【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて製造することが可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明１つの電界効果トランジスタは、ソース領域１４４及びドレイン領域１４６並びにチャネル領域１４２を含む酸化物導電体層と、チャネル領域１４２の導通状態を制御するゲート電極１２０と、ゲート電極１２０とチャネル領域１４２との間に形成された強誘電体材料又は常誘電体材料からなるゲート絶縁層１３０とを備え、チャネル領域１４２の層厚は、ソース領域１４４の層厚及びドレイン領域１４６の層厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】半導体特性に影響を与えることなく、印刷法により形成される半導体の形状再現性に優れた電界効果型トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】基材上に、少なくともゲート電極、ソース電極、ドレイン電極と、半導体層およびゲート絶縁膜とが形成されてなる電界効果型トランジスタの製造方法であって、少なくともゲート絶縁膜上に半導体層を形成する工程を有し、該ゲート絶縁膜は露光によりシランカップリング剤と反応可能な官能基を生成し得る材料で形成されており、該工程の前に、ゲート絶縁膜上の半導体を形成する領域の周囲を露光する工程及び露光部においてフッ化アルキル基を有するシランカップリング剤と該官能基とを反応させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板とパターン状モールドとの間隙に、水素化ケイ素化合物およびハロゲン化ケイ素化合物よりなる群から選択される少なくとも１種のシラン化合物を配置する第一の工程と、配置した前記シラン化合物に熱処理および紫外線照射処理から選択される少なくとも１種の処理を施す第二の工程とを含むパターンの形成方法に関する。
【解決手段】上記第二の工程を不活性雰囲気または還元性雰囲気下で行うことによりシリコンからなるパターンを形成することができ、上記第二の工程の少なくとも一部を酸素含有雰囲気下で行うことによりシリコン酸化物からなるパターンを形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体型、超伝導体型、又は金属型の伝導特性を有する有機基板上へのパターンの直接的デザインを可能にする化学的方法に関する。本発明は、該方法によって得られる有機材料であって、電子装置（例えば、抵抗器、キャパシター、トランジスター、センサー及び電極等）、又は導体域又は半導体域及び低伝導性域、非伝導性域又は絶縁性域の所定のパターンを必要とするその他の用途において使用するための該有機材料にも関する。
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【課題】 ＳＯＩおよびＧＯＩの両部分に対して用いられるＣＭＯＳの製造方法を好適に提供すること。
【解決手段】 本発明によるシリコンベースのＣＭＯＳを製造する方法は、シリコン基板ウェハを用意する工程（１２）、シリコン基板ウェハ上に絶縁層を堆積させる工程（１４）、絶縁層をパターニングおよびエッチングする工程（１６）、絶縁層上およびシリコン基板ウェハの少なくとも一部の上に多結晶ゲルマニウムの層を堆積させる工程（１８）、多結晶ゲルマニウムをパターニングおよびエッチングする工程（２０）、絶縁材料を用いて多結晶ゲルマニウムを被覆する工程（２２）、多結晶ゲルマニウムの溶解に十分な温度でウェハを短時間アニールする工程（２４）、ウェハを冷却して多結晶ゲルマニウムの液相エピタキシを促す工程（２６）、これにより単結晶ゲルマニウム層を形成する工程、ＣＭＯＳデバイスを完成させる工程（２８）を含む。 （もっと読む）

【課題】 非特定領域への吸着を抑制した、中空状タンパク質微粒子の基板上への固定法を提供すること。
【解決手段】 微細な表面修飾膜パターンを有するシリコン半導体基板１０５上にフェリチン１０６の水溶液１０７を接触させて前記特定領域に前記フェリチンを固定する工程と、前記基板の表面を乾燥させることなく洗浄する洗浄工程と、前記基板を乾燥させる乾燥工程を有する微粒子固定方法であり、かつ前記水溶液の全イオン濃度が、１ｍＭ以下であり、かつ前記水溶液のｐＨが６．５以上７．５以下であることにより、非特定領域への吸着を抑制した、中空状タンパク質微粒子の基板上への固定ができる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜を形成するのに際して、光重合性を有する組成物の蒸発を抑制して、均一な膜厚の半導体膜を安定して形成することができ、また、蒸発した前記組成物によるフォトマスクやチャンバー内の汚染を防止し得る半導体膜の形成方法、半導体素子基板の製造方法、かかる方法により得られた半導体素子基板を備える電気光学装置、電子デバイスおよび半導体膜形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体膜の形成方法は、光透過性を有する基板１０の一方の面側に半導体膜を形成する方法であり、基板１０の一方の面側に、光重合性を有する組成物を含有する液状材料を供給して液状被膜２０ａを形成する工程と、液状被膜２０ａが形成された一方の面側を密閉容器４３で蓋った状態で基板１０の他方の面側から液状被膜２０ａに光４０を照射し、前記組成物を重合させて重合体膜を得る工程と、重合体膜を加熱することにより半導体膜を得る工程とを有する。 （もっと読む）