【課題】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の、励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察され、Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ^−１未満である。 （もっと読む）

【課題】種結晶上での結晶成長速度を大幅に向上させることができ、かつ長時間継続して結晶成長を行うことができる第１３族金属窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料１０１を溶媒１０２に溶解して溶液１０２または融液を作成する工程、溶液１０２または融液を攪拌する工程、及び溶液１０２または融液中で第１３族金属窒化物結晶の成長を行なう工程、を備える第１３族金属窒化物結晶の製造方法であって、溶液１０２または融液を攪拌する工程において、攪拌により溶液１０２または融液に投入される動力が０．０２Ｗ／ｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】酸素を含有するシリコン原料素材を用いてフローティングゾーン法でシリコン単結晶を製造する際に、炉内でのＳｉＯ_２の析出・付着を効果的に抑制することが可能なシリコン単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】フローティングゾーン法を用いてシリコン単結晶３を製造する装置１０であって、酸素を含有するシリコン原料素材１および種結晶２上に育成したシリコン単結晶３を収容する炉Ｃと、炉内のシリコン原料素材１と種結晶２との間に位置し、シリコン原料素材１を溶融して溶融帯Ｍを形成し、種結晶２上にシリコン単結晶３を育成するための誘導加熱コイル８と、シリコン原料素材１と誘導加熱コイル８との間に位置し、不活性ガスを吹き付けてシリコン原料素材１の溶融により発生するＳｉＯガスを外方拡散させる不活性ガス吹付け手段９とを備える。 （もっと読む）