【課題】同時に複数の基板をローディング／アンローディングすることができる原子層蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数の基板をプロセスモジュールに移動するときに、複数の基板をローディング／アンローディング可能な原子層蒸着装置は、基板をローディングおよびアンローディングするローディング／アンローディングモジュール１０と、複数の基板を同時に収容して蒸着工程が実行される複数のプロセスチャンバ３１を備え、プロセスチャンバの内部の排気ガスを吸入して、プロセスチャンバの上部に排出させるように排気部が備えられたガス噴射ユニットが備えられるプロセスモジュール３０と、ローディング／アンローディングユニットとプロセスモジュールとの間に備えられ、基板を移送するが複数の基板を同時にパージして移送するトランスファーロボットを備えるトランスファーモジュール２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもｐ型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板１上にｐ型不純物原料ガスとしてＶ族の水素化物ガスを導入する。このようにして、基板１上にｐ型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】基板の撮像に基づく基板位置検出において検出誤差を低減することが可能な基板位置検出装置および基板位置検出方法、並びに基板位置検出装置を含む成膜装置を提供する。
【解決手段】位置検出対象である基板Ｗを撮像する撮像部１０４と、撮像部１０４と基板Ｗとの間に配置され、基板Ｗに対する撮像部１０４の視野を確保する第１の開口部１０６ａを有する光散乱性のパネル部材１０６と、パネル部材１０６に光を照射する第１の照明部１０８と、撮像部１０４により撮像された基板Ｗの画像から基板Ｗの位置を求める処理部１０４ａとを備える基板位置検出装置１００が提供される。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制できる気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェーハ表面に薄膜を気相成長させるための気相成長装置においてウェーハを支持するための気相成長用サセプタであって、該サセプタにはウェーハを収容可能なザグリ部が形成され、該ザグリ部の底面にはメッシュパターンの溝により頂上部分が平面である多数の凸部が形成されており、前記それぞれの凸部の間隔が０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であり、前記凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２以上、０．０３０６ｍｍ^２以下であることを特徴とする気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

半導体層を堆積する装置に関し、中心11に対して回転対称に配置されたプロセスチャンバ１、サセプタ2、プロセスチャンバ天井部3、鉛直方向に重なるガス入口室8,9,10を有するガス入口部品4、サセプタ2の下方のヒーター27を有し、最上部のガス入口室8はプロセスチャンバ天井部3に隣接し搬送ガスとともに水素化物をプロセスチャンバ1に供給するために供給ライン14に接続され、最下部のガス入口室10はサセプタ2に隣接し搬送ガスとともに水素化物を供給するために供給ライン16に接続され、中間のガス入口室9は有機金属化合物を供給するために供給ライン15に接続される。ガス入口室8,9,10はプロセスチャンバ1に向かって環状壁22,23,24により閉鎖され、環状壁22,23,24は互いに近接して配置された多数のガス出口開口25を具備し、均一な外径を有し、突出部分がない。
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【課題】ウィンドウ特性の向上とリテンション特性の向上とを同時に図ることのできる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１０上に、トンネル酸化膜１１１、チャージトラップ膜１１２、ブロッキング酸化膜１１３、ゲート電極１１４が、下側からこの順で形成された積層構造を有する半導体装置であって、ブロッキング酸化膜１１３が、チャージトラップ膜１１２側に設けられた結晶質膜１１３ａと、当該結晶質膜１１３ａの上層に設けられたアモルファス膜１１３ｂとを具備している。 （もっと読む）

薄膜材料の形成のための、蒸着システムおよびプロセス。一実施形態では、このプロセスは、第１の材料の流れから初期プラズマを形成すること、並びにそのプラズマを空間的および／または時間的に進化させて、薄膜材料の品質に悪影響を及ぼす化学種を消滅させることを含む。初期プラズマが最適状態に進化した後、第２の材料の流れが、蒸着チャンバー内に注入され、高品質の薄膜材料の形成をより助長する化学種の分布を含む、複合プラズマを形成する。この蒸着システムは、２つ以上の流れ（原材料またはキャリアガス）をプラズマ領域内に注入するための、複数の供給ポイントを有する蒸着チャンバーを含む。供給ポイントは、空間的に互い違いに配置され、第１の材料の流れの蒸着原材料から形成された上流のプラズマを、下流の材料の流れがそのプラズマと結合する前に、進化させる。異なる材料の流れの注入はまた、時間的に同期される。材料の流れの空間的協調および時間的同期の正味の効果は、薄膜光起電力材料の高い蒸着率での蒸着に、化学種の分布が最適化された、プラズマである。供給デバイスは、ノズルおよび遠隔プラズマ源を含む。 （もっと読む）

