酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法および製造装置
【課題】意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもp型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】基板1上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板1上にp型不純物原料ガスとしてV族の水素化物ガスを導入する。このようにして、基板1上にp型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層2を結晶成長させる。
【解決手段】基板1上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板1上にp型不純物原料ガスとしてV族の水素化物ガスを導入する。このようにして、基板1上にp型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層2を結晶成長させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はV族元素のドーピングを行った酸化亜鉛(以下ZnO)系半導体、及び酸化亜鉛系半導体の製造方法並びに製造装置に関する。
【背景技術】
【0002】
ZnO結晶は、バンドギャップが約3.37eV程度の直接遷移型半導体であり、ホールと電子が固体内で結合した励起子の束縛エネルギーが60meVと大きく、室温でも安定に存在するため、安価で環境負荷も小さく、青色領域から紫外領域までの発光デバイスとして期待されている。
【0003】
ZnO結晶は、発光デバイス以外にも用途は広く、受光素子や圧電素子、トランジスタ、透明電極などの応用も期待されている。これらの用途に使用するには、量産性に優れた高品質のZnO結晶成長技術の確立が極めて重要であるとともに、半導体の伝導性を制御するドーピング技術も重要である。
【0004】
特にZnOのp型化はZnOデバイス開発の大きな障壁となっており、現在でも多くの機関がZnOのp型化に注力している。ZnO系半導体へのp型ドーピング材料は、酸素原子をV族元素に置き換える方法が多くの機関で検討されており、N(窒素), As(砒素)、P(リン)、Sb(アンチモン)等が候補に挙げられる。この中でもNはイオン半径が酸素と同程度であり、ZnOのp型ドーパント候補として有力である。
【0005】
通常ワイドギャップ半導体中のアクセプタレベルは深いものが多く、室温付近では活性化率が低いことが知られている。例えばZnOと同程度のバンドギャップを持つ窒化ガリウムの場合、p型ドーパントであるMgの室温での活性化率は数%と低く、通常、光デバイスで使用するキャリア濃度(1×1017cm−3を越える濃度が必要)を実現するために、1019台以上のMgがドーピングされている。
【0006】
ZnOへの窒素の高ドーピングはこれまで高温領域では困難と考えられてきた。例えば、特許文献1では窒素が多くドーピングできる300℃程度の低温で高濃度のNをドーピングしたZnO層を形成し、800℃程度の高温でアニール処理と低濃度Nドーピング層を形成するシーケンスを繰り返す方法が提案されている。この発明では基板をレーザーで加熱するパルスレーザ堆積(PLD:Pulsed Laser Deposition)法を採用しており、数分という短時間の内に急速昇温、降温が可能な方法であるが、サンプルの昇温、降温中にも酸化亜鉛を成長するステップが含まれており、特に自然冷却である降温中の温度制御を再現よく実行するのは困難である。
【0007】
上記のように、窒素のドーピング効率は、成長温度に強く依存するが、基板温度を下げると、結晶性が低下し、窒素が活性化しないので、p型ZnOの形成が非常に難しくなる。
【0008】
また、窒素ドーピングを行う高真空プロセス装置には、上記PLDの他に分子線エピタキシャル成長(MBE:Molecular Beam Epitaxy)装置もあるが、Nドーピング源にラジカルセルを用いたNプラズマを使用する場合が多い。このように、ラジカルセルを用いる装置では、ラジカル元素を増加させるために、プラズマパワーを上げると、セルの内壁がスパッタされ、内壁材料がZnO中にドーピングされてしまうという欠点がある。
【0009】
内壁材料がZnO中にドーピングされると、汚染源にもなることも多く、望みの組成、p型ドーピングを得るのが難しいだけでなく、意図しない不純物の導入によってイオン濃度の制御性を困難にするという問題があった。
【0010】
一方、高真空を必要としないZnO系半導体の製造方法として、III−V族半導体の結晶成長に広く用いられている有機金属気相堆積成長(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法がある。しかしながら、上述したMOCVD法では、亜鉛の蒸気圧の問題により、成長基板上でZnO系半導体の成長に寄与できる亜鉛の割合が小さく、亜鉛を含む材料の効率が低いといった問題がある。
【0011】
またDMZn(ジメチル亜鉛)やDEZn(ジエチル亜鉛)などの有機金属と酸素材料の反応性が高く、通常のIII−V族半導体用MOCVDで採用されている数100 Torr程度の圧力での成長では、基板にガスが到達する前に気相中で有機金属と酸素材料が反応しやすく(過早反応)、原料吹き出し口部のつまりやパーティクルの原因となる。
【0012】
また、亜鉛を含む有機金属材料ガスを分解させた際に生じる炭化水素基によってZnO系半導体中に炭素が混入するため、炭素を含まないZnO系半導体の成長が難しいといった問題がある。
【0013】
そこで、我々は、ZnO系半導体の結晶成長について、過早反応を防ぎ、高温領域でも成長駆動力を落とさずに低不純物濃度の高品質のZnO膜を形成するために、II族材料としてハロゲン化II族金属を用いたハライド気相成長(HVPE:Halide Vapor Phase Epitaxy)法を適用し、Zn源にハロゲン化物を使用したハロゲン化物HVPE法を特願2008−171610で既に提案した。
【特許文献1】特開2005−223219号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
ところで、HVPE法は、大気圧または大気圧に近い状態で成長を行っているので、HVPE法で、p型不純物としてV族元素の窒素ドーピングを適用したい場合は、MBEやPLDで用いるようなプラズマは使えない。また、N2ガスの状態で用いると、N同士の3重結合が強く、1000℃程度の成長温度では窒素ドーピングガスとして働かない。他方、窒素源としては、N2OやNO2ガス等プラズマレスでも窒素源になりうるガスは存在する。
【0015】
しかし、HVPE法では、H2Oガスとハロゲン化物を用いて平衡定数の小さい系で成長を実施する事で基板に原料ガスが到着する前に反応が起きてしまう過早反応を防いでおり、そこにN2OやNO2ガス等の酸化力を持つガスを導入する事は、過早反応を起こしパーティクルの発生、原料効率の悪化を招きかねない。
【0016】
一方、他のV族元素である、As、P、Sbは、室温で固体であり、単体を出発原料とした気相成長法のドーピングには向いていない。
【0017】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもp型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0018】
上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、基板又は半導体層上に、亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入する工程と、前記基板又は半導体層上にp型不純物原料ガスとしてV族の水素化物ガスを導入する工程とを備え、前記基板又は半導体層上にp型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層を結晶成長させることを特徴とする酸化亜鉛系半導体の製造方法である。
【0019】
また、請求項2記載の発明は、前記V族の水素化物ガスはNH3、AsH3、またはPH3のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法である。
【0020】
また、請求項3記載の発明は、前記酸素含有ガスはH2Oからなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法である。
【0021】
また、請求項4記載の発明は、前記ハロゲン化II族金属ガスは、亜鉛の他にマグネシウムを含んでいることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法である。
【0022】
また、請求項5記載の発明は、前記V族の水素化物ガスの分圧と亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスの分圧との比(V/II比)が小さくなるにしたがって、前記酸化亜鉛系半導体層がプラス成長できる成長温度範囲の高温側の限界温度が大きくなっていくことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずか1項に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法である。
【0023】
また、請求項6記載の発明は、前記p型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層は、酸化亜鉛系半導体多層膜であって、該酸化亜鉛系半導体多層膜を構成する各酸化亜鉛系膜は、プラス成長できる成長温度範囲内で成長温度を変えて形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法である。
【0024】
また、請求項7記載の発明は、請求項1〜請求項6のいずれかの酸化亜鉛系半導体の製造方法により作製されたことを特徴とする酸化亜鉛系半導体である。
【0025】
また、請求項8記載の発明は、亜鉛の金属単体を含むII族金属材料が保持される原料ゾーンと、前記原料ゾーンにハロゲンガスを供給するハロゲンガス供給手段と、酸素を含む酸素材料を供給する酸素材料供給手段と、p型不純物を不純物添加するためのV族の水素化物ガスを供給する水素化物ガス供給手段と、前記V族の水素化物ガスと前記II族金属材料から生成されたハロゲン化II族金属ガスと前記酸素材料とを反応させる成長ゾーンとを備え、前記水素化物ガス供給手段に接続されたガス供給管が前記成長ゾーン内まで伸びて配置され、該ガス供給管のガス供給口が前記基板又は半導体の上方に配置されていることを特徴とする酸化亜鉛系半導体の製造装置である。
【0026】
また、請求項9記載の発明は、前記ガス供給管は、非金属で構成されていることを特徴とする請求項8記載の酸化亜鉛系半導体の製造装置である。
【発明の効果】
【0027】
