【課題】ＳｉＣ多結晶の成長による炉内の閉塞を防止し、長時間の成長を可能とする。
【解決手段】加熱容器８の内周壁面および台座９の外縁にパージガスを流動させる。これにより、台座９の周囲や加熱容器８の内周壁面に多結晶が形成されることを抑制することが可能となり、原料ガス３の流路の閉塞を防止することが出来る。これにより成長結晶の成長端面以外の不要な箇所でのＳｉＣ多結晶の堆積を抑制し、成長結晶の長時間にわたる成長が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶に多結晶が癒着することを抑制し、より高品質なＳｉＣ単結晶を製造できるようにする。
【解決手段】台座９をパージガスが種結晶５の裏面側から供給できる構造とし、種結晶５の外縁に向けてパージガスを流動させられるようにする。このような構造とすれば、パージガスの影響により、台座９のうちの種結晶５の周囲に位置する部分に多結晶が形成されることを抑制できる。これにより、ＳｉＣ単結晶２０を長尺成長させたとしても、多結晶のせり上がりによりＳｉＣ単結晶２０の外縁部に多結晶が癒着することを防止することが可能となる。したがって、外縁部の品質が損なわれることなくＳｉＣ単結晶２０を成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の製造装置に備えられる断熱材の劣化を抑制することができるようにする。
【解決手段】加熱容器８の周囲を囲む第１外周断熱材１０を、浸透性の大きな断熱基材１０ａの内周面に浸透性の小さな黒鉛シート１０ｂを配置した構造とし、さらに黒鉛シート１０ｂの内周面を高融点金属炭化膜１０ｃで覆った構造とする。これにより、黒鉛シート１０ｂによって断熱基材１０ａに原料ガス３などが浸入することで固体ＳｉＣが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜１０ｃによって黒鉛シート１０ｂがエッチングガスや原料ガス３に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。したがって、第１外周断熱材１０が劣化することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の構成を複雑化させることなく、モフォロジーの良好な膜を形成可能で、かつ成膜装置の稼働効率を向上可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜原料堆積チャンバー１７内において、半導体基板２８の表面に、成膜原料を溶媒中に溶解させることで形成される液状の成膜原料液を供給し、成膜原料液に含まれる溶媒を液体から気体に相変化させることにより、溶媒中に溶解している成膜原料を半導体基板２８の表面に堆積させ、その後、成膜原料堆積チャンバー１７とは異なる反応チャンバー１８内において、加熱或いは反応試薬の添加により、半導体基板２８の表面に形成された成膜原料を反応させることで、半導体基板２８の表面に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 反応容器の中の不純物量の変動に影響されずに、休止後の再稼動時であっても、生産性を低下させない堆積膜形成方法を提供することにある。更に、特性バラツキを低減した堆積膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 減圧可能な真空処理容器を用いて堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記堆積膜の形成を休止し（Ｓ５２１）、前記真空処理容器の中の不純物の量がほぼ飽和するまで前記真空処理容器を大気開放する（Ｓ５２２）。その後、ほぼ飽和した不純物の量に対応して予め定めた堆積膜形成条件（通常とは異なる堆積膜形成条件）を、再稼働時の堆積膜形成条件とする（Ｓ５３２）。 （もっと読む）

【課題】不純物汚染を十分に抑制しながら、低コストで、生産性良く気相成長を行うことができる気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０の反応チャンバー１２内に配設されたサセプタ１７のウェーハＷの載置面が、原料ガスから生成された厚さ６〜２０μｍのポリシリコン膜で被覆され、かつ、前記気相成長装置１０を構成する部材のうち前記反応チャンバー１２内に露出した金属部材の表面が、原料ガスから生成された反応副生成物からなる膜で被覆された反応チャンバーを具備する気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、表面処理用原料流体が基板表面に沿って流されて排出される際に、処理済流体が流出部内壁に衝突して流れが乱れることを抑制することである。
【解決手段】表面処理装置１０は、円筒状の周囲壁を形成する筐体部１２の内部に円板状の試料保持台１４が設けられる構成を有する装置である。筐体部１２の上方側に設けられる円筒状部分２２は原料流体供給流路部で、筐体部１２において試料保持台１４の側方に設けられ、円筒状部分２２から見ると末広がりとなっている流路部は、流出流路部２４である。流出流路部２４は、試料保持台１４の最外周上端の位置を焦点位置とし、焦点位置に対称的に向かい合う流出口上縁端の位置を基準位置とするパラボラ曲線等が用いられる。 （もっと読む）

