【課題】接合強度が高く、放熱特性および耐熱性にも優れる接合体を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体素子３０と、半導体素子３０を実装する回路層２０が形成された絶縁性を有するセラミックス基板１０と、を備え、半導体素子３０と回路層２０は、アルミニウムを主成分とし、ゲルマニウム、マグネシウム、珪素、銅からなる群より選択される少なくも１種類を含有するアルミニウム系ろう材６０により、真空中または不活性雰囲気中でろう付けすることにより接合されている。 （もっと読む）

【課題】櫛形タイプの冷却フィンを備えた熱交換器であっても、パワーモジュールに使用して、Ｘ線検査によりボイドを正確に検出すること。
【解決手段】パワーモジュール２の熱交換器１は、ケース３と、ケース３に収容された櫛形タイプの冷却フィン４と、ケース３の上面に接合剤１０により接合されたヒートスプレッダとを備える。ＩＧＢＴ６は、ヒートスプレッダの上面に接合剤１０により固定される。冷却フィン４は、平板状のベース部４ａの下面から複数のフィン部４ｄが互いに隙間９を置いて平行かつ斜めに突き出している。冷却フィン４は、複数のフィン部４ｄにつき、隣り合う一方のフィン部４ｄ１の先端４ｅと他方のフィン部４ｄ２の基端４ｆとが同じ幅Ｗ２を有すると共に、ベース部４ａの上面及び下面と直交する方向に重なるように配置される。 （もっと読む）

【課題】従来普通の一般的なモジュール構成で、従来よりも安価で且つはんだ接合部の接合信頼性が確保可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基板の両面に金属板を各々接合してなる回路基板Ｐと、一方の金属板の外面に第１はんだを介して接合される半導体素子と、他方の金属板の外面に第２はんだを介して接合される放熱用ベース板とを備えた半導体装置の製造に当たり、
両金属板Ｍ１，Ｍ２の板厚の和ｔ_M の、絶縁基板Ｃの板厚ｔ_C に対する比ａが、同種の鉛フリーはんだである各はんだＨ１，Ｈ２の温度ストレスに対する耐久性を確保し得る所定範囲に収まるようにして、回路基板Ｐを製造する工程と、回路基板Ｐの一方の金属板Ｍ１の外面に第１はんだＨ１を介して半導体Ｓ，Ｓ′を接合する処理と他方の金属板Ｍ２の外面に第２はんだＨ２を介してベース板Ｂを接合する処理とを同一の加熱条件で同時に実行する工程とを実行する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板付き冷却器の基板に対して素子をはんだ付けする際、雰囲気室を減圧（気圧変動）したときに、冷却器内の異物を飛散させることなくはんだ付けを行うことができるはんだ付け方法及び装置を提供すること。
【解決手段】はんだ付け装置３０にて絶縁基板付き冷却器１０の基板１２に対して半導体素子１１をはんだ付けする際、冷却器１６の出入口に対し、真空ポンプ３３に接続された冷却器内排気配管３４に取り付けられたカプラ３６ａ，３６ｂを装着した状態で、チャンバ３１内をチャンバ内排気配管３２を介して真空ポンプ３３により減圧する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの接合時に形成される半田層の厚みを適度な厚みに容易に設定することができる半導体チップ位置決め治具ユニットを提供する。
【解決手段】半導体チップ位置決め治具ユニットにより半導体チップ１２が位置決めされた後、半導体チップ１２の接合が行われる。まず半田シート１１が溶融されることにより、半田用の隙間に溶融状態の半田が流れ込んで第２の治具３が沈み込む。このときに、第２の治具３の規制部３２が第１の治具２の上面に当接して第２の治具３の移動が止められる。次に、溶融された半田が冷却されて固まることにより、基板１０の上面に半田層１１０が形成される。この半田層１１０の厚み１１０ｔは、基板１０の上面から、半導体チップ１２の接合前の半田シート１１の上面までであり、半田層１１０が半導体チップ１２と基板１０との接合強度を適度な大きさに確保しつつ、適度な熱伝導性を有する厚みである。 （もっと読む）

