【課題】ノイズ光の影響を軽減することが可能な光電変換素子および光電変換装置を提供する。
【解決手段】フォトダイオードは、基板上に、第１導電型（例えばｐ型）半導体層、ｉ型半導体層および第２導電型（例えばｎ型）半導体層をこの順に備え、基板と第１導電型半導体層との間に遮光層を有している。第２導電型半導体層側から入射する光に基づいて信号電荷が取り出される（光電変換がなされる）。基板と第１導電型半導体層との間に遮光層が設けられていることにより、第２導電型半導体層側から入射した光のうち、吸収されずに第１導電型半導体層を透過して基板側へ出射した光が遮断されると共に、基板側から第１導電型半導体層へ向かう光が遮断される。 （もっと読む）

【課題】電気的若しくは物理的な作用によりストレスが加えられても動作特性が劣化することが少ない、薄膜を積層して形成する光電変換装置を提供する。
【解決手段】第１の電極２０２と第２の電極２０７の間に光電変換層を備えた光電変換装置であって、第１の電極２０２は、光電変換層と一部で接触する構造を有し、その接触部における第１の電極２０２の断面形状をテーパー形状とする。この場合において、一導電型の第１の半導体層２０３の一部が、第１の電極２０２と接触する構造を有している。また、第１の電極２０２の端部の平面形状は、角が無く、面取りをした形状若しくは曲面形状とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に汚染物質を混入させず、分光感度特性がよく、かつ出力電流にばら
つきのない光電変換装置を得ることを課題とする。光電変換装置を有する半導体装置にお
いて、信頼性の高い半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に、第１の電極と第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極と
の間にカラーフィルタと、前記カラーフィルタを覆ってオーバーコート層と、前記オーバ
ーコート層上に、ｐ型半導体膜、ｉ型半導体膜及びｎ型半導体膜を有する光電変換層と、
前記光電変換層の端部の一方は、前記第１の電極と接しており、前記カラーフィルタの端
部は、前記光電変換層の端部の他方より内側にある半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】センサアレイ基板、これを含む表示装置およびこれの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるセンサアレイ基板は、基板と、前記基板上のゲート配線およびデータ配線が交差して定義される複数の画素領域および前記複数の画素領域上に形成される複数の第１センサ部および複数の第２センサ部を含み、前記複数の第１センサ部は赤外線波長帯の光を感知し、前記複数の第２センサ部は可視光線波長帯の光を感知し、前記データ配線方向に隣接して配置された２個の第１センサ部は第１ユニットを形成し、前記データ配線方向に隣接して配置された２個の第２センサ部は第２ユニットを形成し、前記第１ユニットと前記第２ユニットが前記データ配線方向およびゲート配線方向に交互に配置される。 （もっと読む）

【課題】クラックに起因する暗電流の増加を抑制することが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０は、基板１１上の選択的な領域に設けられたｐ型半導体層１４と、ｎ型半導体層１７との間にｉ型半導体層１６を備えたものである。ｉ型半導体層１６は、ｐ型半導体層１４に非接触な角部１６ｅを少なくとも１つ有する。ｉ型半導体層１６において、例えばその形状等に起因する応力（ストレス）の影響を受けてクラックが発生した場合、ｉ型半導体層１６が上記のような角部１６ｅを有していることにより、クラックは、その角部１６ｅを起点（または終点）として発生し易くなる。この角部１６ｅが、ｐ型半導体層１４に非接触であることにより、発生したクラックがリークパスとなることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン、あるいは微結晶シリコンで作製したフォトダイオードを使用し、構造が簡単で、かつ低電圧で駆動可能なフォトセンサ装置を提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオードがアレイ状に配置されたフォトダイオードアレイと、前記フォトダイオードアレイの各行のフォトダイオードの第１電極に接続される複数の走査線と、前記フォトダイオードアレイの各列のフォトダイオードの第２電極に接続される複数の読出線と、前記複数の走査線に接続され、１水平走査期間毎に、前記各走査線に順次選択走査信号を供給する走査回路と、前記複数の読出線に接続され、信号読み出し時に、１水平走査期間の前記各読出線の電圧変動を信号電圧として取り込む信号処理回路とを備え、前記各フォトダイオードは、アモルファスシリコンあるいは微結晶シリコンで作製されており、信号読み出し時に、前記各フォトダイオードに対して、順方向のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】光電変換層のキャリア生成効率を上昇させることを目的とする。
【解決手段】光電変換層を複数種類の半導体を積層した構造とすることによって、広い波長範囲に渡って光を吸収することができるので、キャリア生成効率を上昇させることができる。さらに、複数種類の半導体を積層した光電変換層は膜厚比を最適化することによってキャリア生成効率を向上させることができる。具体的には、吸収係数を求め、透過光の強度式に代入し、透過光の積分強度が最小となる膜厚比を決定し、その膜厚比を膜厚となるように上記複数種類の半導体を成膜すればよい。 （もっと読む）

