【課題】本発明は、ウェーハの温度分布を制御し、より膜厚均一性を向上させることが可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するガス供給機構と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを下方より加熱するためのヒータと、ウェーハを回転させるための回転制御部と、反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、ヒータの下部に設けられ、ヒータからの熱を前記ウェーハの裏面に反射するための反射板と、反射板を上下移動させるための上下駆動部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の表面だけを加熱し、熱履歴を低減する方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置は、ステージ２１６と、連続波（ＣＷ）電磁放射ソース２０２と、一連のレンズ２１０と、並進移動メカニズム２１８と、コントローラ２２６とを備えている。ステージは、基板２１４を受け取るように構成される。ＣＷ電磁放射ソースは、ステージに隣接して配置され、基板に向う経路に沿ってＣＷ電磁放射を放出するように構成される。一連のレンズは、ＣＷ電磁放射ソースとステージとの間に配置されて、ＣＷ電磁放射を基板の表面上におけるＣＷ電磁放射の線２２２へと凝縮するように構成される。 （もっと読む）

【課題】
多品種の成長基板上の成膜における反り量に対応可能なサセプタ装置を提供する。
【解決手段】
成長基板が載置される搭載領域を有するサセプタ装置は、搭載領域を分割して得られた区分領域の各々に配されかつ各々が成長基板に対向する熱輻射面を有し、成長基板の厚さ方向に可動である複数の熱輻射部からなる搭載部を有する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の構造に拘わらず，所望の位置に高精度で量子ドットを形成する。
【解決手段】定在波を有するレーザ光のレーザ光源Ｌを基板Ｗの側方に配置し，そのレーザ光を基板Ｗの側方からその基板の表面に沿うように照射させることによって，基板表面をそのレーザ光の定在波の半波長間隔で励起させる。その基板に対してその表面を構成する下地膜と格子定数の異なる膜を成長させることによって，上記レーザ光の照射により励起した部位Ｅｘに量子ドットが形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの跳ね現象を抑え、ウェーハ上に均一に成膜を行うとともに、歩留り、生産性の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応炉内にウェーハを搬入し、上昇させた突き上げシャフト上にウェーハを載置し、ウェーハの中心部と外周部が所定範囲の温度差となるように、ウェーハを加熱するためのインヒータと、ウェーハの外周部を加熱するためのアウトヒータを、第１の位置に配置して、突き上げシャフト上のウェーハを、インヒータおよびアウトヒータにより昇温し、突き上げシャフトを下降させて、保持部材上にウェーハを保持し、ウェーハの中心部と外周部の温度が実質均一となるように、インヒータおよびアウトヒータを第２の位置に配置して、保持部材上の前記ウェーハを所定の温度で加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の回転中心で温度が局所的に低下するのを抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、被処理用の基板を回転させる回転機構と、前記基板を加熱する複数のランプユニット３００，４００とを備える。各ランプユニット３００，４００は、複数のフィラメントから構成され、前記各フィラメント同士が互いに接続される１又は２以上の接続部を有する発熱体と、前記発熱体を覆うバルブと、前記バルブに設けられ、前記バルブにガスを封入するためのチップと、を有する。複数のランプユニット３００，４００は、前記基板の回転中心部５００に対し対称に配置される。回転中心部５００に最も近い位置に配置されたランプユニット３００ａ，３００ｉ，４００ａ，４００ｉでは、前記基板の回転軸と直交する直線Ｌ１，Ｌ２と当該ランプユニットとの直交点Ｐ１，Ｐ２に最も近い接続部、又は前記チップが、直交点Ｐ１，Ｐ２から離間している。 （もっと読む）

【課題】真空引きに要する時間の短縮化を通じて装置稼働時間を増加させることができる真空処理装置及びそのメンテナンス方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０の内部に発熱体１４を取外し可能に設置し、次に真空容器１０内を真空引きし、真空引きと並行して発熱体１４により真空容器１０の内部を加熱し、この内部に付着した物質であって材料ガスを構成する元素を含むものに吸着した成分（水分等）を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】 成膜品質に大きく影響する気相反応の制御を簡便に行なうことができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置２１は、反応炉２２と、反応管２３と、被処理基板２６を載置するサセプタ２７と、サセプタ２７を介して被処理基板２６を加熱するヒータ３３とを備えている。ヒータ３３は、原料ガスの流れる方向に対して平行な方向に移動可能に設けられており、必要に応じてヒータ３３を上流側または下流側に移動させる。これにより気相反応を制御することができる。 （もっと読む）