【課題】装置のマザーボードへの実装時の高い信頼性および小型で良好な放熱性を兼ね備え、かつ半導体素子とダイパッドとの間に良好な導電性を得ることができ、半導体素子の裏面で電気的な接続が必要な製品にも適用させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板１上のダイパッド２と、ダイパッド２に接着剤３にて固着された半導体素子４と、半導体素子４と電気的に接続された複数の電極端子６と、ダイパッド２と半導体素子４と電極端子６とを封止する樹脂封止体７と、電極端子６とビアを通じて各々電気的に接続された外部端子８とを備え、ダイパッド２の表面に酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）１８ｂが形成され、酸化ケイ素上に半導体素子４を接着剤３にて固着する。 （もっと読む）

【課題】基板とベースプレートの間に半田ボイドが形成されてもボイドによる放熱効率の低下を抑制することできる半導体装置を実現する。
【解決手段】ダイオード１００は、基板１０の裏面であってガードリング１４の下方の領域に、活性領域を囲んでいるとともに活性領域の裏面よりも盛り上がっている隆起部１８が形成されている。基板１０とベースプレート１２は、隆起部１８の内側に充填された半田材３０によって固定される。半田付けの際、ガードリング１４の周囲には隆起部１８が存在するのでボイドが形成されることがない。発熱の主な一因であるガードリング１４で発生した熱の伝熱経路がボイドで阻害されることがない。ダイオード１００は、ボイドによる伝熱効率の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

開示の一実施形態において、２つの金属面の間に形成されるはんだ接合内の空隙の形成を阻止するための本方法は、スリットはんだ層（２１４）を形成するために、はんだの層に少なくとも１本のスリット（２１８）を形成するステップ（４１０）と、２つの金属面の間に前記スリットはんだ層を配するステップ（４４０）と、前記はんだ接合を形成するために、前記スリットはんだ層を加熱するステップ（４５０）とを含み、前記少なくとも１つのスリットは、前記はんだ接合内の前記空隙の形成を阻止するための前記スリットはんだ層の脱気路を形成する。はんだ接合幅が重要である場合、本方法は、加熱（４５０）とともに外圧を加えるステップ（４５０）を含む。前記はんだ接合の形成中に生成されるフラックスガスを逃がす用意された脱出路を提供するために、前記脱気路が形成される。
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【課題】パワー半導体素子へサーマルコンパウンドを均一に塗布する装置を提供する。
【解決手段】パワー半導体素子１にサーマルコンパウンドを塗布する装置において、パワー半導体素子１を保持する機構と、該保持機構部を定位置へ移動させる機構と、サーマルコンパウンドを均一に塗布する開口形状を有するメタルマスク３を固定したメタルマスク枠４を上昇下降させる機構と下降限界位置で固定する機構とを有し、メタルマスク３上に置いたサーマルコンパウンドを印刷スキージ８によりパワー半導体素子１に塗布する機構を備え、パワー半導体素子１へサーマルコンパウンドを均一に塗布することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弾性率が低く良好な接着性を示すとともに良好なブリード性を示す半導体用ダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料及び耐リフロー性等の信頼性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体素子又は放熱部材を支持体に接着する樹脂組成物であって、一般式（１）で示される化合物（Ａ）、ラジカル重合開始剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）及び（メタ）アクリロイル基を有する室温で液状の化合物（Ｄ）を含むことを特徴とする樹脂組成物及び該樹脂組成物を使用して作製した半導体装置。


Ｒ^１は、水素又はメチル基 （もっと読む）

【課題】弾性率が低く良好な接着性を示す半導体用ダイアタッチペースト及び特に耐リフロー性等の信頼性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】カルボキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステル化合物（Ａ）、（メタ）アリルエステル基を有する室温で液状の化合物（Ｂ）、熱ラジカル重合開始剤（Ｃ）、及び充填材（Ｄ）を含むことを特徴とする樹脂組成物及び該樹脂組成物をダイアタッチペースト又は放熱部材接着用材料として用いて製作される半導体装置。 （もっと読む）