【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１１上に遮光膜１２、多層反射膜１３、保護膜１４、吸収膜１５ａ、裏面導電膜１６が形成された反射型マスクブランクス１０を準備する。吸収膜１５ａを選択的に除去することで回路パターンＡが形成され、回路パターンＡを除く回路パターンＡの周囲の部分に、吸収膜１５ａ，１５ｂと保護膜１４と多層反射膜１３とを選択的に除去した枠状の領域Ｂが形成される。したがって、枠状の領域Ｂに遮光膜１２が設けられることになる。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型ブランクマスク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランクおよびマスクの製造工程において、前記多層反射層形成時に選択的に成膜しない、もしくは成膜後物理的または化学的または熱処理により多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠２５を作製する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ハーフトーン型の位相シフト反射型マスクを製造する場合のような、吸収体パターンの膜厚に対する厳しい精度の要求を満たすことのできる反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 吸収層をパターン状にエッチング加工して吸収体パターンを形成する工程の後に、形成された吸収体パターンの膜厚を測定し、この測定で得られる膜厚と所望の膜厚との差分に基づいて、さらに前記吸収体パターンを全面エッチングして、前記吸収体パターンの膜厚を所望の膜厚範囲に調整することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上に所望の回路パターンを形成する。
【解決手段】基板１０１上に設けられかつ露光光を反射する反射層１０２と、反射層１０２上に設けられかつ露光光を吸収する吸収層１０４とを有し、マスク面上に斜入射する露光光を反射して露光を行う光反射型フォトマスクの製造方法であって、吸収層１０４にマスクパターンを形成する工程と、吸収層１０４に形成されたマスクパターンの寸法を測定する工程と、前記測定結果に基づいて、吸収層１０４の膜厚を変化させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】補助パターンを有するＥＵＶ露光用反射型マスクにおいて、補助パターンの欠けや基板表面からの剥離、あるいは補助パターンの倒れを防止し、マスク製作が比較的容易で高精度のパターン転写が可能となる反射型マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され前記反射層へのエッチング損傷を防止するバッファ層と、前記バッファ層上に形成され前記ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用反射型マスクであって、前記ＥＵＶ露光用反射型マスクのマスクパターンが、ウェハ上に転写される主パターンと、前記主パターンの近傍に設けられ投影光学系の解像限界以下の大きさの補助パターンとからなり、前記補助パターンがバッファ層で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光光の反射率と反射光の位相差とが精度良く制御されたマスクエンハンサ構造を有するＥＵＶ用フォトマスクを用いて、微細な転写パターンの寸法精度を向上する。
【解決手段】反射型フォトマスクは、位相シフト部９と、位相シフト部９の外側に位置する反射部１１と、位相シフト部９と反射部１１との間に位置する半吸光部１２とを備えている。半吸光部１２は、露光光を反射する第１の多層膜２と、第１の中間層３と、第２の多層膜４と、第２の中間層５と、第３の多層膜６とを含んでいる。位相シフト部９は、第３の多層膜６、第２の中間層５、第２の多層膜４及び第１の中間層３から露出する第１の多層膜２である。反射部１１は、第３の多層膜６及び第２の中間層５から露出する第２の多層膜４である。 （もっと読む）

【課題】高価なＥＵＶ露光用のマスクブランクの再利用が容易な反射型マスクブランクの再生方法および該反射型マスクブランクを用いた高品質パターンを有する反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、吸収層上にハードマスク層とを少なくとも設けたＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクの再生方法であって、ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、ハードマスクパターンのパターン寸法計測および外観欠陥検査を行う工程と、パターン寸法計測および／または外観欠陥検査の値が所定の仕様値の範囲外であり、寸法補正および／または欠陥修正が困難とされるとき、ハードマスクパターンをエッチングして除去する工程と、吸収層上に再度ハードマスク層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴａとＮを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素（Ｃ）を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。
【解決手段】酸窒化タンタル（ＴａＯＮ）からなる低反射膜１６および窒化タンタル（ＴａＮ）からなる極端紫外線吸収膜１５にパターンを形成するためのプラズマエッチング工程で、プラズマエッチング中に発生する光を分光し、エッチング反応生成物であるシアン（ＣＮ）に起因する３８８ｎｍを含む範囲の波長の発光強度を測定し、その強度変化からプラズマエッチングの終点を検出してプラズマエッチングを終了する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光用反射型マスクの製造において、所望するテーパー角度を有する吸収層パターンを比較的容易に高精度で形成することができる反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】吸収層上にハードマスクパターンを形成し、前記ハードマスクパターンをマスクとして前記吸収層をドライエッチングして吸収層パターンを形成する工程を含む反射型マスクの製造方法であって、前記吸収層をドライエッチングする工程において、前記基板にバイアスパワーを印加し、前記バイアスパワーが、前記ハードマスクパターンの端部にダメージが集中して前記ハードマスクパターンの端部が後退する大きさに調整され、前記ハードマスクパターンの端部を後退させながら前記吸収層をエッチングし、所定のテーパー角度を持つ前記吸収層パターンを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＥＵＶ露光におけるシャドーイングの影響を低減しつつ、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部（重なり部分）のオーバー露光を抑制し、かつ、マスク洗浄等で多層膜の一部が側面から溶出してパターンが損傷する危険性を解消できるＥＵＶ露光用の反射型マスクおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 不要なＥＵＶ光が被転写体へ照射されることを防止するための遮光枠を、表面活性化接合を用いて、反射型マスクの遮光領域に貼付することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】容易に反射型露光用マスクに堆積されたコンタミを判定することが可能な反射型露光用マスク等を提供する。
【解決手段】支持基板１００上に形成され、露光光を吸収する低反射加工パターンと露光光を反射する反射多層膜１０１とを有する第１の層と、反射多層膜１０１上に形成され、露光光を吸収する吸収体層１２０を有する第２の層とを備える。 （もっと読む）