【課題】高い均一性を備える銀薄膜を熱処理により凝集させて凸凹を形成する場合、温度や表面状態により、一箇所に凝集し、銀薄膜が無くなってしまう領域と、銀が「だま」状に集中してしまう場所ができてしまう場合がある。この場合、本来の目的である乱反射領域にはならず、不良品となる課題がある。
【解決手段】多結晶ＩＴＯ層２０ａを積層し、フォトリソグラフ工程によりレジストマスクを形成した後、多結晶ＩＴＯ層２０ａを例えば塩酸系のエッチング液を用いてエッチングする。ここで、レジストマスクに覆われた部分は配線層として機能する。この場合粒界から選択的にエッチングが進行し、特定の面方位のグレインが残り、エッチングマスクとして機能する残渣２０ｂが形成される。この残渣２０ｂをマスクとして第２層間絶縁層１９をドライエッチングすることでテクスチャー構造を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】従来の多接合型太陽電池等において、太陽電池セルを積層するため半導体層の構造上の制約が多く十分な特性が得られないという問題があったので、積層構造の自由度を高め、光電変換効率を増大させることを目的とする。
【解決手段】複数の光吸収スペクトルの異なる太陽電池セルを積層した多接合型太陽電池において、太陽電池セルは、両面に開口する貫通孔を有する透明基板上に形成され、透明基板の貫通孔内部及び太陽電池セルの形成されていない側の面が、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えば、感度が高められた光電変換素子、及び光電変換装置、並びにイメージセンサを提供する。
【解決手段】下電極（１５１ｅ）は、基板（１０）上に形成されたゲート絶縁膜（４１）、絶縁膜（４２）、（４３）及び（４４）のうちアクリル樹脂の有機樹脂から構成された絶縁膜（４３）上に形成されている。下電極（１５１ｅ）は、基板（１０）上における断面形状が凹凸形状であり、且つ入射光に対して斜めに交差する光反射面を有している。したがって、下電極（１５１ｅ）によれば、フォトセンサ（１５１）の上側からフォトセンサ（１５１）に入射した入射光のうちｎ型半導体層（１５１ｂ）、受光層（１５１ｃ）及びｐ型半導体層（１５１ｄ）を透過した光を、入射光の入射方向とは別の方向に散乱させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】一つの部品で多方向からの光を検知することが可能な光センサを提供する。
【解決手段】透光性を有する基板１０１に複数の検出素子を有し、該検出素子は並列に接続され、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３）―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透光性を有する導電膜で形成された第１の透明電極１０２を有し、第１の透明電極１０２に接続される配線１０３、第１の半導体膜１０４、金属電極（極性：マイナス）１０５、及び金属電極１０５に接続される配線１０６によって第１の検出素子を構成し、第１の透明電極（極性：プラス）１０２、第１の透明電極１０２に接続される配線１０３、第２の半導体膜１０７、第２の透明電極（極性：マイナス）１０８、及び第２の透明電極１０８に接続される配線１０９によって第２の検出素子を構成する。 （もっと読む）

感光デバイスは、それぞれが仕事関数を有する第１のコンタクトおよび第２のコンタクトと、第１のコンタクトと第２のコンタクトとの間の感光物質とを備えるデバイスを含む。感光物質はｐ型半導体またはｎ型半導体を含み、感光物質は仕事関数を有する。回路が第１のコンタクトと第２のコンタクトとの間にバイアス電圧を印加する。バイアスが第１のコンタクトと第２のコンタクトとの間に印加されたとき、感光物質は、第１のコンタクトから第２のコンタクトまでの電子走行時間より長い電子寿命を有する。第１のコンタクトは電子の注入を提供し、正孔の抽出を阻止する。第１のコンタクトと感光物質間の界面は、１ｃｍ／ｓ未満の表面再結合速度を提供する。
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【課題】強光を受光することで出力電流が低下した際に生じる実際の光強度とのばらつきを補正して出力することのできる光電変換装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換素子と、光電変換素子に照射される入射光量に応じた第１の電流を流すための回路を具備する光電流出力回路と、透過率ａ（０＜ａ＜１）の遮光膜で遮光された補正用光電変換素子を具備し、補正用光電変換素子に照射される入射光量に応じた光電流を１／ａ倍にした第２の電流を流すための回路を具備する光電流補正回路と、第２の光電流と第１の電流との差に応じた第３の電流を１／（１−ａ）倍にした第４の電流を流すための回路を具備する光電流加算回路と、第１の電流及び第４の電流の和に応じた電流を増幅して出力する回路を具備する増幅回路と、とを有する。 （もっと読む）

