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Fターム[5F053DD12]の内容

半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | 成長物質 (682) | InGaAsP (3)

Fターム[5F053DD12]に分類される特許

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【課題】メルト析出物によるエピタキシャル層の表面欠陥の低減を図った発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面側に基板2を保持した基板ホルダー3上に、前記一方の面側に対向して原料溶液La,Lbを収納した原料ホルダー5を設け、基板ホルダー3をスライドして原料溶液La,Lbに基板2を接触させ、基板2上にエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法において、基板ホルダー3の前記一方の面側であり基板ホルダー3に保持した基板2のスライド方向に、原料溶液La,Lbが降温中に基板ホルダー3との界面に析出した析出物を除去する析出物除去溝7a,7bを形成し、降温を開始した後、基板ホルダー3をスライドし、析出物除去溝7a,7bに析出物を落として除去した後、基板2上にエピタキシャル層を成長させる方法である。 (もっと読む)


【課題】輝度低下要因の一つであるカーボン混入を低減させ、高輝度の発光素子(例えば、赤色LED)を作製するためのエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、活性層、クラッド層を含むエピタキシャル層を液相エピタキシャル成長法により順次成長させるエピタキシャルウエハの製造方法において、上記エピタキシャル層を成長させる際、上記エピタキシャル層内に取り込まれるカーボン量を3〜6×1017atoms/ccの範囲とすべく、最高到達温度での保持時間を1.25〜2hrとし、その後降温させ、降温中に上記エピタキシャル層を成長させる方法である。 (もっと読む)


【課題】薄板製造装置で連続して薄板を製造すると、融液を保持する坩堝の内壁上に融液の材料を主成分とする凝固物が形成される。該凝固物は薄板の製造を妨げるため、該凝固物を確実に溶融し、薄板を継続的に製造することができる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】該凝固物を溶融するための凝固物溶融機構を備える薄板製造装置および、該凝固物を溶融するための凝固物溶融工程を含む薄板製造方法に関する。該凝固物溶融機構は、融液に浸漬することで融液面の高さを上げ凝固物の少なくとも一部を融液で覆うことが可能な体積を有する体積物と、体積物を融液に浸漬するための体積物浸漬機構とを備える。 (もっと読む)


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