【課題】本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクを準備する準備工程と、上記吸収層のパターンが形成された回路パターン領域の外周に、水素またはヘリウムのイオンビームを照射し、上記多層膜の周期構造の規則性を乱して低反射部を形成し、上記基板上に上記低反射部および上記吸収層が積層された遮光領域を形成する遮光領域形成工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高価なＥＵＶ露光用のマスクブランクの再利用が容易な反射型マスクブランクの再生方法および該反射型マスクブランクを用いた高品質パターンを有する反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、吸収層上にハードマスク層とを少なくとも設けたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクの再生方法であって、ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、ハードマスクパターンのパターン寸法計測および外観欠陥検査を行う工程と、パターン寸法計測および／または外観欠陥検査の値が所定の仕様値の範囲外であり、寸法補正および／または欠陥修正が困難とされるとき、ハードマスクパターンをエッチングして除去する工程と、吸収層上に再度ハードマスク層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】射影効果の影響が抑制され、縦方向成分と横方向成分の関係における位置ずれを低減させることが可能なＥＵＶ用反射型マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パターン形成したレジスト層１０４をマスクとして、反射膜層１０１、保護膜層１０２、マスク層１０３に対してパターンを形成し、その後、レジスト層１０４、マスク加工用マスク層１０３を剥離する。次に、吸収体層２００を積層した後に、保護膜層１０２の表面が露出するまで研磨し、保護膜層１０２上の吸収体層２００を除去する。このようにして、パターンが形成された反射膜層１０１、及び保護膜層１０２の開口部に吸収体層２００が積層され、反射膜層１０１、及び保護膜層１０２の厚さの合計吸収体層２００の厚さとが実質的に同じであることを特徴とする反射型マスクが形成される。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクを製造する際のＥＵＶマスク裏面の汚染を防止する基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＥＵＶマスクの形成に用いられる基板１００として、一方の主面に導電性膜Ｍが形成されるとともに他方の主面に反射膜１およびレジストＲ１が塗布されたマスク基板を、レジストＲ１側から露光する露光ステップと、導電性膜Ｍの表面にＵＶ光を照射することによって導電性膜Ｍの表面を親水化処理する親水化ステップと、導電性膜Ｍの表面が親水化処理されたマスク基板に対しレジストＲ１，Ｒ２を現像処理する現像ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光用反射型マスクの製造において、スループットを低下させずに、正常パターンや反射層に損傷を与えず、修正痕を残さずに、微細パターンの修正を精度良く行ってマスクを製造することができる反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】ハードマスク層を備えた反射型マスクブランクを準備し、前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成し、前記ハードマスクパターンをマスクとして前記吸収層をエッチングして吸収層パターンを形成し、前記ハードマスクパターンおよび前記バッファ層をエッチングする工程を含む反射型マスクの製造方法であって、前記ハードマスクパターンを形成した後、前記吸収層のエッチングを２回に分けて行い、１回目の前記吸収層のエッチングを行った後、洗浄し、次に２回目の前記吸収層のエッチングを行って前記吸収層パターンを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反射型フォトマスクのパターン検査の精度が向上するとともに、検査に要する時間を短縮することのできる反射型フォトマスクブランクス、反射型フォトマスク、反射型フォトマスクの検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に照射される露光光を反射する反射膜と、露光光を吸収し、反射膜上にパターニングされて形成された吸収体と、吸収体上にパターニングされて形成された偏光子と、を備えることを特徴とする反射型フォトマスク及び検光子を備える検査装置。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの寸法制御性に優れたＥＵＶＬ用マスクの製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層が形成された部位と、前記反射層上に前記吸収体層が形成されていない部位と、を有し、該反射層上に吸収体層が形成された部位がマスクパターンの非開口部をなし、該反射層上に吸収体層が形成されていない部位がマスクパターンの開口部をなすＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクを製造する工程と、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクを用いてウェハ上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）を測定する工程と、レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の測定値と、設計値と、を比較する工程と、前記レジストパターンのスペース幅（或いは線幅）の測定値と、設計値と、を比較する工程で得られた結果に基づいて、前記ＥＵＶＬ用反射型マスクの前記マスクパターンの開口部の一部を局所加熱する工程と、を有することを特徴とするＥＵＶＬ用反射型マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】吸収層５６のパターンを精度よく加工することが可能な、ＥＵＶＬマスク５０の加工方法を提供する。
【解決手段】ＥＵＶＬマスク５０における吸収層５６に、フッ化キセノンガス７１を供給しつつイオンビーム２０Ａを照射して、吸収層５６の黒欠陥６０をエッチングするエッチング工程を有するＥＵＶＬマスクの加工方法であって、エッチング工程の後に、吸収層５６に酸化剤ガス７２を供給する酸化剤供給工程を有し、エッチング工程と酸化剤供給工程とを交互に複数回実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光時のフレアの影響を低減しつつ、マスクパターン検査の際に欠陥検出感度の低下を防止できる反射型マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】反射型マスクは、露光光を反射する反射パターン１１、露光光を吸収する吸収パターン１０、および露光光を減衰する減光パターン１２が基板表面に配置されており、減光パターン１２の最小線幅をＤ、吸収パターン１０の最小線幅をＬとして、Ｄ≧Ｌの関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】支持枠と補強体との間の接合が良好でありかつ高い平坦度を有す安定した露光用マスクブランクス、マスクおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ステンシル型マスク１は、支持枠５０の一面に薄膜３が形成され、支持枠５０の他方の面を、予め開口部１５を有す補強体７で補強された構造を有している。薄膜３はパターン形状としての貫通孔９を形成し、また支持枠５０も開口部１３を形成している。支持枠５０と補強体７との間の接合が良好でありかつ高い平坦度を有す安定した露光用マスクブランクス、マスクおよびそれらの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】平面度の高いＥＵＶＬ用マスクの基板を提供する。
【解決手段】平面度の高いＥＵＶＬマスク用の基板１２１の製造方法であって、基板１２１の凸部３１が位置する部分の裏面の近傍にレーザ光を集光し、裏面の近傍にボイド３４を作成するステップと、基板１２１の凹部３２が位置する表面の近傍にレーザ光を集光し、表面の近傍にボイド３６を作成するステップと、基板１２１の裏面に導電膜１２１ｂを、裏面の凹部に対して凸部よりも厚く形成するステップとを有するＥＵＶＬマスク用基板の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、反射方式で動作する極紫外フォトリソグラフィーマスクの作製方法に関する。このマスクは、基材（４０）と、基材上に均一に堆積されたミラー構造体（４２）と、ミラー構造体上に堆積されてパターンを形成する吸収要素（５０）と、を含み、吸収要素が、ミラー構造体上に堆積された有機金属レジスト層の照射およびその後の現像により得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造中及びその後の使用において摩損も粒子生成もなく確実に接地可能な、ＥＵＶリトグラフィー用マスクブランクを提供する。
【解決手段】前面４及び背面３を有する基板２を供する工程と、基板背面上へ導電性層５を蒸着する工程と、基板前面上へ少なくとも第一層６及び第二層９から成るコーティングを蒸着する工程と、前面４上の少なくとも１つの所定の位置に取扱い部分が形成され、取り扱い部分は機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いてマスクブランク１を取り扱えるように設計され、第一層６は、マスクブランク１がその前面から取り扱われる時に、機械的クランプ手段あるいは取扱い装置によって第一層６が圧迫されるように、取扱い部分のそれぞれにおいて露出される構成とする。 （もっと読む）