【課題】 発光素子や電子デバイスの基板として用いることができ危険な原料を使うＳｉをドーパントとすることなくｎ型の自立したＧａＮ基板を与えること。
【解決手段】原料ガスを精製し水や酸素を充分に除去してから所望の量の水あるいは酸素を、原料ガスの、ＨＣｌ、ＮＨ_３あるいは水素ガスに含ませて、ＨＶＰＥ法あるいはＭＯＣ法でＧａＡｓ基板の上にＧａＮをエピタキシャル成長させ、ＧａＡｓ基板を除去し自立膜を得る。酸素濃度に比例したｎ型キャリアをもつｎ型ＧａＮとなる。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて薄膜を形成するにあたり、メンテナンス性に優れた成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空容器の側壁の貫通孔から回転テーブルの回転中心に向かって水平に伸びるように下面に多数のガス吐出孔が形成されたノズルを回転テーブルの回転方向に互いに離れるように複数本設けると共に、この真空容器の天板を開閉自在に構成する。 （もっと読む）

【課題】副生成物の付着を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハを収容する処理室と、ウエハを加熱するヒータと、処理室の下部を形成するインレットフランジ１０と、インレットフランジ１０の第一ポート１２に設置されたガス供給管、棒状電極と、インレットフランジ１０の第二ポート１３に設置されたガス排気管と、を備えている基板処理装置において、インレットフランジ１０に金属成形ヒータ２０を設け、第一ポート１２および第二ポート１３にカートリッジヒータ３０を設ける。金属成形ヒータ２０およびカートリッジヒータ３０により、インレットフランジ１０、第一ポート１２周辺および第二ポート１３周辺を加熱することができるので、副生成物の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】インジェクター本体の長さ方向に均一な濃度のガスを供給することの可能なガスインジェクター及びこのガスインジェクターを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】ガスインジェクター３１のインジェクター本体は、ガス導入口を備えると共にガス流路を構成し、ガス流出孔は、インジェクター本体の壁部に、その長さ方向に沿って複数配列されており、案内部材は、前記インジェクター本体の外面との間に、その長さ方向に伸びるスリット状のガス吐出口を形成するように設けられると共に、前記ガス流出孔から流出したガスを前記ガス吐出口に案内する。 （もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】少なくとも１枚の基板を処理室内に搬入する基板搬入工程と、前記基板を加熱しながら第１の反応物質と酸素原子を含む第２の反応物質とを前記処理室内に交互に供給して前記基板上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記基板を前記処理室内から搬出する基板搬出工程と、備え、前記酸化膜形成工程では、基板温度が前記第１の反応物質の自己分解温度以下であり、前記第２の反応物質に紫外領域の光を照射することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】反応ガスのガス圧力が高い条件においても半導体や導電性などの抵抗値の低い被処理部材に対して均一に成膜等のプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を得ること。
【解決手段】第１電極および接地された第２電極との間隙にプラズマを発生させるプラズマ発生器と、第１電極に電力を印可する電源と、第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを供給するガス供給源と、を備え、電源により第１電極に電力を印加した状態で第１電極と第２電極との間隙に反応ガスを流通させることにより反応ガスをプラズマ化させたプラズマ流を、プラズマ流のプラズマ発生器からの噴出方向が被処理面と略垂直となるように配置された被処理部材に照射するプラズマ処理装置であって、第１電極と被処理面との間隙の最小間隙寸法が、プラズマ発生器においてプラズマ流を噴出する噴出部近傍における第１電極と第２電極との間隙の最小間隙寸法より大である。 （もっと読む）

【課題】 ノズル等のガス出力手段の内壁全体をクリーニングガスによってクリーニングすることができるようにする。
【解決手段】 基板に所定の処理を施す反応管と、反応管内に反応ガスを供給する複数のノズルと、複数のノズルとは別に設けられ、反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニング用ノズルと、ノズルの内部をクリーニングする場合に、複数のノズルのうち選択したノズルにクリーニングガスを供給し、選択していないノズルに不活性ガスを供給すると共に、反応管の内部をクリーニングする場合に、少なくともクリーニング用ノズルより反応管内にクリーニングガスを供給するように制御するコントローラと、を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ昇温時のオーバーシュートを抑制し、エピタキシャルウェーハの品質を改善させるエピタキシャルウェーハ製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、透明材料からなる反応容器と、反応容器内にシリコンウェーハを載置するために水平に支持された回転式のサセプタと、反応容器内に反応ガスを供給する気相成長用ガス導入管と、反応容器内から反応ガスを排気する排気管と、反応容器の外側の上方及び下方にそれぞれ複数の加熱ランプを設置した加熱装置と、加熱装置を制御する温度調整器と、温度調整器の温度センサーである熱電対を１つ備え、熱電対の測温部がサセプタ裏面の中央１箇所に設置され、熱電対で測定された温度を１つの温度調整器を用いて監視して温度制御するものであり、加熱装置の上方の加熱ランプと下方の加熱ランプの出力比を変更することができるものであることを特徴とするエピタキシャルウェーハ製造装置。 （もっと読む）