【課題】マッチングボックスを安全かつ適切に配置することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】反応性原料ガスが導入される密封可能なチャンバー１と、チャンバー１内に対向状に配置されてプラズマ放電を発生させるカソード電極１１とアノード電極１２の組からなる複数組の放電部１３と、チャンバー１外に配置されて全組の放電部１３に電力を供給する電源部Ｅ１、Ｅ２と、チャンバー１外で電源部Ｅ１、Ｅ２に電気的に接続された複数のマッチングボックスＭ１、Ｍ２と、チャンバー１外に配置されて複数のマッチングボックスＭ１、Ｍ２を支持する少なくとも１つの支持部Ａ１１、Ａ１２と、複数のマッチングボックスＭ１、Ｍ２と全組の放電部１３のカソード電極１１とを電気的に接続する複数の導電体Ｃ１１、Ｃ１２とを備え、支持部Ａ１１、Ａ１２は、複数の導電体Ｃ１１、Ｃ１２の長さを等しくできる位置に１つ以上のマッチングボックスＭ１、Ｍ２を支持するよう構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置のプロセスチャンバに関してリークの可能性のある状態を早期に、かつ、確実に発見する方法を提供する。
【解決手段】処理ガスを導入して熱処理を行うためのプロセスチャンバを備えた熱処理装置において、プロセスチャンバ１内の気体を排気して減圧した状態でプロセスチャンバを封止し、封止されたプロセスチャンバ内の圧力の時間的変化を所定の閾値と比較するリークチェックを熱処理の実行毎に前もって行う制御装置６を具備する。前記時間的変化が閾値より大きいときは熱処理中止とする。 （もっと読む）

【課題】反応容器内において結晶成長面以外の場所に形成されてしまう不要なＳｉＣ多結晶の成長をエッチングガスによらずに抑制することにより、原料ガスの出口の詰まりを防止する方法を提供する。
【解決手段】反応容器９の中空部９ｃの外周に、反応容器９の中心軸に沿って延びる第１導入通路９ｄを設け、反応容器９の側部９ｅに、第１導入通路９ｄと反応容器９の中空部９ｃとを接続する第１出口通路９ｉを設ける。そして、第１導入通路９ｄを介して第１出口通路９ｉから反応容器９の中空部９ｃに不活性ガス１５を流すことにより、反応容器９の内壁９ｍと台座１０との間を通過する原料ガス３を希釈する。 （もっと読む）

【課題】
ＭＯＣＶＤ装置の基板など移動台の上に置かれた被測定物の形状測定を行う場合、速度計測装置の使用状態で異なるオフセット値の影響により、測定精度が低下することと、回転台に複数の被測定物を配置する装置で測定精度が低下すること、回転台の振動や回転軸の傾きなどで測定精度が低下することなどで、精度よく測定することができなかった。
【解決手段】
被測定物を移動させる移動台と、レーザ光線によるドップラー効果を利用した速度計測手段と、被測定物検出手段と、演算処理手段と記録手段により、被測定物の形状を測定する。前記演算処理手段は、前記被測定物の速度を抽出する被測定物速度抽出手段と、速度データから速度平均値を算出する速度平均算出手段と、速度データから速度平均値を減算する減算手段と、速度を積分する積算手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】反応室本体の開口部を封止する封止部材を有する反応室を備え、開口部と封止部材の間からの反応ガスの漏れを高精度に検出できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室Ｍ１とその内部に反応ガスを供給するガス供給手段１５を備え、ガス供給手段１５により反応ガスを反応室Ｍ１の内部に供給することにより反応室Ｍ１に収容されたウェーハの表面に気相成長を行う気相成長装置１０であって、反応室Ｍ１は、ウェーハが収容される収容空間を形成すると共に収容空間にウェーハを導入するための開口部Ｍ３を有する反応室本体Ｍ２と、反応室本体Ｍ２の開口部Ｍ３を封止する封止部材１３とを有し、気相成長装置１０は、反応室本体Ｍ２の開口部Ｍ３に対して封止部材１３を締め付ける締め付け部材３１と、締め付け部材３１による封止部材１３の締め付け力についての開口部Ｍ３が拡がる方向のバランスの良否を判定可能な状態とするバランス判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ支持部に切欠き部が不要で、ウェーハ支持部間のピッチが狭い熱処理ボートに、複数のウェーハを同時に移載することができるウェーハ移載装置及び縦型熱処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェーハ収納容器と熱処理ボートのウェーハ支持部との間でウェーハを移載するウェーハ移載装置であって、把持板が、熱処理ボートのウェーハ支持部間に挿入されて、把持部材のウェーハの着脱により、突き上げ部の支持ピン上にウェーハを支持させる、又は、突き上げ部の支持ピン上のウェーハを把持するものであって、突き上げ部が、熱処理ボートのウェーハ支持部間に挿入されて、ウェーハ支持部と垂直方向に相対移動することにより、支持ピン上のウェーハをウェーハ支持部に載置、又は、ウェーハ支持部上のウェーハを支持ピンにより突き上げて支持するものであるウェーハ移載装置。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンスフリーで反応副生成物の捕捉効率の高い排気トラップを有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、処理室に処理ガスを供給するガス供給ラインと、処理室からの排気ガスを排気するガス排気ラインと、排気ガスに含まれる成分を除去する排気トラップであって、少なくとも、ガス排気ラインに装着されるケース３１０と、ケース３１０の開口部を閉塞する蓋体３３１と、ケース３１０内に設けられ排気ガスに含まれる成分を捕集する捕集体３４３と、蓋体３３１に設けられ、捕集体３４３を支持する中空支持体と、蓋体３３１外側から蓋体３３１を貫通し中空支持体内に至るように配置されるヒートパイプ３４５と、蓋体３３１外側のヒートパイプ３４５に設けられる放熱部と、放熱部に設けられるヒータ３５０とを有する排気トラップ３００とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法により、ウェハに対する微細パーティクルの発生及び／又は付着を低減させることを目的とする。
【解決手段】反応炉を昇温する工程と、前記昇温された反応炉内に１又は複数のウェハを搬入する工程と、該ウェハを熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記ウェハの搬入に際して、前記ウェハの搬入方向前方に遮熱板を配置し、該遮熱板とともにウェハを前記反応炉へ搬入することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】休止の長期化や配管汚染の危惧を防止しつつ液体原料を補給可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体原料８０を供給するためのタンク８１と、液体原料８０を気化させる気化器８３とを具備し、気化器８３が液体原料８０を気化させた気化ガスを処理室内に供給しウエハ上に成膜する基板処理装置において、タンク８１に、液体原料８０を補給するための補給容器９１と、タンク８１内を減圧する排気管９３とを接続し、補給容器９１内の圧力をタンク８１内の圧力よりも高くすることにより、液体原料８０を補給容器９１内からタンク８１内へ補給する。補給容器９１には洗浄液９５を貯蔵した洗浄液容器９６を接続する。交換作業は補給容器９１について実施すれば済むため、基板処理装置の休止の長期化や配管汚染の危惧を防止しつつ、液体原料を補給することができる。 （もっと読む）