【課題】寸法制御性を向上させることが可能な光反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１１と、基板の上面に形成された光反射層１２と、光反射層上に形成され、所望のパターンを有する光吸収層１３と、基板の下面に形成された導電層１４と、基板の側面に形成され、光吸収層と導電層とを電気的に接続する導電部１４ａとを備え、導電部は、光吸収層のパターンに応じて配置されている。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによるキャッピング膜の表面あれや膜質の変化を起こさず微細なパターン形成することが可能な反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、露光光を反射する多層反射膜と、多層反射膜上に形成され、多層反射膜を保護するキャッピング膜と、キャッピング膜上に形成され、ドライエッチングに対して耐性を有するドライエッチングストッパ膜と、ドライエッチングストッパ膜上に形成され、露光光を吸収する吸収膜と、吸収膜上に形成され、検査光の反射を防止する反射防止膜と、を有し構成されることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】マスク使用時の露光光に対するコントラストを向上させ、またパターンエッジ部分でのパターン解像性を向上させて高解像度のパターン転写を行うことができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜２と、バッファ膜３と、露光光を吸収する吸収体膜４とを有する反射型マスクブランク１０であって、吸収体膜４は、最上層４ｂと下層４ａからなる積層構造となっており、最上層はＴａの酸化物、酸窒化物又は炭化物のいずれかを含む材料で形成され、屈折率ｎが０．９５〜０．９７、消衰係数ｋが−０．０３３〜−０．０２３であり、下層はＴａを含む材料で形成され、屈折率ｎが０．９４〜０．９７、消衰係数ｋが−０．０５０〜−０．０３６である。反射型マスク２０は、この反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成して得られる。 （もっと読む）

【課題】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステムを提供する。
【解決手段】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステム装置が提供される。極紫外線フォトマスクの製造方法は、フォトマスク基板１０上に上部膜を形成した後、上部膜をパターニングして傾いた側壁を有する上部パターン４５を形成する段階を含む。上部膜をパターニングする段階は、上部膜の上部面に傾いた第１方向に平行に運動する荷電された粒子を使用して、上部膜を異方性エッチングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】極端紫外線露光用マスクの製造工程である、ドライエッチング工程でのエッチング停止判断を行う装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のドライエッチング終点判定装置は、該反射型マスクに波長２００ｎｍ未満の領域を含む光を入射させ、エッチング対象材料とその下地層の特定波長における反射率の差を利用してエッチング終点を検出することを特徴とする。これにより、エッチング終点を精密に判定することができ、マスクの製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光およびパターン検査光の波長域の反射率が低く、かつ該所望の膜組成および膜厚に制御することが容易な吸収体層を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。
【解決手段】基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層１４と、がこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収体層が、タンタル（Ｔａ）およびハフニウム（Ｈｆ）を含有し、前記吸収体層における、Ｈｆの含有率が２０〜６０ａｔ％であり、Ｔａの含有率が４０〜８０ａｔ％であり、酸素の含有率が２５ａｔ％未満であるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。 （もっと読む）

【課題】吸収層５６のパターンを精度よく加工することが可能な、ＥＵＶＬマスク５０の加工方法を提供する。
【解決手段】ＥＵＶＬマスク５０における吸収層５６に、フッ化キセノンガス７１を供給しつつイオンビーム２０Ａを照射して、吸収層５６の黒欠陥６０をエッチングするエッチング工程を有するＥＵＶＬマスクの加工方法であって、エッチング工程の後に、吸収層５６に酸化剤ガス７２を供給する酸化剤供給工程を有し、エッチング工程と酸化剤供給工程とを交互に複数回実施することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光吸収層上にハードマスク層を形成することにより、光吸収層の形状変化を生じさせないようなエッチング条件であるために反射コントラストの低下を防止し、微細な光吸収層パターンを形成でき、歩留まりの向上が図れる反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に形成された多層反射層と、多層反射層上に形成された保護層と、保護層上に形成された光吸収層と、保護層と光吸収層との間に形成された緩衝層と、光吸収層上に形成されたハードマスク層と、を有し、ハードマスク層は、光吸収層のエッチング条件に対して耐性を有することを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 （もっと読む）