基板又は半導体層上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入する工程に加えて、p型不純物原料ガスとしてV族の水素化物ガスを導入する工程を備えているので、過早反応を防ぐことができるとともに、高成長温度でも十分にp型不純物をドーピングできる。また、高成長温度にすることで、ZnO系半導体の結晶品質も良くすることができる。また、プラズマを使用していないので、意図しない不純物の混入を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0028】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【0029】
以下の説明において、「ZnO系半導体」とはII族元素Znを含有するII族酸化物半導体を意味する。
【0030】
基板1を準備する工程を示す模式的断面構造は、図1(a)に示すように表される。ハロゲン化物気相成長によるp型ZnO系半導体層2の形成工程を示す模式的断面構造は、図1(b)に示すように表される。
【0031】
まず、図1(a)に示すように、基板1として、例えば、表面が+c面(0001)を有するZnO基板を準備する。結晶面は、c軸がm軸方向<1−100>に、例えば約0.5度微傾斜した面を備える。
【0032】
次に、図1(b)に示すように、ZnO基板1を700℃〜1000℃程度の高温に加熱し、HVPE法により、ZnO基板1上に、p型不純物(アクセプタ元素)がドープされたZnO系半導体層2を形成する。具体的には、ZnO基板1上に亜鉛が含有されたハロゲン化物ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、かつ、p型不純物原料ガスとなるV族(窒素族)の水素化物ガスも導入する。このようにして、ZnO基板1上にp型ZnO系半導体層2を結晶成長させる。例えば、p型不純物を窒素とする場合はp型不純物原料ガスにアンモニア(NH3)を用いる。また、反応ガスには塩化亜鉛(ZnCl2)と水(H2O)を用いて、ハロゲン化物気相成長を行う。なお、V族の水素化物ガスには、他に、V族元素であるAs、P等の水素化物ガスとなるAsH3またはPH3等を用いることができる。
【0033】
結晶成長条件としては、ZnCl2の分圧PZnCl2を、例えば、約1×10−4atm以下程度、VI族元素である酸素を含有するガスとII族元素であるZnを含有するハロゲン化物ガスとの供給比(分圧比)であるVI/II比を、例えば、約100以下程度とし、結晶成長温度Tgを、例えば、約1000℃程度、結晶成長時間を、例えば、約1〜6時間程度とする。ここで、例えば、ZnCl2の分圧PZnCl2=1×10−4atmとした場合、VI/II比を100とすると、H2Oの分圧PH2O=10−2atmとなる。
【0034】
VI族元素である酸素とII族元素であるZnとの供給比であるVI/II比の値としては、例えば、1以上〜約100以下程度であることが望ましい。
【0035】
一方、p型不純物原料ガスとなるV族の水素化物ガスにNH3を用いた場合、NH3ガスはMBEやCVDでの窒化物成長に用いられているように、プラズマ化しなくても、より良い窒素源になることが知られている。従来の方法では、例えば、p型不純物として窒素をZnO系半導体にドーピングする際に、N2をプラズマ化して供給していた。従来の方法で、最も問題なのは、窒素ドープ量は成長温度に強く依存し、成長温度をさげなければ(300℃程度)、窒素が多くドープされないことであった。成長温度を下げると、ZnOの結晶性が低下し、窒素が活性化しない。したがって、結晶品質の良いp型ZnOの形成が非常に難しかった。
【0036】
しかしながら、我々は、p型不純物原料ガスをV族元素の水素化物ガスとし、Znを含むハロゲン化物ガスと反応させることで、成長温度を高くしても、十分な窒素をドーピングできることを見出した。さらに、従来、アンドープZnO等で結晶性が低下する成長温度領域であっても、上記HVPE法でp型不純物ドープのZnOを成長させると、結晶性が向上することが確認できた。以下に図面を参照しつつ説明する。
【0037】
ZnO基板上に、アンドープZnO層をHVPE法により、成長温度が800℃〜900℃の範囲で結晶成長させた場合の表面AFM(原子間力顕微鏡)画像を図4に示す。図4に示されるように六角錘形状のピットが発生する。
【0038】
一方、図3は本発明の窒素ドープZnO層サンプルの代表的な表面AFM像である。具体的には、ZnO基板1上にハロゲン化物ガスとしてZnCl2を、酸素含有ガスとしてH2Oを、p型不純物原料ガスとなるV族の水素化物ガスとしてNH3を用いた。そして、ZnO基板1上にp型ZnO系半導体層2を結晶成長させた。ハロゲン化物気相成長の成長温度を800℃、ZnCl2分圧を2.2×10−5atm、H2O分圧を4.4×10−4atm、NH3分圧を4.4×10−4atmとした。図3からわかるように、NH3を流すことによりステップバンチングが起こり、ピットが消失している。つまり、ZnO基板上に成長させたアンドープZnO層にピットが発生する成長温度であっても、窒素ドープZnO層にすれば結晶性が改善し、使用可能になる。
【0039】
次に、NH3ガスは気相成長におけるプラズマレスの窒素源として効果的であり、窒素ドープ量を増やすためには、通常、NH3ガス流量を増加すること、すなわちNH3分圧を増加させれば良いと考えられている。しかし、一方で以下のような不都合が発生する。NH3ガスは水素を含んでいるために、NH3の一部が下式のように分解して発生する水素がZnOの成長駆動力を落とす。これは、水素がZnOを還元するためである。
NH3→(N2/2)+(3H2/2)
【0040】
図5(a)は、熱力学的解析結果に基づくVI族の酸素を含有するH2Oと、II族のZnのハロゲン化物ガスZnCl2との分圧比(供給比)であるVI/II比を変化させた場合の結晶成長駆動力と成長温度との関係を示す。縦軸が結晶成長駆動力(atm)を、横軸が成長温度(℃)を示す。ZnCl2分圧は、2.2×10−5 atmとした。また、V族の水素化物ガスであるNH3とII族のZnのハロゲン化物ガスZnCl2との分圧比であるV/II比は20とした。基板上におけるNH3の分解率は3%とした。図5(a)からわかるように、VI/IIの値が小さくなるほど、すなわちH2Oの供給量が少なくなるほど、成長駆動力が落ちていく。また、成長温度が大きくなるほど、成長駆動力が減少することがわかる。
【0041】
一方、図5(b)は、図5(a)のうち、VI/II比が1000と10の大きく異なる2本の曲線を取り出して、破線で拡大表示したものである。また、図5(a)から取り出した上記2本の曲線は、V/II比はいずれも20であるが、これをNH3の流量を0にして、V/II比を0とした場合の曲線を、NH3フロー無しとして実線で示している。実線の曲線からわかるように、NH3フローが無い場合は、成長温度を上昇させても結晶成長駆動力が落ちない。しかしながら、NH3フローがある場合には、VI/II比が低い方が、成長温度がかなり低いところでも、早々に駆動力の減少が見られる。図5(b)から、NH3を流すことにより、VI/II比がどのような値でも、成長温度が上昇していくと、駆動力が減少する領域が現われることがわかる。
【0042】
上記のように、NH3の分解率を仮定すれば、熱力学解析からある成長温度、原料分圧における成長の可否を判断する事は可能であり、図5から窒素ドープZnO層を成長させる条件を予め予測することは可能である。一方、以下に示すように、実験結果からも、一定のNH3分圧下で成長温度を高くしていくと成長駆動力が落ち、また逆にエッチングが起こることがわかった。
【0043】
図6は、V族の水素化物ガスであるNH3ガスの分圧によって、実際にどのように結晶成長駆動力が変化するのかを示す。ハロゲン化物気相成長における、II族のZnのハロゲン化物ガスZnCl2の分圧を2.2×10−5atm、VI族の酸素を含有するH2Oの分圧を4.4×10−4atmとした。また、NH3分圧は、4.4×10−3atm、4.4×10−4atm、4.4×10−5atmと変化させた。成長温度は、700℃、800℃、900℃、1000℃と変化させた。図6の縦軸はZnO結晶の成長速度(μm/h)を、横軸は成長温度(℃)を示す。
【0044】
成長速度が0よりも大きい範囲(正の範囲)がプラス成長を示し、成長速度が0よりも小さい範囲(負の範囲)がマイナス成長、すなわちエッチングされていることを示す。NH3分圧が大きくなるほど、成長温度が低いところから、早々にエッチングが始まっていることがわかる。
【0045】
図6のデータをわかりやすくまとめたのが図7である。図6の3種類のNH3ガスの分圧の曲線に関し、成長温度が700℃、800℃、900℃、1000℃の各測定点について、プラス成長しているのか、エッチング(マイナス成長)となっているのかを示したものである。プラス成長には○を、マイナス成長(エッチング)には×を記してわかりやすくしている。
【0046】
図6、7のように、NH3分圧が大きくなるほど、エッチング開始の成長温度が低下していく。しかし、特許文献1に示されるように、成長温度上昇に伴い、窒素濃度が減少するという結果とは逆の現象があることを本発明者らは発見した。これを以下に示す。
【0047】
図8は、HVPE法で、ZnCl2分圧を2.2×10−5atm、H2O分圧を4.4×10−4atm、NH3分圧を4.4×10−5atmとし、成長温度を700℃〜900℃の間で変化させ、ZnO基板上に結晶成長させた窒素ドープZnO層の2次イオン質量分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)測定による窒素(N)濃度の深さ方向分析結果を示す。横軸は、窒素ドープZnO層表面からの深さ(μm)を示し、縦軸はN(窒素)濃度(cm−3)を示す。
【0048】
図7からわかるように、NH3分圧を4.4×10−5atmとした場合、700℃〜900℃の成長温度では、プラス成長が行われている。プラス成長が行われている状態で、成長温度の最も高い900℃で窒素ドープZnO層中のN濃度が最も高くなっており、800℃、700℃と成長温度が下がるにしたがって、N濃度も順に少なくなっている。このように、本発明の方法で窒素ドープZnO系半導体を作製すると、特許文献1に示される従来法で現われる成長温度上昇に伴い窒素濃度が減少するという、負の温度相関とは逆の正の温度相関があることがわかる。
【0049】
本発明の方法において、NH3分圧を一定した状態では、高温成長の方が、窒素ドープ濃度が高くなるとともに、窒素の活性化が行われやすくなるので、p型化には非常に好ましい。また、図3に見られるように、窒素ドープによる結晶性向上の効果があるが、高温成長を行うことにより、さらに結晶性向上が期待できる。
【0050】
また、NH3分圧が高い方がZnOに対する還元効果が強くなるため、NH3分圧が高くなるとZnOに対する還元効果がより低温側で現われる。しかし、NH3分圧を減少させると、より高温側で成長させることができ、窒素ドープ濃度の向上、結晶性の向上、窒素活性化の向上等に加えて、ZnOに対する還元効果を低下させることができるので、非常に好ましい。
