【課題】 物体を照明する際の照明テレセンのバラツキを評価できる照明光学系の評価方法および調整方法、並びに位置検出装置を提供する。
【解決手段】 評価対象の照明光学系１４−１９，４０を用い、物体の光像を形成する結像光学系１８−２３の物体面の所定領域に、照明光Ｌ１を照射する。所定領域に照明光が照射された状態で、該所定領域内の異なる複数の評価地点に段差の異なる２種類の評価マークを順次または同時に位置決めし、各々の評価地点に位置決めされた評価マークの画像を結像光学系を介して取り込む。画像に含まれる評価マークの明暗情報に基づいて、各々の評価地点における照明光の主光線の傾斜情報を生成する。高段差の評価マークの段差ｈ₁は、照明光の中心波長λおよび結像光学系の物体側の開口数ＮＡに対して、次の条件式「(λ/ＮＡ²) ＜ ｈ₁ ＜ ３(λ/ＮＡ²)」を満足する。 （もっと読む）

【解決手段】露光システム群においてアライメント性能を最適化するための方法は、露光システム群の中の各露光システムに関連した特徴的ディストーションプロファイルのセットを生成するために、各露光システムを特徴付けることをともなう。特徴的ディストーションプロファイルのセットは、データベースに格納される。さらなるパターン作成のために、上に基準パターンを形成されたウエハが用意され、そのウエハ上に次の層を作成するために、露光システム群の中から露光システムが選択される。選択された露光システムの線形パラメータおよびより高次のパラメータは、基準パターンのディストーションをモデリングするために、特徴的ディストーションプロファイルを使用して調整される。露光システムは、ひとたび調整されると、ウエハ上にリソグラフィパターンを形成するために使用される。 （もっと読む）

ウェハに対してフォトリソグラフィプロセスを実施する前、実施中、および／または実施した後に、ウェハの位置ずれ評価を行う方法を提供する。方法は、ウェハの表面の曲率情報、および/または変形情報を複数の位置で測定してウェハの曲率マップを得ることを含む。次に、曲率マップを処理してウェハの応力マップを得る。次に、応力マップを使用してウェハの層の変位を決定する。そして、変位情報を使用してフォトリソグラフィプロセスにおける位置ずれの程度を決定する。 （もっと読む）

【課題】素子分離膜の開口部に対するフォトレジスト膜の開口部のずれ量を測定できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体装置の製造方法では、第１導電型の半導体基板１に、開口部２ｂ，２ｃを有する素子分離膜２を形成する。次いで、開口部２ｂ，２ｃ内に位置する半導体基板１上、並びに素子分離膜２上に感光膜を形成する。この感光膜を、レチクルを用いて露光し、その後現像することにより、素子分離膜２上に、開口部２ｂ上及びその周囲を内側に含むマスク開口部５１ｂを有するマスク膜５１を形成する。そしてマスク膜５１をマスクとして第２導電型の不純物を導入することにより、開口部２ｂ内に位置する半導体基板１に、第２導電型不純物領域７ｂを形成し、さらに開口部２ｂ内に位置する半導体基板１の表面にシリサイド膜８ｂを形成し、開口部２ｃ内に位置する半導体基板２と、シリサイド膜８ｂとの間の導通性を測定する。 （もっと読む）

