【課題】フォトトランジスタの周波数応答性及び感度を向上させる。
【解決手段】基板の表面領域に形成されたコレクタ領域（１８）、ベース領域（１２）及びエミッタ領域（１４）を備え、光の入射に伴って発生する電子及び正孔をコレクタ領域（１８）とベース領域（１２）の境界で分離するフォトトランジスタであって、境界の少なくとも一部が凹凸に形成されていることを特徴とするフォトトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】イメージング装置において高い利得を実現し、所望のＳ／Ｎ比を得る。
【解決手段】イメージング装置の光センサアレイは、シリコンのような複数アモルファス半導体から形成されるバイポーラフォトトランジスタを使用する。該トランジスタは、オープンベース素子であって、入射する光子によって発生する正孔により、ベース領域への電流注入が生じる。また、コレクタ領域は、好ましくはアモルファスシリコンの真性層で形成される。該トランジスタは、バイポーラ電流が集積される集積モードか、もしくは、光の強度に応答する電流がモニタされる静的モードで動作する。 （もっと読む）

光活性材料を用いて、電源エレクトロニクスデバイスおよび回路の光制御に影響を与えるために従来法に対する大きな性能利点を有する電源デバイスおよび回路を作成する。浅いドナーをホウ素関連Ｄ−センターで補償することにより炭化ケイ素光活性材料を形成する。生成する材料はｎ型であることもｐ型であることもあるが、ポリタイプ毎に異なる、Ｄ−センターからの光励起電子が伝導バンド末端に近い状態となることが可能となるのに必要な閾値エネルギーよりも過剰な光子エネルギーを有する電磁放射線で照射するとき、その中に持続的光伝導性を誘導する能力により、他の材料と区別される。
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【課題】 画素を構成するスイッチング素子及び光電変換素子の絶縁膜の膜厚を個別に設定することによる各素子の特性の向上を目的とする。
【解決手段】 光電変換装置は、基板１００上に、光電変換素子１０１とスイッチング素子１０２とを含む画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する。スイッチング素子１０２は、基板１００側から、ゲート電極２０５、第１の絶縁層３０１ａ、第２の絶縁層３０２ａ、半導体層３０３ａの順に配置された構造体を有する。光電変換素子１０１は、第１の絶縁層３０１ａ上に、基板１００側から、下部電極２０１、第２の絶縁層３０２ａ、半導体層３０３ａの順に配置された構造体を有する。 （もっと読む）

【課題】 微弱光についても高精度に検出することができ、２次元アレイ化にも対応可能な、高感度な光検出素子を提供する。
【解決手段】 光検出素子１は、光を吸収して光電子を発生する光電子発生体１０と、光電子発生体１０で発生した光電子の量に応じた電流が流れるトランジスタ３０とを備えた光検出素子であり、トランジスタ３０は、光電子発生体１０の表面に絶縁体２０を介して形成されたソース電極３１とドレイン電極３２とを有し、ソース電極３１とドレイン電極３２とが、導電性又は半導電性のナノチューブを含むチャネル部３３を介して接続されたものである。 （もっと読む）