【課題】精度よく検出可能なアライメントマークを簡便に形成する。
【解決手段】半導体基板の素子形成領域に素子分離絶縁膜を形成するとともに周辺領域に下地絶縁膜を形成し、ゲート材料膜を形成し、このゲート材料膜をエッチングしてゲートパターンを形成するとともに前記下地絶縁膜上のゲート材料膜を除去してアライメントマーク形成用領域を形成し、層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成するとともにアライメントマーク形成用領域にマークホールを形成し、コンタクトホールが充填されマークホールが充填されないように第１導電膜を形成し、コンタクトホール及びマークホールの外部の第１導電膜を除去してコンタクトプラグを形成し、このマークホールが充填されないように第２導電膜を形成し、このマークホール内に残した凹部による段差を利用してリソグラフィのアライメントを行う。 （もっと読む）

【課題】製造効率を高めることができる半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、絶縁層１２のダイシング領域に溝部１２０を形成し、内部回路形成領域にビアホール１２６を形成する工程、絶縁層１２上に第一のレジスト膜１３を設ける工程、第一のレジスト膜１３を覆う第二のレジスト膜１４を設ける工程、第二のレジスト膜１４の内部回路形成領域を覆う領域に配線用開口１４１を形成し第二のレジスト膜１４のダイシング領域を覆う領域に位置合わせ用開口１４２を形成する工程、溝部１２０と位置合わせ用開口１４２との位置関係を検出し第二のレジスト膜１４の配線用開口１４１が絶縁層１２のビアホール１２６に対し所定の位置にあるかどうか検出する工程を含む。第二のレジスト膜１４を選択的に除去する工程では、位置合わせ用開口１４２の領域が絶縁層１２中の溝部１２０を覆うように位置合わせ用開口１４２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来技法の欠点を解決すべく非対称なターゲットの測定やモデル化、ターゲットジオメトリ（幾何学構造）の特殊な設計および/または微妙な調整を可能にするアライメントシステムを提供すること。
【解決手段】 １つまたは複数のサブターゲットをアライメントターゲット上に形成することによってアライメントターゲットにジオメトリデザインを持たせ、アライメントシステムにより１つまたは複数のサブターゲットの全てに関してアライメントを実施し、プロセスのキャラクタライズとアライメントシステムのアライメントの計算のためのアルゴリズムを使用する。 （もっと読む）

【課題】埃等の不着の無い部分から基準パターンの抽出を行えるようにする。
【解決手段】実質的に同一の加工が施された複数の所定領域を有する物体上の該所定領域内に任意に設定される該所定領域よりも小さい面積を有する被計測領域内でユニークな信号特徴を有する基準パターンを抽出する基準パターン抽出方法である。前記複数の所定領域のうち任意に選択される第１所定領域内で、前記被計測領域の信号情報を計測する工程（Ｓ１２）と、この工程で計測された信号情報に基づいて、前記被計測領域内でユニークな信号特徴を有する候補パターンを抽出する工程（Ｓ１７）と、前記複数の所定領域のうちの前記第１所定領域とは異なる第２所定領域内で、前記被計測領域を計測する工程Ｓ２２と、この工程で計測された信号情報に基づいて、前記候補パターンに対応する比較パターンを抽出する工程Ｓ２３と、前記比較パターンに基づいて、前記候補パターンの前記基準パターンとしての適性を判断する工程Ｓ２５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の組み立てや実装工程において、アライメントマークを使って配線基板の設置状態の位置、方向を測定する際に、ビアランドに接続する配線の状態に係わらず、ビアランドをアライメントマークと誤って認識すること（誤認識）を防止し、位置あわせ不良を解消することを目的とする。
【解決手段】 ビアランド２に誤認識防止用の配線８を付加することにより、半導体装置の組み立てや実装工程において、アライメントマーク３を使って配線基板の設置状態の位置、方向を測定する際に、ビアランド２に接続する配線の状態に係わらず、ビアランド２をアライメントマーク３と誤って認識すること（誤認識）を防止し、位置あわせ不良を解消することができる。 （もっと読む）

【課題】写真製版工程等における精度の良好な重ね合わせを実現するアライメントマークを備えた半導体装置及びその製造方法を得ること。
【解決手段】基板上に第１層と第２層を形成する工程と、素子形成領域及びアライメントマーク形成領域に第１トレンチを形成する工程と、第１トレンチのうちアライメントマーク形成領域の第１トレンチをさらにエッチングして第２トレンチを形成するとともにアライメントマーク形成領域の第２層の厚みを薄くする工程と、第１トレンチ及び第２トレンチを埋め込むように第２層上に絶縁膜を堆積する工程と、アライメントマーク形成領域の第２層上に絶縁膜を残留させた状態に絶縁膜を平坦化する工程と、アライメントマーク形成領域の第２層上に残留した絶縁膜をエッチングマスクとして素子形成領域の第２層をエッチング除去する工程と、アライメントマーク形成領域の絶縁膜をエッチング除去する絶縁膜除去と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ダイ領域の層間絶縁膜の平坦性を確保すると共に、スクライブ領域を多機能化或いは小型化する。
【解決手段】 多層配線構造を有する半導体装置であって、ダイ領域１１及びスクライブ領域１２を有する基板上に形成された層間絶縁膜と、ダイ領域１１の層間絶縁膜内に形成された多層の金属配線層（配線パターン）１３と、金属配線層１３と同じ層に形成され、かつ、ダイ領域１１の層間絶縁膜内に形成されたダミーパターン１５とを備え、ダミーパターン１５内にリソグラフィ・マークパターンとしての合わせマーク１６が形成されている。 （もっと読む）