【課題】 被加工膜の加工に際して、パーティクルの発生を無くし、欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】 基板上に溶剤を含む塗布膜形成用薬液２０６を供給して基板主面に液膜２０４を形成する工程と、液膜２０４中に含まれる溶剤の一部を除去することにより被加工膜２０７を形成する工程と、被加工膜２０７の加工領域に加工光を選択照射して、被加工膜２０７を選択除去する工程と、加工光照射後に、被加工膜２０７中に含まれる溶剤をほぼ完全に除去する本加熱処理を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に存在する高屈折率液体の気化にまつわる基板冷却作用によってオーバレイ誤差が引き起こされる。
【解決手段】オーバレイ特性のキャリブレーションにおいて、第１基板を、第１セットのテスト構造を用いて第１テスト露光シーケンスの露光（Ｓ１）しテスト構造を測定（Ｓ２）して第１セットの位置誤差データを得る。つぎに第１セットと同一の、第２セットのテスト構造を、第１コースと等しいが逆方向状態で移動させる第２コースを使って、第２テスト露光シーケンスの間、同一基板上に露光する（Ｓ３）。第２セットの構造を測定（Ｓ４）して、第２セットの誤差データを得る。これら２つのデータセットを使うことによって、ウェーハ冷却による影響を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】３層のパターンの重ね合わせ精度を１回で測定可能な「重ね合わせ精度測定マーク」を提供する。
【解決手段】基準マーク１は、下側基準層３２に形成されたＬ字状の下側基準パターン１１と、上側基準層３３に形成されたＬ字状の上側基準パターン１２とからなる。合わせマーク２は、上側基準層３３の上に薄膜３４を介して形成されたレジストパターン３５の一部であり、正方形の４辺に配置された穴２１の集合体である。基準マーク１は合わせマーク２の外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】位置合わせ測定機構を提供すること。
【解決手段】位置合わせ機構は、広帯域光源と光学系と検出器に接続されたプロセッサを有する。検出器を有する。広帯域光源は、第１及び第２の波長範囲を有する放射ビームを発生する。光学系は、発生された放射ビームを受け取り、位置合わせビームを生成し、そのビームを対象物上に配置されたマークに向け、マークから戻ってきた位置合わせ放射を受け取り、その位置合わせ放射を送り出す。検出器は、その位置合わせ放射を受け取り、対象物上のマークの像を検出し、前記第１及び第２の波長範囲にそれぞれ関連付けられた第１及び第２の位置合わせ信号をそれぞれ生成する。プロセッサは、該位置合わせ信号を受け取り、信号品質表示パラメータを使用して該位置合わせ信号の第１及び第２の信号品質をそれぞれ決定し、その信号品質に基づいて位置合わせマークの位置を計算する。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程の歩留まりを向上させる。
【解決手段】評価アプリケーションのメインウインドウ６５０では、複数のプロセスＡ〜Ｊに渡る、重ね合わせ誤差と線幅の平均等がグラフ６５２に表示され、ロット内のウエハ１〜１０に渡る、重ね合わせ誤差と線幅の平均等がグラフ６５３に表示され、ショット領域１〜１０に渡る、重ね合わせ誤差と線幅の平均等がグラフ６５４に表示される。このグラフやプルダウンメニュー６５７、６５９、６６１により、プロセス、ウエハ、ショット領域及びその位置座標を指定すれば、指定されたデバイス構造体のグラフィックイメージを表示することができる。このグラフィックイメージには、実際に計測されたその部分の重ね合わせ誤差や線幅が反映されている。 （もっと読む）

【課題】高精度なエラー検出が可能なアライメントエラー検出方法およびそれを用いた露光処理方法を提供する。
【解決手段】複数個の計測点を計測し、これらの計測結果から、計測ズレ量を求める。そして、求められた計測ズレ量から、最小二乗法を用いて、基板の特性を表す特性パラメータを求める。そして、求められた計測ズレ量および求められた特性パラメータから、各計測点における計算上のズレ量である計算ズレ量を求める。求められた計測ズレ量と計算ズレ量との誤差に基づき、各計測点におけるアライメントエラーを検出する。具体的には、この誤差が、ＥＧＡ重ね合わせ精度に基づく所定の範囲内にない場合には、計測エラーが生じていると判定する。 （もっと読む）

【課題】グローバル・アライメント・マークをエッチングする必要なしにデバイス作製プロセス中に基板上の表面マークの挙動を分析する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板の表面上に複数の表面マークを作製するデバイス作製方法に関し、これらのマークは、露光時に基板を局所的に整合させるために使用される。いくつかの加工ステップの後、表面マークの位置を測定し、それらの元の位置と比較する。次いで、表面マークの測定された位置の変化、すなわちそれらの挙動を分析することができる。これらの元の位置及び実際の位置は、基板の裏面に位置するグローバル・アライメント・マークを用いて定義される公称グリッドに対して定義される。グローバル・アライメント・マークは裏面に位置するので、いかなる加工ステップの影響も受けない。 （もっと読む）

【課題】 ウエハのプロセス条件が変化しても、重ね合わせ測定値を高い信頼性で求めることができる重ね合わせ測定装置を提供する。
【解決手段】 基板１１の異なる層に形成された第１マークと第２マークの像を形成する結像光学系１９〜２５と、基板と結像光学系との相対位置を調整し、第１マークと第２マークの焦点合わせを行う手段１２,２７,２８と、焦点合わせの後、相対位置のオフセットおよび／または結像光学系の像面に入射する光の波長域を変化させて光学条件を順に設定する手段１２,３Ｂ,２７と、各光学条件で第１マークと第２マークの画像を取り込み、該画像から重ね合わせずれ量を求める手段２７と、オフセットが同じで波長域が異なる複数の光学条件での重ね合わせずれ量のばらつきを、各オフセットごとに求め、該ばらつきが最も小さいオフセットをレシピに登録すべき情報として決定する手段２７とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の水平、垂直方向のみならず、斜め方向に対してもずれ量を測定して管理できるようにしたアライメントマーク及びこれを用いたアライメント精度測定方法並びに測定装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子を製造する際のフォトリソグラフィー工程で半導体基板３１の位置合わせに用いるアライメントマーク３５であって、アライメントマーク３５が、半導体基板３１上に形成する基準マーク３５ａと、レジストのパターニングと共に基準マークに対応させて形成するパターンマーク３５ｂとからなり、基準マーク３５ａとパターンマーク３５ｂの少なくともいずれかが、半導体基板３１の外形的な特徴部分３３から規定される直交二軸（ｘ、ｙ）に対して角度θ傾斜する方向の直線成分を有する。 （もっと読む）

