【課題】 露光装置のデフォーカス量を簡単且つ精度良く測定する。
【解決手段】 投影露光装置の投影光学系により基板上に転写されるマスクパターンが設けられた露光マスクであって、マスクパターンは、高低差のある基板３２上の各高さに転写される一のパターンを含み、基板３２上における投影露光装置のデフォーカス量によって、基板３２上における各高さに転写されるパターンＡ，Ｂの寸法差または終端部の後退量差が変動する。これにより、露光装置のデフォーカス量を簡単且つ精度良く見積もることができる。 （もっと読む）

【課題】個々の使い方（個々のパターン、照明モード他）に関わる最も重要な収差を優先して補償して最適なイメージ品質をえられるリソグラフィ投影装置を提供する。
【解決手段】レンズ熱作用モデル１０にもとずき、時間経過による投影システムの収差の変化を予測するステップと、ＩＱＥＡモデル１１にもとずきいくつかの測定した収差値に対するその予測した投影システムの収差の変化による、いくつかのイメージのパラメータへの使い方に固有の影響を決定するステップと、時間経過による投影システムの収差のその予測した投影システムの収差変化、及びいくつかのイメージのパラメータへのその使い方固有の影響によって、要求されたパターニングされたビームに固有の制御信号を生成するステップと、制御信号に基づき転写用調節を実行し、イメージへの収差の予測した変化の使い方固有の影響を補償するステップとを組み込む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、統計モデルを適用することにより、合わせずれ補正値を予測し、実際の露光工程での合わせずれ精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】 既存のデータから第１の合わせずれ値（最適合わせずれ値）を算出する算出手段（Ｓ１３）と、算出された前記第１の合わせずれ値を統計モデルによって計算処理し、露光処理工程で用いる第２の合わせずれ補正値（本ロットに使用する合わせずれ値）を予測する予測手段（Ｓ１４）と、予測した前記第２の合わせずれ補正値用いて、前記露光処理工程を実行する露光処理手段（Ｓ１６）とを有する露光方法。 （もっと読む）

本発明の一実施例による方法は、少なくとも１つのアライメント・マーカ４０と、少なくとも１つのハイト・プロファイル４６とを有する較正プレート３８を使用して実行することができる。最初に、アライメント・センサを使用して較正プレートが配置される。次に、ハイト・センサを使用してハイト・プロファイルが測定される。次に、較正プレートを実質的に１８０度回転し、上記２つの操作が繰り返される。この処理手順によって２つの測定されたハイト・プロファイルが得られ、最適フィットを見出すべく、得られた２つの測定されたハイト・プロファイルが比較される。最適フィットを見出すために実行されるシフトの量を使用して、アライメント・マーカとハイト・センサの測定ポイントのＸ−Ｙ位置の間の距離が決定される。
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ウエハ上の複数のサンプルショットの位置情報の実測値を用いて統計演算によりウエハ上の各ショットの位置情報（位置ずれ量の線形成分が補正された推定値）を算出する（ステップ４８８）。また、サンプルショットを含む複数の計測ショットのそれぞれについて、所定のインターバルで、位置ずれ量の非線形成分の変動量を算出し（ステップ４９６）、算出された各計測ショットの非線形成分の変動量の大きさに基づいて補正情報の更新の必要性の有無を判断する（ステップ４９８）。このため、補正値を更新するために、ロット毎に少なくとも1回ウエハ上の全ショットの位置情報の実測値を求める場合に比べて、位置情報の計測の対象となるショット数及びその計測時間を確実に低減できる。 （もっと読む）

【課題】サ−マルフロ−の影響によるレジストマ−クの変形を抑制し、位置合わせ精度の向上するレジストマ−ク及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間膜、例えば二酸化シリコン膜520が、下地マ−ク510aとして働く開口部を有する下地膜、例えばポリシリコン膜510の上に形成される。層間膜の上には、レジストマ−ク530、540が形成されている。このレジストマ−クは、第1のパタ−ン540と第2のパタ−ン530からなる。両パタ−ンは、所定形状の枠からなる。第2のパタ−ンは、第1の枠の内側に離間して形成され、かつ、内側から外側に向かう方向の幅が第1のパタ−ンの寸法より小さい。露光により形成されたレジストパタ−ンとウエハとの絶対的な位置関係の確認は、レジストマ−クと、下地マ−ク510とのずれ量を重ね合わせ精度測定機により測定することにより行う。 （もっと読む）