解決手段】マスフローメータ８の二次側に第１及び第２開閉弁１１Ａ，１１Ｂを接続する。第１及び第２開閉弁１１Ａ，１１Ｂの第１及び第２設定流量Ｑａ，Ｑｂを流量特性に照合して、動作周期ｔのうちで弁開するパルスＯＮ時間ａ’，ｂ’を決定する。そして、第１及び第２開閉弁１１Ａ，１１Ｂの動作周期ｔを一定にして、決定したパルスＯＮ時間に従って第１及び第２開閉弁１１Ａ，１１Ｂを開閉させて流量制御を行う。このとき、マスフローメータ８が測定するユニット総流量Ｑを平均したユニット平均流量Ｑｍと、第１及び第２設定流量Ｑａ，Ｑｂを合計した指令総流量Ｑａ＋Ｑｂとの偏差ＱＰをゼロにするように、パルスＯＮ時間ａ’，ｂ’を補正する。 （もっと読む）

【課題】基板保持部を高温に加熱して基板の被処理面に沿ってガスの流れを形成する際に，ガスの供給による基板保持部の上流側の温度低下を抑えて基板保持部の温度の均一性を向上させる。
【解決手段】一端側から他端側にガスの流れが形成される処理容器１０２と，そのガス流路の途中に設けられ，ウエハを保持する基板保持部１０８と，基板保持部を加熱してウエハを加熱する基板保持部加熱部１４０と，基板保持部よりも上流側に設けられた処理ガス供給ノズル２０６と，それよりもさらに上流側に設けられたキャリアガス供給ノズル２２６と，処理ガス供給ノズルよりも上流側において，ガス流路に供給されるキャリアガスを加熱するキャリアガス加熱部２４０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】 等方性酸化を複数枚の基板に対して実施する場合に、基板配置場所により水素濃度が異なり酸化膜厚が大きく変動するのを抑制し、高品質な半導体装置を製造する。
【解決手段】 反応管と、反応管内を加熱する加熱源と、反応管内で複数枚の基板を配列させて保持する保持具と、基板配列領域よりも上流側から反応管内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給ラインと、基板配列領域に対応する領域の複数箇所から反応管内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給ラインと、反応管内を排気する排気ラインと、反応管内を排気ラインを介して真空引きする真空ポンプと、反応管内の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する圧力制御部と、を有し、水素含有ガス供給ラインは長さの異なる複数本の独立したノズルを含み、複数本のノズルのそれぞれには、少なくとも２つ以上のガス噴出孔が設けられる。 （もっと読む）

【課題】所定の生産処理（ロット処理又はバッチ処理）間であって非稼働状態にある時間
に関わらず，基板処理の品質に差が生じることを防ぐことができる基板処理装置を提供す
る。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は，基板を処理するための第１のレシピを実行する
制御手段を備え、前記第１のレシピを実行して所定の基板処理を終了させてから、次の基板
処理で使用する基板が投入されない状態で所定時間達したら、前記基板が処理される処理室を
保守するための第２のレシピを実行する。 （もっと読む）

【課題】反応容器内の鉛直方向にある複数のウエハ相互間の熱処理均一性を向上させることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】各ガス導入部２３０には各ガス導入ポート１１を設け、各ガス導入ポート１１内にはエルボ管形状のガス導入ノズル１２の横部材を挿入し、縦部材はインナチューブ２０４の内壁に沿って延在させる。ガス導入ポート１１とガス導入ノズル１２とは継手部２０によって接続する。４個のガス導入ポート１１はガス導入ノズル１２の横部材の延在方向に対して筋違い方向で、隣り合う継手部２０の太さの一部が重なり合うように配置する。複数のガス導入ノズルを集中的に配置する。 （もっと読む）