【0051】
次に、図9は、ZnO基板上に成長させた窒素ドープZnO層の2次イオン質量分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)測定によるN(窒素)、H(水素)の深さ方向の濃度を示す。窒素ドープZnO層は、HVPE法により、成長温度が800℃、ZnCl2分圧が2.2×10−5atm、H2O分圧が4.4×10−4atm、NH3分圧が4.4×10−4atmで形成した。横軸は、窒素ドープZnO層表面からの深さ(μm)を示し、縦軸はN(窒素)又はH(水素)の濃度(cm−3)を示す。ZnO基板中にはバックグラウンドレベルのNが入っているが、NH3分圧下で成長させた窒素ドープZnO層中には1×1020atms/cm−3を超える濃度のNが入っている。
【0052】
図7を参照すると、NH3分圧が4.4×10−4atmのプラス成長の高温側の限界温度は800℃である。このように、所定のNH3分圧下におけるプラス成長の高温側の限界温度にすることにより、窒素ドープZnO系半導体中に高い窒素濃度を得ることができる。
【0053】
図6〜図9を考察すると、以下の傾向が導き出される。本発明の製造方法による窒素ドープZnO系半導体は、プラスの結晶成長が行われる温度範囲TW内で作製される。プラスの結晶成長が行われる温度範囲TWの高温側の限界温度Thと、V/II比Aとは逆の関係にある。すなわち、V/II比Aが大きくなるほどに、限界温度Thは低くなる。逆に、V/II比Aが小さくなるほどに、限界温度Thは高くなる。また、一定のV/II比の下では、プラスの結晶成長が行われる温度範囲TW内において、成長温度が高くなるほど、窒素ドープ濃度は大きくなる。
【0054】
また、p型不純物がドープされたZnO系半導体層を多層膜からなる積層体として、各膜中の窒素濃度を異なるように制御したい場合には、以下のようにすれば良い。V/II比を一定にした状態で、プラス成長の温度範囲TW内における第1の窒素ドープZnO系薄膜の成長温度をT1とする。次に、プラス成長の温度範囲TW内で作製される第2の窒素ドープZnO膜の成長温度をT2(T1≠T2)とする。このように、成長温度を順次変えていけば、窒素濃度が異なる多層膜を形成することができる。さらに、第1の窒素ドープZnO系薄膜の成長温度T1から、第Nの窒素ドープZnO系薄膜の成長温度TNまでの各成長温度を順に上げていくか、順に下げていくかにより、p型不純物濃度(窒素)が傾斜を持つ多層膜を構成することができる。
【0055】
本発明のZnO系半導体の製造方法に用いる製造装置の模式的構成を、図2に示す。図2に示すように、p型不純物ドープのZnO半導体を形成するために、塩素ガス供給手段17と、水分ガス供給手段11と、アンモニアガス供給手段15と、原料ゾーン19と、ガス供給管12、16、18a、18bと、加熱手段33と、成長ゾーン30と、加熱手段31と、基板保持手段32等を備えている。水分ガス供給手段11、塩素ガス供給手段17、アンモニアガス供給手段15は、図示されているように、キャリアガスとしてN2(窒素ガス)が混合されている。原料ゾーン19には、II族の亜鉛の金属単体からなる金属材料20が保持されている。
【0056】
ZnO系半導体の製造装置には、他の原料ゾーンを構成に加えることも可能である。例えば、MgZnO半導体の結晶成長をさせる場合には、図に示すように、塩素ガス供給手段21と、原料ゾーン23と、ガス供給管22a、22b等の構成が加わる。この原料ゾーンにマグネシウムの金属単体を含むII族の金属材料24が保持される。
【0057】
また、n型ZnO系半導体層を作製するために、図のように、n型不純物原料ガス供給手段13を加えることも可能である。n型不純物原料ガス供給手段13は、GaやAlのハロゲン化物を用いることができ、例えば、図のように、GaCl3とすることができる。n型不純物原料ガス供給手段13にも、キャリアガス(輸送ガス)としてN2(窒素ガス)が混合されている。
【0058】
原料ゾーン19は、内部に配置された亜鉛と、塩素ガス供給手段17からガス供給管18aを通して供給される塩素ガスとを反応させて塩化亜鉛ガスを生成し、ガス供給管18bを通して成長ゾーン30に塩化亜鉛ガスを供給するゾーンである。
【0059】
成長ゾーン30は、ガス供給管18bで繋がれた原料ゾーン19から供給される塩化亜鉛ガスと、酸素材料として水分ガス供給手段11からガス供給管12を通して供給される水(水蒸気)とを反応させて、基板保持手段32上に保持された成長用の基板1上にZnO系半導体を成長させるゾーンである。なお、基板保持手段32上に保持されるのは、成長基板ではなく、半導体の場合もある。例えば、基板上にn型ZnO系半導体層が形成された積層体が保持されている場合もある。
【0060】
なお、各ガス供給手段と成長ゾーン30と原料ゾーン19、23とを相互に繋ぐガス供給管12、14、16、18a、18b、22a、22bのすべては、石英により構成されている。このように、ガス供給管に非金属である石英を用い、ZnO系半導体の金属材料にZnを含むハロゲン化物を用いるために、V族の水素化物であるNH3分解の触媒として働く金属が基板保持手段32上の基板又は半導体周辺に存在しない。
【0061】
加熱手段33は、原料ゾーン19、23、ガス供給管12、14、16、18a、18b、22a、22b等を加熱するためのものである。加熱手段31は、成長ゾーン30を加熱するためのものである。これらの加熱手段31、33によって、ZnO系半導体の製造装置はホットウォール方式を実現している。なお、加熱手段33は、原料ゾーン19、23、各ガス供給経路に対して個別に配置されていてもよい。
【0062】
次に、上述した酸化亜鉛系半導体の製造装置による酸化亜鉛系半導体の製造方法について説明する。
【0063】
まず、塩素ガス供給手段17から塩素ガス及び窒素ガスが、原料ゾーン19にガス供給管18aを通して供給される。そして、原料ゾーン19では、保持されている亜鉛の金属単体からなるII族金属材料20と供給された塩素ガスとによって、以下の反応式による反応が起こり、塩化亜鉛ガスが生成される。
【0064】
Zn(s,l)+Cl2(g) ⇔ ZnCl2(g)
ここで、原料ゾーン20に保持される亜鉛の金属単体は、純度の高いものが好ましく、例えば、99.99999%以上のものがよい。なお、反応式における(s)、(l)、(g)はそれぞれ、固体、液体、気体を示す。
【0065】
原料ゾーン19は、上記反応式における反応をほとんど右辺へと進行させて、塩化亜鉛ガスの流量を塩素ガスの供給量によって制御できるよう、亜鉛の金属単体からなるII族金属材料20の表面積を大きくした構造及び適切な温度となっている。なお、このような適切な温度としては、約300℃〜約450℃程度が望ましい。また、原料ゾーン19の温度は、金属の中でも非常に蒸気圧の高い、亜鉛ガスが成長ゾーン30へと輸送されることを抑制するために、約500℃以下に設定されている。そして、上述の反応式によって生成された塩化亜鉛ガスは、供給管18bを介して成長ゾーン30に輸送される。
【0066】
一方、水分ガス供給手段11から供給される水(水蒸気)が、ガス供給管12を通して、酸素材料として成長ゾーン30に輸送される。また、アンモニアガス供給手段15からガス供給管16を通して供給されるアンモニアガスが、p型不純物となる窒素材料として成長ゾーン30に輸送される。
【0067】
そして、成長ゾーン30では、輸送された塩化亜鉛ガスと水とによって、以下に示す反応式の反応が右辺に進行することにより、ZnO半導体の薄膜が基板1上に成長する。
【0068】
ZnCl2(g)+H2O(g) ⇔ ZnO(s)+2HCl(g) ・・・(1)
このとき、同時に、基板保持手段32上に保持されている基板1又は半導体上に輸送されてきているNH3と反応して、ZnOの酸素原子の一部が窒素に置き換わることにより、窒素ドープZnO半導体層が形成される。
【0069】
ここで、図2に示すように、ガス供給管12、14、16は、成長ゾーン30の内側まで形成されており、各ガス供給口12a、14a,16aは、基板1又は半導体の直上に配置されるように構成されている。ところで、V族の水素化物ガスの一種であるアンモニアガスは、熱力学解析からは400℃程度でも窒素と水素に分解が起こりうるが、分解が起こりN2とH2になってしまうと、p型不純物ドープの際の窒素源として働かない。しかし、NH3ガスはMBEでの窒化物成長に用いられているように、プラズマ化しなくても、より良いN源になることが知られている。これは、金属のような触媒が存在しない環境では1000℃という高温でも、ほとんどのガスが基板表面まで分解せずに供給できるためである。なお、NH3ガスから生成したH2ガスは下記の式でZnOを分解する。
ZnO(s)+H2(g) ⇔ Zn(g)+H2O(g) ・・・(2)
成長ゾーンのH2分圧が高くなるか又は成長温度が高くなると、(2)式の反応が右辺側に進行し、ZnOの成長が阻害される。
【0070】
本発明の製造装置では、少なくともアンモニアガスを輸送するガス供給管16の材料に非金属である石英を用い、ガス供給管16は成長ゾーン30内を横切り、ガス供給口16aは基板1の直上に設けられている。このため、アンモニアガスは基板1上に到達するまで金属と接触しないので分解されることがなく、基板直上の反応に寄与することができるので、十分な窒素ドープ濃度を得ることができる。
【0071】
一方、結晶成長用の金属材料にZnを含むハロゲン化物を用い、酸素含有ガスを輸送するガス供給管12のガス供給口12aは、基板1の直上に設けられているので、Znを含むハロゲン化物と酸素含有ガスとは基板1直上で反応する。このため、非常に効率良くZn材料を基板上に供給することができる。
【0072】
ここで、成長ゾーン30の温度は、塩化亜鉛ガスが成長ゾーン30までの途中の経路で析出しないように、原料ゾーン19、23の温度よりも高温に設定される。具体的には、成長ゾーン30の温度は約700℃〜約1000℃程度に設定される。
【0073】
また、原料ゾーン19、23の設定温度を成長ゾーン30の成長温度よりも低くすることによって、原料ゾーン19、23で生成された塩化亜鉛ガス、塩化マグネシウムガスが成長ゾーン30まで輸送されるまでの間に析出することを抑制できる。
【0074】
また、酸素材料として酸素単体ではなく水を採用することによって、成長ゾーン30の基板1上では、塩素ガスではなく塩酸ガスが生成されるので、熱力学的により安定した状態でZnO薄膜を形成することができる。
【0075】
V族の水素化物ガスとして、NH3の替わりに、例えば、AsH3、PH3のいずれかを用いることができる。また、ハロゲンガスとして、塩素ガスの代わりに臭素ガスを採用してもよい。また、II族金属材料の種類は2種類だけではなく、3種類以上のII族金属材料を用いてもよい。
【0076】
ZnO系半導体層を結晶成長する工程において、反応ガスには、マグネシウム含有ガスを含んでいてもよい。また、マグネシウム含有ガスの分圧は、例えば、約1×10-4 気圧以下程度である。
【0077】
亜鉛および/またはマグネシウムのハロゲン化物は、1000℃程度の温度では、亜鉛および/またはマグネシウムと塩素ガスに分解せず、ZnO基板上で亜鉛および/またはマグネシウムのハロゲン化物と酸素材料と直接反応が起こる。