【課題】珪素系ＰＩＮ−ＰＤの暗電流を減らすため、ＰＩＮ−ＰＤのＩ層を挟むＰ層、またはＮ層に炭素を加えバンドギャップを大きくし、Ｉ層からの暗電流を抑える方法では、炭化珪素と珪素とでは２５％程度格子定数が異なっており、珪素中に炭素を添加することで大きな応力が生じ、この応力により欠陥が発生し暗電流が増える。また、側面からのリークを下げるのみでは、暗電流を抑制は限定的なものとなる。
【解決手段】ＡｌＮｄを用いたＰＩＮ−ＰＤ１０の第１導電層２０をエッチング液で処理しテクスチャー構造を作り、さらにこの工程で生成されたＡｌＮｄ酸化物を下バリア層２１として用いる。この際、第１半導体層２２と第１導電層２０との間はＦＮ電流により電荷が伝達される。ＦＮ電流が少ない黒状態では下バリア層２１の微分抵抗は高く、暗電流の通過を阻止する。白状態では微分抵抗は低くなり、光電流は通過するので、画像のＳＮ比が上がる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサの赤外光検出性能を高めると共に、リーク電流を低減する。
【解決手段】受光層１５１ｃは、マイクロクリスタルシリコン（以下、“μ−ＣＳｉ”と称す。）等の微結晶半導体から構成されている。このような受光層１５１ｃは、アモルファスシリコン等の非晶質半導体層を用いる場合に比べて、赤外光の受光感度を向上させることが可能である。第１半導体層１５１ａ及び受光層１５１ｃ間に介在する第１中間層１５１ｂは、、第１半導体層（１５１ａ）及び受光層１５１ｃと接合層を構成している。第１中間層１５１ｂは、アモルファスシリコン等の非晶質半導体から構成されている。したがって、フォトセンサ１５１は、第１中間層１５１ｂの存在によって、受光層１５１ｃにμＣ−Ｓｉ等の微結晶半導体を用いることによって生じるリーク電流の増大を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】光センサー素子の応答速度を早め、検出精度を向上させた半導体装置を実現する。
【解決手段】検出回路５１０に繋がる第１の導電領域としての第１のｐ型半導体領域５３２−１、第１の導電領域としての第２のｐ型半導体領域５３２−２の面積を電源配線５２１に接続される第２の導電領域としての第１のｎ型半導体領域５３３−１〜第３のｎ型半導体領域５３３−３の面積に比べて小さく構成する。具体的には第１の導電領域を構成するサブ領域の個数は第２の導電領域のサブ領域の個数より少ないように構成する。また、第１の導電領域をｎ型、第２の導電領域をｐ型半導体で構成して電位勾配の発生をおさえる。 （もっと読む）

【課題】表示画面の輝度設定に影響を与えずに光センサの検出精度を向上できる光センサ内蔵表示装置を提供する。
【解決手段】この光センサ内蔵表示装置は、ＴＦＴ（ＴＦＴ：薄膜トランジスタ）アレイ基板４０ａの各画素部に、微結晶シリコンＴＦＴで構成された画素駆動用ＴＦＴ２２と、微結晶シリコンＴＦＴで構成された第１の光電変換用ＴＦＴ２０と、非晶質シリコンＴＦＴで構成され、第１の光電変換用ＴＦＴ２０と並列接続された第２の光電変換用ＴＦＴ２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサ素子の感度を向上可能する。
【解決手段】ｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとｐ層４７ｐとのそれぞれを液晶パネル２００の面の法線方向ｚにおいて、順次、積層することで、フォトセンサ素子３２を形成する。ここでは、ポリシリコンよりも光吸収係数が高い微結晶シリコンによって、ｉ層４７ｉを形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタを有する半導体装置を安価に大量生産することを可能にする、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板１１等の基板上にアモルファスシリコン層１３を形成する工程と、アモルファスシリコン層１３をパターニングして、薄膜トランジスタとなる所定のパターンを形成する工程と、その後、パターニングされたアモルファスシリコン層１３を結晶化する工程とを有して、薄膜トランジスタを有する半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】基板と、基板の一方の面に設けられた半導体集積回路部と、基板の他方の面、側面、及び半導体集積回路部の側面を連続的に覆う樹脂層とを有する。複数の半導体集積回路部が形成された基板の半導体集積回路部形成面と、固定基板とをワックスにより固定し、半導体集積回路部ごとに基板を分断する。個々に分断された半導体集積回路部が形成された基板を覆うように樹脂層を形成する。 （もっと読む）