【課題】収差の影響を考慮したフォトマスクの製造方法および露光方法を提供する。
【解決手段】石英などからなる透明基板５１の上に、透過する露光光の透過率と位相角とを制御するためのシフタ膜５２を形成する。このシフタ膜５２の材質としては、たとえばＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮなどが用いられる。レジスト膜５２をマスクにして、ＭｏＳｉＯとＭｏＳｉＯＮとに対してはＣＦ₄＋Ｏ₂ガス、ＣｒＯとＣｒＯＮとに対してはＣＬ₂ＣＯ₂ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、シフタ膜５２のエッチングを行ない、補助測定パターンに対応する光透過部８５２を形成する。その後、レジスト膜５３を除去することにより、フォトマスク５０を完成させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、画像データ内に複数アライメントマークが重なった状態で存在する場合にも、それぞれのアライメントマークの位置を安定的にかつ正確に認識することができるマーク認識装置およびマーク認識方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 マーク上下順序判定部３２によって複数のアライメントマークの上下順序を自動的に判定し、上位のアライメントマークＡの位置を認識し、マスク処理画像生成部３４によって上位のアライメントマークのマスク領域を用いたマスク処理画像データを生成し、下位マーク位置認識部３５によってマスク処理画像データを用いて下位のアライメントマークの位置を認識する。 （もっと読む）

【課題】 ｎ＋配線基板を作製したり、走査信号線の形状をアライメント対象レイヤーによって変更することなく、フォトマスクのアライメント条件確認の精度を向上させる。
【解決手段】 フォトリソグラフィー技術によりステッパー装置を用いてフォトマスクを介して露光してパターニングを行う際に、それぞれ複数枚のフォトマスクを必要とし、各露光ショット間にマスクの継ぎ部が生じる中型または大型機種に対して、映像信号線２、ソース電極２ａ、ドレイン電極３ｂを形成する際に、ゲート電極１ａの先端上方にＴＥＧパターン９を形成し、画素電極４を形成する際に、ゲート電極１ａの先端上方にＴＥＧパターン１０を形成する。これらのＴＥＧパターン９，１０を用いてフォトマスクのアライメント確認を行う。 （もっと読む）

【課題】オペレータによるウエハアライメント及び重ね合わせ誤差計測結果の評価を効率的なものとすること。
【解決手段】露光装置の画面に表示されたアライメントマップウインドウのファイル選択欄においてＥＧＡ処理結果ファイルと、重ね合わせ誤差計測結果ファイルを選択し、それぞれの表示ファイルの表示条件の設定欄で、ＥＧＡ統計モデル（ＥＧＡ Ｃａｌｃ Ｍｏｄｅｌ）、「Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ」、「Ｄｉｓｐｌａｙ Ｍｏｄｅ」、補正パラメータ（Ｎｏ．１、Ｎｏ．２）などの表示条件を設定すると、ウエハのショットマップのイメージ表示上には、設定された表示条件に従って、ウエハアライメント及び重ね合わせ結果に関する複数種類のデータのうち、少なくとも２種類のデータのベクトルマップを同時に表示することができるようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板の第１面のパターンと対応するように、第２面にパターンを転写することができる転写装置、及び、転写方法を提供する。更に、基板の第１面における領域に対応する第２面における領域を観察することができる検査装置を提供する。
【解決手段】転写装置は、（Ａ）基板３０の第２面に第２のパターンを転写する転写手段、（Ｂ）基板の第１面と接するように基板を載置して保持する保持台２１、（Ｃ）基板の第１面に設けられたアライメントマークを保持台側から検出するための検出手段、及び、（Ｄ）制御手段２５、を備え、制御手段は、（ａ）検出手段が検出したアライメントマークに基づいて、基板の基準点の座標値を求め、且つ、（ｂ）転写手段により転写される第２のパターンが基板の第１面に設けられた第１のパターンと対応するように、基板の基準点の座標値を用いて転写手段と基板との相対関係を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ワークに形成されるパターンの数が、マスクに形成されたパターンの数で割り切れないような場合であっても、本来使用を想定した個数のアライメントマークを使用して位置合せし、露光できるようにすること。
【解決手段】 マスクＭには複数の同一パターンが形成されている。マスクＭとワークＷを相対的に移動させ、アライメント顕微鏡２により、マスクＭのアライメントマークと、ワークＷのアライメントマークを検出し、マスクＭとワークＷの位置合わせを行い、マスクＭ上の複数の同一パターンをワークＷ上に繰り返し露光する。マスクＭと光照射部１の間には、マスキングブレード６が設けられ、マスクＭに形成されたパターンをワークＷ上に露光する際、予め設定された手順でマスキングブレード６により、マスクＭに形成された複数の同一パターンのうちの一部のパターンを遮光して露光する。 （もっと読む）

本発明は、一あるいは二以上の曲面を有する物体の位置ずれ検出および補正のためのシステムおよび方法に関する。特に、位置ずれ検出システムの光軸と球状半導体のような物体の中心との位置ずれを検出するためのシステムおよび方法に関する。
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