【0078】
亜鉛および/またはマグネシウムのハロゲン化物と酸素材料は、主な有機金属と酸素材料程、過早反応が起こらないため、ZnO基板上にパーティクルが発生することもなく、かつ高温領域の原料効率もMOCVD法よりも高い。
【0079】
酸素原料と亜鉛および/またはマグネシウムのハロゲン化物のモル供給比(VI/II比)は、重要な成長パラメータである。既出願の特願2008−171610でも説明したように、VI/II比を100以下にすることで、ハロゲン化物原料の基板表面上のマイグレーションを促進するとともに、結晶成長の異常部(ピットや突起物)などの発生を抑える効果がある。また、VI/II比が小さい場合には結晶成長の速度が遅くなってしまうので、VI/II比は例えば1以上とするとよい。
【0080】
例えば、ZnCl2分圧が2.2×10−5atm、VI/II=20の場合、0.5μm/h程度の成長速度が得られる。この0.5μm/h程度という値は、化合物半導体の薄膜形成速度として許容できる成長速度であり、ZnO系半導体膜の形成方法として十分に使用できる方法である。
【0081】
次に、上記酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を用いて形成された半導体素子の模式的断面構造例を図10に示す。図10に示すように、ZnO基板40と、ZnO基板40上に配置され、n型不純物がドープされたn型ZnO系半導体層42と、n型ZnO系半導体層42上に配置されたZnO系半導体活性層44と、ZnO系半導体活性層44上に配置され、p型不純物がドープされたp型ZnO系半導体層46とを備える。
【0082】
n型ZnO系半導体層42、ZnO系半導体活性層44およびp型ZnO系半導体層46は、いずれも上述の酸化亜鉛系半導体の製造装置及び上述のハロゲン化II族金属と酸素原料を用いる製造方法により形成される。
【0083】
p型ZnO系半導体層46上には、p側電極48が配置され、導電性のZnO基板40の裏面には、n側電極50が配置されている。p側電極48の材料としては、例えば、Ni層およびAu層の積層構造を採用することができる。また、n側電極50の材料としては、例えば、Ti層およびAu層の積層構造を採用することができる。
【0084】
n型不純物としては、例えば、B,Ga,Al,In,またはTlのいずれかを適用することができる。
【0085】
また、p型不純物としては、V族元素を用いることができ、例えば、N,P,As等のいずれかを適用することができる。
【0086】
ZnO系半導体活性層44は、例えば、MgxZn1-xO(0<x<1)からなるバリア層と、ZnOからなる井戸層が積層された多重量子井戸(MQW:Multi-Quantum Well)構造を備えている。
【0087】
また、ZnO系半導体活性層44は、CdyZn1-yO(0<y<1)からなる井戸層と、ZnOからなるバリア層が積層されたMQW構造を備えていてもよい。
【0088】
量子井戸のペア数は、電子、およびホールの走行距離から決まる。すなわち、電子、およびホールの再結合発光効率が、最も良好となるZnO系半導体活性層44の所定の厚さに対応したMQWのペア数により決定する。
【0089】
ここで、ZnOのバンドギャップエネルギー3.37eVに対して、MgOのバンドギャップエネルギーは、7.8eVであることから、MgxZn1-xOの組成比xを調整して、MgxZn1-xOからなるバリア層と、ZnOからなる井戸層が積層されたMQW構造を形成することができる。
【0090】
一方、ZnOのバンドギャップエネルギー3.37eVに対して、CdOのバンドギャップエネルギーは、0.8eVであることから、CdyZn1-yOの組成比y調整して、CdyZn1-yOからなる井戸層と、ZnOからなるバリア層が積層されたMQW構造を形成することができる。
【0091】
なお、上記の半導体装置からの発光(hν)は、図10に示すように、上面方向から取り出すことができる。
【0092】
図10のZnO系半導体素子のp型ZnO系半導体層46は、単層とせずに、図11のように多層膜とすることもできる。図11では、p型ZnO系半導体層46は、p型ZnO系半導体膜461、p型ZnO系半導体膜462、・・・・、p型ZnO系半導体膜46(n−1)、p型ZnO系半導体膜46n、で構成されている。ここで、nは1以上の整数である。p型ZnO系半導体膜461〜p型ZnO系半導体膜46nまでは、p型不純物であるV族元素が一定の濃度でドーピングされていても良いが、異なるようにドーピングすることもできる。
【0093】
図6〜図9の説明のところで述べたように、V族の水素化物ガスの分圧と亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスの分圧との比であるV/II比を一定にし、p型ZnO系半導体膜のプラスの結晶成長の温度範囲内で、成長温度を各半導体膜毎に順次変えていけば、p型不純物であるV族元素の濃度が異なる多層膜を形成することができる。また、成長温度をp型ZnO系半導体膜461から順に上げるか、又は下げていけば、p型不純物濃度の傾斜を持つp型ZnO系半導体層46を構成することができる。
【産業上の利用可能性】
【0094】
本発明の酸化亜鉛系半導体の製造法及び製造装置は、青色領域から紫外領域までのLEDまたはレーザダイオード(LD:Laser Dioide)などの発光デバイス、受光素子や圧電素子、HEMT(High Electron Mobility Transistor)、HBT(Hetero-junction Bipolar Transistor)、透明電極など幅広い分野に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【0095】
【図1】本発明の酸化亜鉛系半導体の製造方法に係るZnO基板を準備する工程を示す模式的断面構造図(a)と、ハロゲン化物気相成長によるZnO系半導体層の形成工程を示す模式的断面構造図(b)である。
【図2】本発明の酸化亜鉛系半導体の製造方法を適用する製造装置の模式的構成例を示す図である。
【図3】本発明の酸化亜鉛系半導体の製造方法により形成された窒素ドープZnO系半導体層表面の20μm四方のAFM画像を示す図である。
【図4】HVPE法により形成されたアンドープZnO系半導体層表面の20μm四方のAFM画像を示す図である。
【図5】VI/II比を変化させた場合の熱力学解析による結晶成長駆動力と成長温度との関係及びアンモニアガス供給がない場合との比較を示す図である。
【図6】アンモニアガス分圧毎の窒素ドープZnO層の成長速度と成長温度との関係を示す図である。
【図7】図6のデータに基づき窒素ドープZnO層が成長しているか、エッチングとなっているかを分類した図である。
【図8】窒素ドープZnOの窒素濃度が成長温度によって変化することを示す図である。
【図9】本発明の酸化亜鉛系半導体の製造方法によって作製された窒素ドープZnO層の代表例における2次イオン質量分析測定結果を示す。
【図10】本発明の酸化亜鉛系半導体の製造方法によって作製されたZnO系半導体素子の構造例を示す図である。
【図11】図10のZnO系半導体素子で、p型ZnO系半導体層を多層膜にした構成例を示す図である。
【符号の説明】
【0096】
1 基板
2 p型ZnO系半導体層
11 水分ガス供給手段
13 n型不純物原料ガス供給手段
15 p型不純物原料ガス供給手段
19、23 原料ゾーン
20、24 II族金属材料
30 成長ゾーン
31、33 加熱手段
32 基板保持手段
17、21 塩素ガス供給手段
12、14、16 ガス供給管
12a、14a、16a ガス供給口
18a、18b ガス供給管
22a、22b ガス供給管
【技術分野】
【0001】
本発明はV族元素のドーピングを行った酸化亜鉛(以下ZnO)系半導体、及び酸化亜鉛系半導体の製造方法並びに製造装置に関する。
【背景技術】
【0002】
ZnO結晶は、バンドギャップが約3.37eV程度の直接遷移型半導体であり、ホールと電子が固体内で結合した励起子の束縛エネルギーが60meVと大きく、室温でも安定に存在するため、安価で環境負荷も小さく、青色領域から紫外領域までの発光デバイスとして期待されている。
【0003】
ZnO結晶は、発光デバイス以外にも用途は広く、受光素子や圧電素子、トランジスタ、透明電極などの応用も期待されている。これらの用途に使用するには、量産性に優れた高品質のZnO結晶成長技術の確立が極めて重要であるとともに、半導体の伝導性を制御するドーピング技術も重要である。
【0004】
特にZnOのp型化はZnOデバイス開発の大きな障壁となっており、現在でも多くの機関がZnOのp型化に注力している。ZnO系半導体へのp型ドーピング材料は、酸素原子をV族元素に置き換える方法が多くの機関で検討されており、N(窒素), As(砒素)、P(リン)、Sb(アンチモン)等が候補に挙げられる。この中でもNはイオン半径が酸素と同程度であり、ZnOのp型ドーパント候補として有力である。
【0005】
通常ワイドギャップ半導体中のアクセプタレベルは深いものが多く、室温付近では活性化率が低いことが知られている。例えばZnOと同程度のバンドギャップを持つ窒化ガリウムの場合、p型ドーパントであるMgの室温での活性化率は数%と低く、通常、光デバイスで使用するキャリア濃度(1×1017cm−3を越える濃度が必要)を実現するために、1019台以上のMgがドーピングされている。
【0006】
ZnOへの窒素の高ドーピングはこれまで高温領域では困難と考えられてきた。例えば、特許文献1では窒素が多くドーピングできる300℃程度の低温で高濃度のNをドーピングしたZnO層を形成し、800℃程度の高温でアニール処理と低濃度Nドーピング層を形成するシーケンスを繰り返す方法が提案されている。この発明では基板をレーザーで加熱するパルスレーザ堆積(PLD:Pulsed Laser Deposition)法を採用しており、数分という短時間の内に急速昇温、降温が可能な方法であるが、サンプルの昇温、降温中にも酸化亜鉛を成長するステップが含まれており、特に自然冷却である降温中の温度制御を再現よく実行するのは困難である。
【0007】
上記のように、窒素のドーピング効率は、成長温度に強く依存するが、基板温度を下げると、結晶性が低下し、窒素が活性化しないので、p型ZnOの形成が非常に難しくなる。
【0008】
また、窒素ドーピングを行う高真空プロセス装置には、上記PLDの他に分子線エピタキシャル成長(MBE:Molecular Beam Epitaxy)装置もあるが、Nドーピング源にラジカルセルを用いたNプラズマを使用する場合が多い。このように、ラジカルセルを用いる装置では、ラジカル元素を増加させるために、プラズマパワーを上げると、セルの内壁がスパッタされ、内壁材料がZnO中にドーピングされてしまうという欠点がある。
【0009】
内壁材料がZnO中にドーピングされると、汚染源にもなることも多く、望みの組成、p型ドーピングを得るのが難しいだけでなく、意図しない不純物の導入によってイオン濃度の制御性を困難にするという問題があった。
【0010】
