【課題】置換基を有するフタロシアニン誘導体が酸により分解すること無く、代表的な有機半導体たる無置換フタロシアニン及び置換基を有するフタロシアニンからなるワイヤー状結晶、特にワイヤーの幅（短径）が１００ｎｍ以下のナノサイズの細線状の構造を有し、そのワイヤーの短径に対する長さの比率（長さ／短径）が１０以上であるフタロシアニンナノワイヤーの製造法を提供すること。
【解決手段】無置換フタロシアニンのみを酸に溶解させた後に、貧溶媒に析出させて得られた微細化無置換フタロシアニンを、置換基を有するフタロシアニン誘導体と混合し、溶媒中、もしくは溶媒蒸気雰囲気下に置くことで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】第１３族金属窒化物結晶の生成速度を大幅に向上させることができ、かつ高品質な結晶を製造することができる第１３族金属窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料１００を溶媒１０１に溶解して溶液を作成する工程と、溶液中で第１３族金属窒化物の結晶を成長させる工程、とを備える第１３族金属窒化物結晶の製造方法であって、溶液中に第１７族元素を含み、かつ結晶成長工程において反応容器１０２内の圧力が１．０ａｔｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】製作誤差や熱変形があっても、容易に組立でき、駆動軸の円滑な回転を可能とする結晶成長装置の提供。
【解決手段】複数の容器に囲まれ、加熱加圧雰囲気下で窒素ガスとＮａ／Ｇａ混合融液３とを反応させて該混合融液３に浸漬された種基板２上にＧａＮ結晶を成長させる反応容器１０と、複数の容器を挿通して設けられた駆動軸４１を軸周りに回転させて混合融液３を攪拌する攪拌装置４０と、を有する窒化ガリウム製造装置１であって、圧力容器３０と断熱容器２０との間において、第１駆動軸４１Ａと第２駆動軸４１Ｂとを偏心可能に、且つ、一体回転可能に軸方向で接続する軸継手６０を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低温で炭化ケイ素を製造することができる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】鉄（Ｆｅ）とケイ素（Ｓｉ）とを含みＳｉのモル分率が３３モル％以上５０モル％未満であるＦｅ−Ｓｉ合金を、グラファイト基板（炭素源固体）２２上で１２１０℃以上１５００℃未満の温度で溶融させ、溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２にＳｉＣ種結晶（種結晶）２１を接触させる。更に、溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２内に、グラファイト基板２２側が高温でＳｉＣ種結晶２１側が低温の温度勾配を発生させる。グラファイト基板２２中の炭素が溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２内に溶解し、溶解した炭素と溶融Ｆｅ−Ｓｉ合金１２中のＳｉとが化合したＳｉＣがＳｉＣ種結晶２１を基に析出することにより、ＳｉＣ単結晶成長層１３が成長する。 （もっと読む）

【課題】長時間安定して単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる改良方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５並びに単結晶ＳｉＣ製造用原料であるＳｉＯ₂粒子及びカーボン（Ｃ）粒子を供給するための原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、及び、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性キャリアガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、原料のＳｉＯ₂とＣの供給モル比が、ＳｉＯ₂：Ｃ＝１．０５：３．０〜２．０：３．０である単結晶ＳｉＣの製造方法、及びこの製造方法により製造された単結晶ＳｉＣ。 （もっと読む）