【課題】低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に所定の特性を有するシリコン窒化膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスと窒化ガスとを用いて第１の温度で前記被処理体の表面にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程Ｓ１と、前記被処理体を前記第１の温度よりも高い第２の温度で窒化ガスの雰囲気下にてアニールして前記シリコン窒化膜を改質する改質工程Ｓ３とを行う。これにより、低温領域で成膜しても、その膜ストレスを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】一括して処理することの出来る基板の枚数を減らすことなく、隣接する基板間へのガスの供給を促進させることが出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】水平姿勢で多段に積層された基板１０を処理室４内に搬入する工程と、処理室４の内壁に沿うように基板１０の積層方向に延在された１本以上の処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂから処理室４内に処理ガスを供給するとともに、処理室４の内壁に沿うように基板１０の積層方向に延在されるとともに基板１０の周方向に沿って処理ガス供給ノズル２２ａ，ｂを両方から挟むように設けられた一対の不活性ガス供給ノズル２２ｃ，ｄから処理室内に不活性ガスを供給して基板１０を処理する工程と、処理後の基板を処理室から搬出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】原子層成長法で成膜した膜のウェハ面内での膜特性の部分的な低下を防ぐ。
【解決手段】原子層成長装置１００は、ウェハ２００の側方に、ウェハ２００の全面にわたるように配置され、一端１１０ａから他端１１０ｂの方向に原料ガスが供給される金属原料ガス供給管１１０と、ウェハ２００の側方に、ウェハ２００の全面にわたるように配置され、一端１２０ａから他端１２０ｂの方向に作用ガスが供給される作用ガス供給管１２０とを含む。作用ガス供給管１２０には、ウェハ２００上に作用させる作用ガスを噴射する複数のガス吹き出し孔１２２が設けられ、ガス吹き出し孔１２２は、作用ガス供給管１２０の一端１２０ａから他端１２０ｂにいくにつれて徐々に密になるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】
排気系配管内への反応物の堆積を抑制することのできる気相成長装置を提供する。
【解決手段】
気相成長装置は、内部の温度及び圧力を制御可能なチャンバと、前記チャンバ内において回転軸で支持され、成長基板を設置するためのサセプターと、前記サセプター上の成長基板に対して原料ガスを供給するガス供給手段と、前記サセプターと前記チャンバ内で対向し、又は前記サセプターを支持するステージと、前記ステージに設置され、前記ステージよりも大きい径サイズを有する構造体と、前記チャンバ内のガスの流れ方向から見て前記構造体の下流に設けられ、前記チャンバ内から排気ガスを搬出する排気手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】シール部材のメンテナンスサイクルの長期化を図り、シール部材からのパーティクル発生を減少させる。
【解決手段】チャンバー１０内でプラズマ処理が行われるＨＤＰ−ＣＶＤ装置１において、チャンバー１０を貫通しガスが導入されるガス導入穴４０と、ガス導入穴４０に挿入されガスがチャンバー１０内の所定位置に導かれるガスノズル２２と、ガスノズル２２に装着されチャンバー１０のガス導入穴４０とガスノズル２２の外周部とがシールされるＯリング４５と、を備え、ガスノズル２２にガス導入穴４０より外形の大きい遮蔽部３０が設けられ、遮蔽部３０がチャンバー１０内側からガス導入穴４０を覆って、遮蔽部３０とガス導入穴４０との間隙にプラズマが進入しないように配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の基板を一括的に処理し、優れたスループットを有しながらも、処理される各基板ごとに原子層蒸着工程を完璧に行うことができるバッチ型原子層蒸着装置に関するものである。
【解決手段】本発明のバッチ型原子層蒸着装置は、内部に真空を形成できるチャンバと、前記チャンバ内に位置し、多数の基板が一定の間隔で離隔して積層される基板載置台と、前記基板載置台を上下方向に移動させる基板移動手段と、前記基板載置台に積層されている基板に対して平行な方向に気体を連続的に噴射する気体噴射手段と、前記チャンバの内部のうち前記気体噴射手段と対向する一側に設けられ、前記気体噴射手段によって噴射された気体を吸入・排出する気体排出手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】処理表面の欠陥が少なく、かつ、均一な処理を行なうことが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】この発明に従った気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、ガス導入部（ガス供給口１３）と、整流板２０とを備える。ガス導入部は、処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向（矢印１１、１２に示す方向）に沿って複数形成されている。整流板２０は、処理室４の内部においてガス導入部を覆うように形成される。整流板２０は、ガス導入部から処理室の内部に供給されるパージガスを、反応ガスの流れる方向に沿った方向に流れるように案内する。整流板２０は、ガス導入部が形成された処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向に対して交差する方向である幅方向に延びるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明による化学気相蒸着装置は、ウェーハが搭載されるサセプタが備えられ上記ウェーハに対する化学気相蒸着が行われる反応炉を備える反応チャンバーと、上記反応炉の外側から上記反応炉の中心側に反応ガスが流動するように上記反応チャンバーの外部壁に備えられるガス流入部と、そして上記反応炉で反応が完了した反応ガスを上記反応チャンバーの上部または下部に排出するように上記反応チャンバーの中心部に備えられるガス排気部を含み、高温の蒸着膜の成長条件下で成長圧力を増加させる場合にもチャンバー内でガスの密度が実質的に均一になるようにすることができるという特徴がある。 （もっと読む）

本発明は、一般に、処理の間に縁部性能を制御するための方法および装置を提供する。本発明の一実施形態は、処理容積部を画定するチャンバ本体と、処理容積部に処理ガスを流すように構成されたガス注入口と、処理容積部に配置された支持ペデスタルとを備える装置を提供する。支持ペデスタルは、基板を裏面で受け取り支持するように構成された基板支持表面と、基板の外側縁部に沿って基板を囲むように構成された縁部表面とを有する上部プレートを含み、基板の上部表面と縁部表面との間の高度差が、処理ガスへの基板の縁部領域の暴露を制御するのに使用される。
（もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制することが可能な縦型化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室２と、反応室２に反応ガスを供給する反応ガス供給ノズル５ａ、５ｂとを具備してなり、反応ガス供給ノズル５ａ、５ｂが反応室２の側壁面に隣接して配置されてなる縦型化学気相成長装置１であって、反応室２の側壁面のうち反応ガス供給ノズル５ａ、５ｂに隣接する部分に、反応室２の外部に向けて膨出された膨出面１０ａが形成されるとともに、反応ガス供給ノズル５ａ、５ｂと膨出面１０ａとが離間され、かつ、反応ガス供給ノズル５ａ、５ｂによる反応ガスの放出方向が、反応室２の中央方向に向けられていることを特徴とする縦型化学気相成長装置１を採用する。 （もっと読む）