一方、高真空を必要としないZnO系半導体の製造方法として、III−V族半導体の結晶成長に広く用いられている有機金属気相堆積成長(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法がある。しかしながら、上述したMOCVD法では、亜鉛の蒸気圧の問題により、成長基板上でZnO系半導体の成長に寄与できる亜鉛の割合が小さく、亜鉛を含む材料の効率が低いといった問題がある。
【0011】
またDMZn(ジメチル亜鉛)やDEZn(ジエチル亜鉛)などの有機金属と酸素材料の反応性が高く、通常のIII−V族半導体用MOCVDで採用されている数100 Torr程度の圧力での成長では、基板にガスが到達する前に気相中で有機金属と酸素材料が反応しやすく(過早反応)、原料吹き出し口部のつまりやパーティクルの原因となる。
【0012】
また、亜鉛を含む有機金属材料ガスを分解させた際に生じる炭化水素基によってZnO系半導体中に炭素が混入するため、炭素を含まないZnO系半導体の成長が難しいといった問題がある。
【0013】
そこで、我々は、ZnO系半導体の結晶成長について、過早反応を防ぎ、高温領域でも成長駆動力を落とさずに低不純物濃度の高品質のZnO膜を形成するために、II族材料としてハロゲン化II族金属を用いたハライド気相成長(HVPE:Halide Vapor Phase Epitaxy)法を適用し、Zn源にハロゲン化物を使用したハロゲン化物HVPE法を特願2008−171610で既に提案した。
【特許文献1】特開2005−223219号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
ところで、HVPE法は、大気圧または大気圧に近い状態で成長を行っているので、HVPE法で、p型不純物としてV族元素の窒素ドーピングを適用したい場合は、MBEやPLDで用いるようなプラズマは使えない。また、N2ガスの状態で用いると、N同士の3重結合が強く、1000℃程度の成長温度では窒素ドーピングガスとして働かない。他方、窒素源としては、N2OやNO2ガス等プラズマレスでも窒素源になりうるガスは存在する。
【0015】
しかし、HVPE法では、H2Oガスとハロゲン化物を用いて平衡定数の小さい系で成長を実施する事で基板に原料ガスが到着する前に反応が起きてしまう過早反応を防いでおり、そこにN2OやNO2ガス等の酸化力を持つガスを導入する事は、過早反応を起こしパーティクルの発生、原料効率の悪化を招きかねない。
【0016】
一方、他のV族元素である、As、P、Sbは、室温で固体であり、単体を出発原料とした気相成長法のドーピングには向いていない。
【0017】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもp型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0018】
上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、基板又は半導体層上に、亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入する工程と、前記基板又は半導体層上にp型不純物原料ガスとしてV族の水素化物ガスを導入する工程とを備え、前記基板又は半導体層上にp型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層を結晶成長させることを特徴とする酸化亜鉛系半導体の製造方法である。
【0019】
また、請求項2記載の発明は、前記V族の水素化物ガスはNH3、AsH3、またはPH3のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法である。
【0020】
また、請求項3記載の発明は、前記酸素含有ガスはH2Oからなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法である。
【0021】
また、請求項4記載の発明は、前記ハロゲン化II族金属ガスは、亜鉛の他にマグネシウムを含んでいることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法である。
【0022】
また、請求項5記載の発明は、前記V族の水素化物ガスの分圧と亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスの分圧との比(V/II比)が小さくなるにしたがって、前記酸化亜鉛系半導体層がプラス成長できる成長温度範囲の高温側の限界温度が大きくなっていくことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずか1項に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法である。
【0023】
また、請求項6記載の発明は、前記p型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層は、酸化亜鉛系半導体多層膜であって、該酸化亜鉛系半導体多層膜を構成する各酸化亜鉛系膜は、プラス成長できる成長温度範囲内で成長温度を変えて形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法である。
【0024】
また、請求項7記載の発明は、請求項1〜請求項6のいずれかの酸化亜鉛系半導体の製造方法により作製されたことを特徴とする酸化亜鉛系半導体である。
【0025】
また、請求項8記載の発明は、亜鉛の金属単体を含むII族金属材料が保持される原料ゾーンと、前記原料ゾーンにハロゲンガスを供給するハロゲンガス供給手段と、酸素を含む酸素材料を供給する酸素材料供給手段と、p型不純物を不純物添加するためのV族の水素化物ガスを供給する水素化物ガス供給手段と、前記V族の水素化物ガスと前記II族金属材料から生成されたハロゲン化II族金属ガスと前記酸素材料とを反応させる成長ゾーンとを備え、前記水素化物ガス供給手段に接続されたガス供給管が前記成長ゾーン内まで伸びて配置され、該ガス供給管のガス供給口が前記基板又は半導体の上方に配置されていることを特徴とする酸化亜鉛系半導体の製造装置である。
【0026】
また、請求項9記載の発明は、前記ガス供給管は、非金属で構成されていることを特徴とする請求項8記載の酸化亜鉛系半導体の製造装置である。
【発明の効果】
【0027】
基板又は半導体層上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入する工程に加えて、p型不純物原料ガスとしてV族の水素化物ガスを導入する工程を備えているので、過早反応を防ぐことができるとともに、高成長温度でも十分にp型不純物をドーピングできる。また、高成長温度にすることで、ZnO系半導体の結晶品質も良くすることができる。また、プラズマを使用していないので、意図しない不純物の混入を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0028】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【0029】
以下の説明において、「ZnO系半導体」とはII族元素Znを含有するII族酸化物半導体を意味する。
【0030】
基板1を準備する工程を示す模式的断面構造は、図1(a)に示すように表される。ハロゲン化物気相成長によるp型ZnO系半導体層2の形成工程を示す模式的断面構造は、図1(b)に示すように表される。
【0031】
まず、図1(a)に示すように、基板1として、例えば、表面が+c面(0001)を有するZnO基板を準備する。結晶面は、c軸がm軸方向<1−100>に、例えば約0.5度微傾斜した面を備える。
【0032】
次に、図1(b)に示すように、ZnO基板1を700℃〜1000℃程度の高温に加熱し、HVPE法により、ZnO基板1上に、p型不純物(アクセプタ元素)がドープされたZnO系半導体層2を形成する。具体的には、ZnO基板1上に亜鉛が含有されたハロゲン化物ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、かつ、p型不純物原料ガスとなるV族(窒素族)の水素化物ガスも導入する。このようにして、ZnO基板1上にp型ZnO系半導体層2を結晶成長させる。例えば、p型不純物を窒素とする場合はp型不純物原料ガスにアンモニア(NH3)を用いる。また、反応ガスには塩化亜鉛(ZnCl2)と水(H2O)を用いて、ハロゲン化物気相成長を行う。なお、V族の水素化物ガスには、他に、V族元素であるAs、P等の水素化物ガスとなるAsH3またはPH3等を用いることができる。
【0033】
結晶成長条件としては、ZnCl2の分圧PZnCl2を、例えば、約1×10−4atm以下程度、VI族元素である酸素を含有するガスとII族元素であるZnを含有するハロゲン化物ガスとの供給比(分圧比)であるVI/II比を、例えば、約100以下程度とし、結晶成長温度Tgを、例えば、約1000℃程度、結晶成長時間を、例えば、約1〜6時間程度とする。ここで、例えば、ZnCl2の分圧PZnCl2=1×10−4atmとした場合、VI/II比を100とすると、H2Oの分圧PH2O=10−2atmとなる。
【0034】
VI族元素である酸素とII族元素であるZnとの供給比であるVI/II比の値としては、例えば、1以上〜約100以下程度であることが望ましい。
【0035】
一方、p型不純物原料ガスとなるV族の水素化物ガスにNH3を用いた場合、NH3ガスはMBEやCVDでの窒化物成長に用いられているように、プラズマ化しなくても、より良い窒素源になることが知られている。従来の方法では、例えば、p型不純物として窒素をZnO系半導体にドーピングする際に、N2をプラズマ化して供給していた。従来の方法で、最も問題なのは、窒素ドープ量は成長温度に強く依存し、成長温度をさげなければ(300℃程度)、窒素が多くドープされないことであった。成長温度を下げると、ZnOの結晶性が低下し、窒素が活性化しない。したがって、結晶品質の良いp型ZnOの形成が非常に難しかった。
【0036】
しかしながら、我々は、p型不純物原料ガスをV族元素の水素化物ガスとし、Znを含むハロゲン化物ガスと反応させることで、成長温度を高くしても、十分な窒素をドーピングできることを見出した。さらに、従来、アンドープZnO等で結晶性が低下する成長温度領域であっても、上記HVPE法でp型不純物ドープのZnOを成長させると、結晶性が向上することが確認できた。以下に図面を参照しつつ説明する。
【0037】
ZnO基板上に、アンドープZnO層をHVPE法により、成長温度が800℃〜900℃の範囲で結晶成長させた場合の表面AFM(原子間力顕微鏡)画像を図4に示す。図4に示されるように六角錘形状のピットが発生する。
【0038】