【課題】パージガスがシャワーヘッド内部を経由しないで、成長室に吐出されることにより、シャワーヘッドのカバープレート側の表面に原料ガスが付着することがなく、シャワーヘッド作製にかかる時間、手間、およびコストを低減し、かつメンテナンス性に優れた気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０とカバープレート３０との間には、パージガスが導入されるパージガス分配室３２ａが設けられ、パージガス分配室３２ａには、シャワーヘッド２０の複数の原料ガス流路２１ｂとカバープレート３０のプレート原料ガス流路３１ｂとを互いに連通する連通管３１ｄが設けられている。カバープレート３０のプレート原料ガス流路３１ｂを除く領域には、パージガス分配室３２ａのパージガスを成長室７に供給するプレートパージガス流路３２ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】ガス供給系の構造の簡素化、コスト削減を図ることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】各々基板載置領域を含む複数の下部材２と、これら下部材２に夫々対向して設けられ、前記基板載置領域との間に処理空間２０を形成する複数の上部材２２と、前記上部材２２及び下部材２の組により形成される複数の処理空間２０に対して共通化された処理ガス供給機構４と、この処理ガス供給機構４から共通のガス供給路を介して分岐された複数の分岐路３４と、前記共通のガス供給路の下流端に設けられ、当該ガス供給路の断面積よりも大きい断面積を有し、その下流側に前記複数の分岐路が接続された拡散室３３と、前記処理空間２０を真空排気するための真空排気手段６４と、を備えるように真空処理装置を構成することで、処理空間２０毎にガス供給機構４を設ける必要をなくし、ガス供給系の構造を簡素化し、装置の製造コストを抑えることができる。 （もっと読む）

基板（２０）上に化合物半導体を堆積させる方法が開示されている。この方法は、基板（２０）を収容している反応チャンバ（１０）内に、ガス状の反応物質（３０，３４）を導くことと、ガス状の反応物質（３０，３４）の一種を活性化させるには十分であるが、該反応物質を分解させるには不十分であるエネルギーを加えるために、該反応物質にエネルギー（３１ａ，３１ｂ）を選択的に供給することと、そして、該反応物質を他の反応物質と反応させるために、基板（２０）の表面において、該反応物質を分解させることとを含んでいる。好ましいエネルギー源（３１ａ，３１ｂ）は、マイクロ波放射線または赤外線放射線である。これらの方法を実行する反応装置（１０）も開示されている。
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【課題】プロセス所要時間を短縮することが可能な成膜装置と、この成膜装置を用いた成膜方法とを提供する。
【解決手段】開示する成膜装置は、減圧に排気され得る反応容器２０と、反応容器２０内に回転可能に設けられ、基板を保持する基板保持部２３と、基板保持部２３の外縁部から中央部へ向けて第１の反応ガスを流す第１の原料供給部２６と、基板保持部の外縁部から中央部へ向けて第２の反応ガスを流す第２の原料供給部２６と、第１及び第２の原料供給部２６の間に設けられ、基板保持部の外縁から中央へ向けてパージガスを流すパージガス供給部２６と、基板保持部２３の中央部に設けられ、第１の反応ガス、第２の反応ガス、及びパージガスを排気する排気部２７とを備える。 （もっと読む）

【課題】成膜する膜の組成及び基板サイズによらず、面内方向の組成等の膜特性を高度に均一化することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いた気相成長法により基板Ｂ上にターゲットＴの構成元素を含む膜を成膜するに際して、ターゲットＴの表面から基板Ｂ側に２〜３ｃｍ離れた位置のプラズマ空間のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）の基板Ｂの面内方向のばらつきを±１０Ｖ以内に調整して、成膜を行う。ターゲットＴの表面から基板２０側に２〜３ｃｍ離れた位置におけるガス圧力の基板Ｂの面内方向のばらつきを±１．５％以内に調整して、成膜を行うことが好ましい。 （もっと読む）