【課題】所定温度、所定圧力のガス雰囲気中で金属部品を熱処理することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室する処理室に用いられる金属部品の表面を熱処理する反応室３１と、この反応室３１にガスを供給するガス供給装置３２と、反応室３１を減圧排気する排気装置３３と、金属部品を保持する保持体３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】改善されたデバイス性能を有する窒化物半導体膜を成長する。
【解決手段】半導体デバイス用エピタキシャル窒化膜を成長環境内で製造するための方法であって、反応器成長チャンバ内に成長基板を配置することと、高窒化物化学ポテンシャル環境を形成することであって、窒素源である前駆体ガスを前記成長チャンバ内に、前駆体ガスが少なくとも前記成長基板の成長表面近くに導入されるような方向に注入すること、およびＩＩＩ族アルキルを成長チャンバ内に、ＩＩＩ族アルキルの熱分解温度未満の温度で注入すること、を含む高窒化物化学ポテンシャル環境を形成すること、成長環境内でエピタキシャル窒化膜を成長させることとを含む方法、が提供される。 （もっと読む）

【課題】高圧環境に耐えるブロワーやファンが不要であり、装置を大型化・複雑化することなく、被処理物の冷却速度を向上させることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１Ａは、処理容器２と、両端に開口部を有するヒータ３と、壁面冷却機構１０を有する外容器８と、被処理物Ｗの冷却時に、外容器８の内部のガスが、ヒータ３の開口部３ａを経由してヒータ３の周囲を循環するように外容器８の内部に外容器用ガス１２を導入する外容器用ガス導入ノズル１１と、被処理物Ｗの冷却時に、処理容器２の内部のガスが、処理容器２の内面に沿った流れを形成するように処理容器２の内部に処理容器用ガス１５を導入する処理容器用ガス導入ノズル１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電磁波による悪影響を回避しボートの正常な回転を確保することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室３７を形成したプロセスチューブ３６外にシールド５４を同心円に設置し、シールド５４の側壁に導波管５６の一端を接続し、導波管５６の他端に電磁波源５７を接続する。シールキャップ３２に回転軸を軸受装置で支持しロータリーアクチュエータ５０で回転させるように設け、回転軸の受け台上にボート４２を載置する。軸受装置周りに電磁波を遮蔽するカバー５１を設置し、カバー５１は固定部と可動部とで迷路構造に構成する。シールド内に供給された電磁波が軸受装置に及ぶのを阻止できるので、電磁波によって軸受装置の磁性流体が加熱されてしまい、正常な回転を維持できない事態が発生するのを未然に防止できる。 （もっと読む）