一方、図3は本発明の窒素ドープZnO層サンプルの代表的な表面AFM像である。具体的には、ZnO基板1上にハロゲン化物ガスとしてZnCl2を、酸素含有ガスとしてH2Oを、p型不純物原料ガスとなるV族の水素化物ガスとしてNH3を用いた。そして、ZnO基板1上にp型ZnO系半導体層2を結晶成長させた。ハロゲン化物気相成長の成長温度を800℃、ZnCl2分圧を2.2×10−5atm、H2O分圧を4.4×10−4atm、NH3分圧を4.4×10−4atmとした。図3からわかるように、NH3を流すことによりステップバンチングが起こり、ピットが消失している。つまり、ZnO基板上に成長させたアンドープZnO層にピットが発生する成長温度であっても、窒素ドープZnO層にすれば結晶性が改善し、使用可能になる。
【0039】
次に、NH3ガスは気相成長におけるプラズマレスの窒素源として効果的であり、窒素ドープ量を増やすためには、通常、NH3ガス流量を増加すること、すなわちNH3分圧を増加させれば良いと考えられている。しかし、一方で以下のような不都合が発生する。NH3ガスは水素を含んでいるために、NH3の一部が下式のように分解して発生する水素がZnOの成長駆動力を落とす。これは、水素がZnOを還元するためである。
NH3→(N2/2)+(3H2/2)
【0040】
図5(a)は、熱力学的解析結果に基づくVI族の酸素を含有するH2Oと、II族のZnのハロゲン化物ガスZnCl2との分圧比(供給比)であるVI/II比を変化させた場合の結晶成長駆動力と成長温度との関係を示す。縦軸が結晶成長駆動力(atm)を、横軸が成長温度(℃)を示す。ZnCl2分圧は、2.2×10−5 atmとした。また、V族の水素化物ガスであるNH3とII族のZnのハロゲン化物ガスZnCl2との分圧比であるV/II比は20とした。基板上におけるNH3の分解率は3%とした。図5(a)からわかるように、VI/IIの値が小さくなるほど、すなわちH2Oの供給量が少なくなるほど、成長駆動力が落ちていく。また、成長温度が大きくなるほど、成長駆動力が減少することがわかる。
【0041】
一方、図5(b)は、図5(a)のうち、VI/II比が1000と10の大きく異なる2本の曲線を取り出して、破線で拡大表示したものである。また、図5(a)から取り出した上記2本の曲線は、V/II比はいずれも20であるが、これをNH3の流量を0にして、V/II比を0とした場合の曲線を、NH3フロー無しとして実線で示している。実線の曲線からわかるように、NH3フローが無い場合は、成長温度を上昇させても結晶成長駆動力が落ちない。しかしながら、NH3フローがある場合には、VI/II比が低い方が、成長温度がかなり低いところでも、早々に駆動力の減少が見られる。図5(b)から、NH3を流すことにより、VI/II比がどのような値でも、成長温度が上昇していくと、駆動力が減少する領域が現われることがわかる。
【0042】
上記のように、NH3の分解率を仮定すれば、熱力学解析からある成長温度、原料分圧における成長の可否を判断する事は可能であり、図5から窒素ドープZnO層を成長させる条件を予め予測することは可能である。一方、以下に示すように、実験結果からも、一定のNH3分圧下で成長温度を高くしていくと成長駆動力が落ち、また逆にエッチングが起こることがわかった。
【0043】
図6は、V族の水素化物ガスであるNH3ガスの分圧によって、実際にどのように結晶成長駆動力が変化するのかを示す。ハロゲン化物気相成長における、II族のZnのハロゲン化物ガスZnCl2の分圧を2.2×10−5atm、VI族の酸素を含有するH2Oの分圧を4.4×10−4atmとした。また、NH3分圧は、4.4×10−3atm、4.4×10−4atm、4.4×10−5atmと変化させた。成長温度は、700℃、800℃、900℃、1000℃と変化させた。図6の縦軸はZnO結晶の成長速度(μm/h)を、横軸は成長温度(℃)を示す。
【0044】
成長速度が0よりも大きい範囲(正の範囲)がプラス成長を示し、成長速度が0よりも小さい範囲(負の範囲)がマイナス成長、すなわちエッチングされていることを示す。NH3分圧が大きくなるほど、成長温度が低いところから、早々にエッチングが始まっていることがわかる。
【0045】
図6のデータをわかりやすくまとめたのが図7である。図6の3種類のNH3ガスの分圧の曲線に関し、成長温度が700℃、800℃、900℃、1000℃の各測定点について、プラス成長しているのか、エッチング(マイナス成長)となっているのかを示したものである。プラス成長には○を、マイナス成長(エッチング)には×を記してわかりやすくしている。
【0046】
図6、7のように、NH3分圧が大きくなるほど、エッチング開始の成長温度が低下していく。しかし、特許文献1に示されるように、成長温度上昇に伴い、窒素濃度が減少するという結果とは逆の現象があることを本発明者らは発見した。これを以下に示す。
【0047】
図8は、HVPE法で、ZnCl2分圧を2.2×10−5atm、H2O分圧を4.4×10−4atm、NH3分圧を4.4×10−5atmとし、成長温度を700℃〜900℃の間で変化させ、ZnO基板上に結晶成長させた窒素ドープZnO層の2次イオン質量分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)測定による窒素(N)濃度の深さ方向分析結果を示す。横軸は、窒素ドープZnO層表面からの深さ(μm)を示し、縦軸はN(窒素)濃度(cm−3)を示す。
【0048】
図7からわかるように、NH3分圧を4.4×10−5atmとした場合、700℃〜900℃の成長温度では、プラス成長が行われている。プラス成長が行われている状態で、成長温度の最も高い900℃で窒素ドープZnO層中のN濃度が最も高くなっており、800℃、700℃と成長温度が下がるにしたがって、N濃度も順に少なくなっている。このように、本発明の方法で窒素ドープZnO系半導体を作製すると、特許文献1に示される従来法で現われる成長温度上昇に伴い窒素濃度が減少するという、負の温度相関とは逆の正の温度相関があることがわかる。
【0049】
本発明の方法において、NH3分圧を一定した状態では、高温成長の方が、窒素ドープ濃度が高くなるとともに、窒素の活性化が行われやすくなるので、p型化には非常に好ましい。また、図3に見られるように、窒素ドープによる結晶性向上の効果があるが、高温成長を行うことにより、さらに結晶性向上が期待できる。
【0050】
また、NH3分圧が高い方がZnOに対する還元効果が強くなるため、NH3分圧が高くなるとZnOに対する還元効果がより低温側で現われる。しかし、NH3分圧を減少させると、より高温側で成長させることができ、窒素ドープ濃度の向上、結晶性の向上、窒素活性化の向上等に加えて、ZnOに対する還元効果を低下させることができるので、非常に好ましい。
【0051】
次に、図9は、ZnO基板上に成長させた窒素ドープZnO層の2次イオン質量分析(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)測定によるN(窒素)、H(水素)の深さ方向の濃度を示す。窒素ドープZnO層は、HVPE法により、成長温度が800℃、ZnCl2分圧が2.2×10−5atm、H2O分圧が4.4×10−4atm、NH3分圧が4.4×10−4atmで形成した。横軸は、窒素ドープZnO層表面からの深さ(μm)を示し、縦軸はN(窒素)又はH(水素)の濃度(cm−3)を示す。ZnO基板中にはバックグラウンドレベルのNが入っているが、NH3分圧下で成長させた窒素ドープZnO層中には1×1020atms/cm−3を超える濃度のNが入っている。
【0052】
図7を参照すると、NH3分圧が4.4×10−4atmのプラス成長の高温側の限界温度は800℃である。このように、所定のNH3分圧下におけるプラス成長の高温側の限界温度にすることにより、窒素ドープZnO系半導体中に高い窒素濃度を得ることができる。
【0053】
図6〜図9を考察すると、以下の傾向が導き出される。本発明の製造方法による窒素ドープZnO系半導体は、プラスの結晶成長が行われる温度範囲TW内で作製される。プラスの結晶成長が行われる温度範囲TWの高温側の限界温度Thと、V/II比Aとは逆の関係にある。すなわち、V/II比Aが大きくなるほどに、限界温度Thは低くなる。逆に、V/II比Aが小さくなるほどに、限界温度Thは高くなる。また、一定のV/II比の下では、プラスの結晶成長が行われる温度範囲TW内において、成長温度が高くなるほど、窒素ドープ濃度は大きくなる。
【0054】
また、p型不純物がドープされたZnO系半導体層を多層膜からなる積層体として、各膜中の窒素濃度を異なるように制御したい場合には、以下のようにすれば良い。V/II比を一定にした状態で、プラス成長の温度範囲TW内における第1の窒素ドープZnO系薄膜の成長温度をT1とする。次に、プラス成長の温度範囲TW内で作製される第2の窒素ドープZnO膜の成長温度をT2(T1≠T2)とする。このように、成長温度を順次変えていけば、窒素濃度が異なる多層膜を形成することができる。さらに、第1の窒素ドープZnO系薄膜の成長温度T1から、第Nの窒素ドープZnO系薄膜の成長温度TNまでの各成長温度を順に上げていくか、順に下げていくかにより、p型不純物濃度(窒素)が傾斜を持つ多層膜を構成することができる。
【0055】
本発明のZnO系半導体の製造方法に用いる製造装置の模式的構成を、図2に示す。図2に示すように、p型不純物ドープのZnO半導体を形成するために、塩素ガス供給手段17と、水分ガス供給手段11と、アンモニアガス供給手段15と、原料ゾーン19と、ガス供給管12、16、18a、18bと、加熱手段33と、成長ゾーン30と、加熱手段31と、基板保持手段32等を備えている。水分ガス供給手段11、塩素ガス供給手段17、アンモニアガス供給手段15は、図示されているように、キャリアガスとしてN2(窒素ガス)が混合されている。原料ゾーン19には、II族の亜鉛の金属単体からなる金属材料20が保持されている。
【0056】
ZnO系半導体の製造装置には、他の原料ゾーンを構成に加えることも可能である。例えば、MgZnO半導体の結晶成長をさせる場合には、図に示すように、塩素ガス供給手段21と、原料ゾーン23と、ガス供給管22a、22b等の構成が加わる。この原料ゾーンにマグネシウムの金属単体を含むII族の金属材料24が保持される。
【0057】
また、n型ZnO系半導体層を作製するために、図のように、n型不純物原料ガス供給手段13を加えることも可能である。n型不純物原料ガス供給手段13は、GaやAlのハロゲン化物を用いることができ、例えば、図のように、GaCl3とすることができる。n型不純物原料ガス供給手段13にも、キャリアガス(輸送ガス)としてN2(窒素ガス)が混合されている。
【0058】
原料ゾーン19は、内部に配置された亜鉛と、塩素ガス供給手段17からガス供給管18aを通して供給される塩素ガスとを反応させて塩化亜鉛ガスを生成し、ガス供給管18bを通して成長ゾーン30に塩化亜鉛ガスを供給するゾーンである。
【0059】
成長ゾーン30は、ガス供給管18bで繋がれた原料ゾーン19から供給される塩化亜鉛ガスと、酸素材料として水分ガス供給手段11からガス供給管12を通して供給される水(水蒸気)とを反応させて、基板保持手段32上に保持された成長用の基板1上にZnO系半導体を成長させるゾーンである。なお、基板保持手段32上に保持されるのは、成長基板ではなく、半導体の場合もある。例えば、基板上にn型ZnO系半導体層が形成された積層体が保持されている場合もある。
【0060】
なお、各ガス供給手段と成長ゾーン30と原料ゾーン19、23とを相互に繋ぐガス供給管12、14、16、18a、18b、22a、22bのすべては、石英により構成されている。このように、ガス供給管に非金属である石英を用い、ZnO系半導体の金属材料にZnを含むハロゲン化物を用いるために、V族の水素化物であるNH3分解の触媒として働く金属が基板保持手段32上の基板又は半導体周辺に存在しない。
【0061】
加熱手段33は、原料ゾーン19、23、ガス供給管12、14、16、18a、18b、22a、22b等を加熱するためのものである。加熱手段31は、成長ゾーン30を加熱するためのものである。これらの加熱手段31、33によって、ZnO系半導体の製造装置はホットウォール方式を実現している。なお、加熱手段33は、原料ゾーン19、23、各ガス供給経路に対して個別に配置されていてもよい。
【0062】
次に、上述した酸化亜鉛系半導体の製造装置による酸化亜鉛系半導体の製造方法について説明する。
【0063】
まず、塩素ガス供給手段17から塩素ガス及び窒素ガスが、原料ゾーン19にガス供給管18aを通して供給される。そして、原料ゾーン19では、保持されている亜鉛の金属単体からなるII族金属材料20と供給された塩素ガスとによって、以下の反応式による反応が起こり、塩化亜鉛ガスが生成される。
【0064】
Zn(s,l)+Cl2(g) ⇔ ZnCl2(g)
ここで、原料ゾーン20に保持される亜鉛の金属単体は、純度の高いものが好ましく、例えば、99.99999%以上のものがよい。なお、反応式における(s)、(l)、(g)はそれぞれ、固体、液体、気体を示す。
【0065】
原料ゾーン19は、上記反応式における反応をほとんど右辺へと進行させて、塩化亜鉛ガスの流量を塩素ガスの供給量によって制御できるよう、亜鉛の金属単体からなるII族金属材料20の表面積を大きくした構造及び適切な温度となっている。なお、このような適切な温度としては、約300℃〜約450℃程度が望ましい。また、原料ゾーン19の温度は、金属の中でも非常に蒸気圧の高い、亜鉛ガスが成長ゾーン30へと輸送されることを抑制するために、約500℃以下に設定されている。そして、上述の反応式によって生成された塩化亜鉛ガスは、供給管18bを介して成長ゾーン30に輸送される。
【0066】
一方、水分ガス供給手段11から供給される水(水蒸気)が、ガス供給管12を通して、酸素材料として成長ゾーン30に輸送される。また、アンモニアガス供給手段15からガス供給管16を通して供給されるアンモニアガスが、p型不純物となる窒素材料として成長ゾーン30に輸送される。
【0067】
そして、成長ゾーン30では、輸送された塩化亜鉛ガスと水とによって、以下に示す反応式の反応が右辺に進行することにより、ZnO半導体の薄膜が基板1上に成長する。
【0068】
ZnCl2(g)+H2O(g) ⇔ ZnO(s)+2HCl(g) ・・・(1)
このとき、同時に、基板保持手段32上に保持されている基板1又は半導体上に輸送されてきているNH3と反応して、ZnOの酸素原子の一部が窒素に置き換わることにより、窒素ドープZnO半導体層が形成される。
【0069】
ここで、図2に示すように、ガス供給管12、14、16は、成長ゾーン30の内側まで形成されており、各ガス供給口12a、14a,16aは、基板1又は半導体の直上に配置されるように構成されている。ところで、V族の水素化物ガスの一種であるアンモニアガスは、熱力学解析からは400℃程度でも窒素と水素に分解が起こりうるが、分解が起こりN2とH2になってしまうと、p型不純物ドープの際の窒素源として働かない。しかし、NH3ガスはMBEでの窒化物成長に用いられているように、プラズマ化しなくても、より良いN源になることが知られている。これは、金属のような触媒が存在しない環境では1000℃という高温でも、ほとんどのガスが基板表面まで分解せずに供給できるためである。なお、NH3ガスから生成したH2ガスは下記の式でZnOを分解する。
ZnO(s)+H2(g) ⇔ Zn(g)+H2O(g) ・・・(2)
成長ゾーンのH2分圧が高くなるか又は成長温度が高くなると、(2)式の反応が右辺側に進行し、ZnOの成長が阻害される。
【0070】
本発明の製造装置では、少なくともアンモニアガスを輸送するガス供給管16の材料に非金属である石英を用い、ガス供給管16は成長ゾーン30内を横切り、ガス供給口16aは基板1の直上に設けられている。このため、アンモニアガスは基板1上に到達するまで金属と接触しないので分解されることがなく、基板直上の反応に寄与することができるので、十分な窒素ドープ濃度を得ることができる。
【0071】
一方、結晶成長用の金属材料にZnを含むハロゲン化物を用い、酸素含有ガスを輸送するガス供給管12のガス供給口12aは、基板1の直上に設けられているので、Znを含むハロゲン化物と酸素含有ガスとは基板1直上で反応する。このため、非常に効率良くZn材料を基板上に供給することができる。
【0072】
ここで、成長ゾーン30の温度は、塩化亜鉛ガスが成長ゾーン30までの途中の経路で析出しないように、原料ゾーン19、23の温度よりも高温に設定される。具体的には、成長ゾーン30の温度は約700℃〜約1000℃程度に設定される。
【0073】
また、原料ゾーン19、23の設定温度を成長ゾーン30の成長温度よりも低くすることによって、原料ゾーン19、23で生成された塩化亜鉛ガス、塩化マグネシウムガスが成長ゾーン30まで輸送されるまでの間に析出することを抑制できる。
【0074】
また、酸素材料として酸素単体ではなく水を採用することによって、成長ゾーン30の基板1上では、塩素ガスではなく塩酸ガスが生成されるので、熱力学的により安定した状態でZnO薄膜を形成することができる。
【0075】
V族の水素化物ガスとして、NH3の替わりに、例えば、AsH3、PH3のいずれかを用いることができる。また、ハロゲンガスとして、塩素ガスの代わりに臭素ガスを採用してもよい。また、II族金属材料の種類は2種類だけではなく、3種類以上のII族金属材料を用いてもよい。
【0076】
ZnO系半導体層を結晶成長する工程において、反応ガスには、マグネシウム含有ガスを含んでいてもよい。また、マグネシウム含有ガスの分圧は、例えば、約1×10-4 気圧以下程度である。
【0077】
亜鉛および/またはマグネシウムのハロゲン化物は、1000℃程度の温度では、亜鉛および/またはマグネシウムと塩素ガスに分解せず、ZnO基板上で亜鉛および/またはマグネシウムのハロゲン化物と酸素材料と直接反応が起こる。
【0078】
亜鉛および/またはマグネシウムのハロゲン化物と酸素材料は、主な有機金属と酸素材料程、過早反応が起こらないため、ZnO基板上にパーティクルが発生することもなく、かつ高温領域の原料効率もMOCVD法よりも高い。
【0079】
酸素原料と亜鉛および/またはマグネシウムのハロゲン化物のモル供給比(VI/II比)は、重要な成長パラメータである。既出願の特願2008−171610でも説明したように、VI/II比を100以下にすることで、ハロゲン化物原料の基板表面上のマイグレーションを促進するとともに、結晶成長の異常部(ピットや突起物)などの発生を抑える効果がある。また、VI/II比が小さい場合には結晶成長の速度が遅くなってしまうので、VI/II比は例えば1以上とするとよい。
【0080】
例えば、ZnCl2分圧が2.2×10−5atm、VI/II=20の場合、0.5μm/h程度の成長速度が得られる。この0.5μm/h程度という値は、化合物半導体の薄膜形成速度として許容できる成長速度であり、ZnO系半導体膜の形成方法として十分に使用できる方法である。
【0081】
次に、上記酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を用いて形成された半導体素子の模式的断面構造例を図10に示す。図10に示すように、ZnO基板40と、ZnO基板40上に配置され、n型不純物がドープされたn型ZnO系半導体層42と、n型ZnO系半導体層42上に配置されたZnO系半導体活性層44と、ZnO系半導体活性層44上に配置され、p型不純物がドープされたp型ZnO系半導体層46とを備える。
【0082】
n型ZnO系半導体層42、ZnO系半導体活性層44およびp型ZnO系半導体層46は、いずれも上述の酸化亜鉛系半導体の製造装置及び上述のハロゲン化II族金属と酸素原料を用いる製造方法により形成される。
【0083】
p型ZnO系半導体層46上には、p側電極48が配置され、導電性のZnO基板40の裏面には、n側電極50が配置されている。p側電極48の材料としては、例えば、Ni層およびAu層の積層構造を採用することができる。また、n側電極50の材料としては、例えば、Ti層およびAu層の積層構造を採用することができる。
【0084】
n型不純物としては、例えば、B,Ga,Al,In,またはTlのいずれかを適用することができる。
【0085】
また、p型不純物としては、V族元素を用いることができ、例えば、N,P,As等のいずれかを適用することができる。
【0086】
ZnO系半導体活性層44は、例えば、MgxZn1-xO(0<x<1)からなるバリア層と、ZnOからなる井戸層が積層された多重量子井戸(MQW:Multi-Quantum Well)構造を備えている。
【0087】
また、ZnO系半導体活性層44は、CdyZn1-yO(0<y<1)からなる井戸層と、ZnOからなるバリア層が積層されたMQW構造を備えていてもよい。
【0088】
量子井戸のペア数は、電子、およびホールの走行距離から決まる。すなわち、電子、およびホールの再結合発光効率が、最も良好となるZnO系半導体活性層44の所定の厚さに対応したMQWのペア数により決定する。
【0089】
ここで、ZnOのバンドギャップエネルギー3.37eVに対して、MgOのバンドギャップエネルギーは、7.8eVであることから、MgxZn1-xOの組成比xを調整して、MgxZn1-xOからなるバリア層と、ZnOからなる井戸層が積層されたMQW構造を形成することができる。
【0090】
一方、ZnOのバンドギャップエネルギー3.37eVに対して、CdOのバンドギャップエネルギーは、0.8eVであることから、CdyZn1-yOの組成比y調整して、CdyZn1-yOからなる井戸層と、ZnOからなるバリア層が積層されたMQW構造を形成することができる。
【0091】
なお、上記の半導体装置からの発光(hν)は、図10に示すように、上面方向から取り出すことができる。
【0092】
図10のZnO系半導体素子のp型ZnO系半導体層46は、単層とせずに、図11のように多層膜とすることもできる。図11では、p型ZnO系半導体層46は、p型ZnO系半導体膜461、p型ZnO系半導体膜462、・・・・、p型ZnO系半導体膜46(n−1)、p型ZnO系半導体膜46n、で構成されている。ここで、nは1以上の整数である。p型ZnO系半導体膜461〜p型ZnO系半導体膜46nまでは、p型不純物であるV族元素が一定の濃度でドーピングされていても良いが、異なるようにドーピングすることもできる。
【0093】
図6〜図9の説明のところで述べたように、V族の水素化物ガスの分圧と亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスの分圧との比であるV/II比を一定にし、p型ZnO系半導体膜のプラスの結晶成長の温度範囲内で、成長温度を各半導体膜毎に順次変えていけば、p型不純物であるV族元素の濃度が異なる多層膜を形成することができる。また、成長温度をp型ZnO系半導体膜461から順に上げるか、又は下げていけば、p型不純物濃度の傾斜を持つp型ZnO系半導体層46を構成することができる。
【産業上の利用可能性】
【0094】
本発明の酸化亜鉛系半導体の製造法及び製造装置は、青色領域から紫外領域までのLEDまたはレーザダイオード(LD:Laser Dioide)などの発光デバイス、受光素子や圧電素子、HEMT(High Electron Mobility Transistor)、HBT(Hetero-junction Bipolar Transistor)、透明電極など幅広い分野に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【0095】
【図1】本発明の酸化亜鉛系半導体の製造方法に係るZnO基板を準備する工程を示す模式的断面構造図(a)と、ハロゲン化物気相成長によるZnO系半導体層の形成工程を示す模式的断面構造図(b)である。
【図2】本発明の酸化亜鉛系半導体の製造方法を適用する製造装置の模式的構成例を示す図である。
【図3】本発明の酸化亜鉛系半導体の製造方法により形成された窒素ドープZnO系半導体層表面の20μm四方のAFM画像を示す図である。
【図4】HVPE法により形成されたアンドープZnO系半導体層表面の20μm四方のAFM画像を示す図である。
【図5】VI/II比を変化させた場合の熱力学解析による結晶成長駆動力と成長温度との関係及びアンモニアガス供給がない場合との比較を示す図である。
【図6】アンモニアガス分圧毎の窒素ドープZnO層の成長速度と成長温度との関係を示す図である。
【図7】図6のデータに基づき窒素ドープZnO層が成長しているか、エッチングとなっているかを分類した図である。
【図8】窒素ドープZnOの窒素濃度が成長温度によって変化することを示す図である。
【図9】本発明の酸化亜鉛系半導体の製造方法によって作製された窒素ドープZnO層の代表例における2次イオン質量分析測定結果を示す。
【図10】本発明の酸化亜鉛系半導体の製造方法によって作製されたZnO系半導体素子の構造例を示す図である。
【図11】図10のZnO系半導体素子で、p型ZnO系半導体層を多層膜にした構成例を示す図である。
【符号の説明】
【0096】
1 基板
2 p型ZnO系半導体層
11 水分ガス供給手段
13 n型不純物原料ガス供給手段
15 p型不純物原料ガス供給手段
19、23 原料ゾーン
20、24 II族金属材料
30 成長ゾーン
31、33 加熱手段
32 基板保持手段
17、21 塩素ガス供給手段
12、14、16 ガス供給管
12a、14a、16a ガス供給口
18a、18b ガス供給管
22a、22b ガス供給管
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板又は半導体層上に、亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入する工程と、前記基板又は半導体層上にp型不純物原料ガスとしてV族の水素化物ガスを導入する工程とを備え、前記基板又は半導体層上にp型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層を結晶成長させることを特徴とする酸化亜鉛系半導体の製造方法。
【請求項2】
前記V族の水素化物ガスはNH3、AsH3、またはPH3のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法。
【請求項3】
前記酸素含有ガスはH2Oからなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法。
【請求項4】
前記ハロゲン化II族金属ガスは、亜鉛の他にマグネシウムを含んでいることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法。
【請求項5】
前記V族の水素化物ガスの分圧と亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスの分圧との比(V/II比)が小さくなるにしたがって、前記酸化亜鉛系半導体層がプラス成長できる成長温度範囲の高温側の限界温度が大きくなっていくことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずか1項に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法。
【請求項6】
前記p型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層は、酸化亜鉛系半導体多層膜であって、該酸化亜鉛系半導体多層膜を構成する各酸化亜鉛系膜は、プラス成長できる成長温度範囲内で成長温度を変えて形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法。
【請求項7】
請求項1〜請求項6のいずれかの酸化亜鉛系半導体の製造方法により作製されたことを特徴とする酸化亜鉛系半導体。
【請求項8】
亜鉛の金属単体を含むII族金属材料が保持される原料ゾーンと、
前記原料ゾーンにハロゲンガスを供給するハロゲンガス供給手段と、
酸素を含む酸素材料を供給する酸素材料供給手段と、
p型不純物を不純物添加するためのV族の水素化物ガスを供給する水素化物ガス供給手段と、
前記V族の水素化物ガスと前記II族金属材料から生成されたハロゲン化II族金属ガスと前記酸素材料とを反応させる成長ゾーンとを備え、
前記水素化物ガス供給手段に接続されたガス供給管が前記成長ゾーン内まで伸びて配置され、該ガス供給管のガス供給口が前記基板又は半導体の上方に配置されていることを特徴とする酸化亜鉛系半導体の製造装置。
【請求項9】
前記ガス供給管は、非金属で構成されていることを特徴とする請求項8記載の酸化亜鉛系半導体の製造装置。
【請求項1】
基板又は半導体層上に、亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入する工程と、前記基板又は半導体層上にp型不純物原料ガスとしてV族の水素化物ガスを導入する工程とを備え、前記基板又は半導体層上にp型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層を結晶成長させることを特徴とする酸化亜鉛系半導体の製造方法。
【請求項2】
前記V族の水素化物ガスはNH3、AsH3、またはPH3のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法。
【請求項3】
前記酸素含有ガスはH2Oからなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法。
【請求項4】
前記ハロゲン化II族金属ガスは、亜鉛の他にマグネシウムを含んでいることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法。
【請求項5】
前記V族の水素化物ガスの分圧と亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスの分圧との比(V/II比)が小さくなるにしたがって、前記酸化亜鉛系半導体層がプラス成長できる成長温度範囲の高温側の限界温度が大きくなっていくことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずか1項に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法。
【請求項6】
前記p型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層は、酸化亜鉛系半導体多層膜であって、該酸化亜鉛系半導体多層膜を構成する各酸化亜鉛系膜は、プラス成長できる成長温度範囲内で成長温度を変えて形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の酸化亜鉛系半導体の製造方法。
【請求項7】
請求項1〜請求項6のいずれかの酸化亜鉛系半導体の製造方法により作製されたことを特徴とする酸化亜鉛系半導体。
【請求項8】
亜鉛の金属単体を含むII族金属材料が保持される原料ゾーンと、
前記原料ゾーンにハロゲンガスを供給するハロゲンガス供給手段と、
酸素を含む酸素材料を供給する酸素材料供給手段と、
p型不純物を不純物添加するためのV族の水素化物ガスを供給する水素化物ガス供給手段と、
前記V族の水素化物ガスと前記II族金属材料から生成されたハロゲン化II族金属ガスと前記酸素材料とを反応させる成長ゾーンとを備え、
前記水素化物ガス供給手段に接続されたガス供給管が前記成長ゾーン内まで伸びて配置され、該ガス供給管のガス供給口が前記基板又は半導体の上方に配置されていることを特徴とする酸化亜鉛系半導体の製造装置。
【請求項9】
前記ガス供給管は、非金属で構成されていることを特徴とする請求項8記載の酸化亜鉛系半導体の製造装置。
【図1】
【図2】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図3】
【図4】
【図2】
【図5】
【図6】
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【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図3】
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【公開番号】特開2010−157574(P2010−157574A)
【公開日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−334213(P2008−334213)
【出願日】平成20年12月26日(2008.12.26)
【出願人】(504132881)国立大学法人東京農工大学 (595)
【出願人】(000116024)ローム株式会社 (3,539)
【出願人】(000219967)東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年12月26日(2008.12.26)
【出願人】(504132881)国立大学法人東京農工大学 (595)
【出願人】(000116024)ローム株式会社 (3,539)
【出願人】(000219967)東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Fターム(参考)】
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