【目的】マルチビーム形成アパーチャによって散乱した荷電粒子によるブランキング偏向器アレイへの帯電とコンタミ成長を抑制する装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、荷電粒子ビームを放出する電子銃２０１と、マルチビームを形成するマルチビーム形成アパーチャ部材２０３と、マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレート２０４と、マルチビーム形成アパーチャ部材２０３とブランキングプレート２０４との間に配置された、電磁レンズ２１２，２１４と、電磁レンズ２１２，２１４の間であってマルチビームの集束点位置に配置され、集束点から外れた荷電粒子の通過を制限する制限アパーチャ部材２１６と、複数のブランカーによってビームｏｆｆの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する制限アパーチャ部材２０６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドリフトによる電子ビーム照射位置の変動を抑制して、所望のパターンを描画することのできる電子ビーム描画方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める。次いで、複数の位置ずれ量から補正値を求める。そして、この補正値から荷電粒子ビームの照射位置を補正する。主偏向領域の中心付近は、主偏向領域の中心を含む副偏向領域とすることができる。この場合、位置ずれ量は、副偏向領域における任意の１点についてのものとすることもできるし、副偏向領域における任意の複数の点の位置ずれ量の平均とすることもできる。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム方式の描画装置で、異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子光学系と制限部と制御部とを備える。荷電粒子光学系は、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたｎ以上のＮ本の荷電粒子線を含む行が、第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでｍ以上のＭ行存在し、Ｍ行のうち１番目からｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置が第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置がｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置と同じに配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する。制御部は、（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍの約数分の行だけ第２方向に沿って連続して使用できるように、制限部を制御する。 （もっと読む）

【課題】各コラムセルの露光データを迅速に作成できる電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供する。
【解決手段】コラムセルの位置が設計値通りであるとして主偏向領域を配置し、隣接する主偏向領域同士を結合して結合主偏向領域６１ｅ、６１ｆを生成する。次に、コラムセルの実際の位置に基づいて主偏向領域の位置を修正した修正主偏向領域５１ａを配置する。その後、結合主偏向領域６１ｅ、６１ｆに含まれる副偏向領域４２が修正主偏向領域５１ａと重なるか否かを、所定の順番で調べてゆく。そして、修正主偏向領域５１ａと重なる副偏向領域４２を、検出した順に並べて副偏向領域データを得る。 （もっと読む）

【課題】リカバー処理に掛かる時間を短縮することでスループットの向上を図ることのできる荷電粒子ビーム描画装置及び描画方法を提供する。
【解決手段】移動可能なステージ６１上に載置される試料にパターンを描画する描画部２と、荷電粒子ビームの偏向を制御する偏向制御部３２と、ステージの移動を制御するステージ制御部３６と、両者に対する制御を行う制御計算機３１、から構成される制御部３と、を備え、偏向制御部３２は、描画データを格納するバッファメモリ３２ｂと、バッファメモリ３２ｂから転送される描画データを格納するＦＩＦＯ３２ｃと、ＦＩＦＯ３２ｃへの描画データの転送量を判断した結果、バッファメモリ３２ｂへの描画データの格納が設定量に足りない場合に、ステージ制御部３６に対してステージ６１の停止を指示するとともに、ステージ６１を前記試料に対する描画の対象とされる位置にまで戻すリカバー処理を行う判定部３２ｄとを備える。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射光学系を備えるも、複数の荷電粒子線間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 コリメータレンズを含む照射光学系（１４０）と、照射光学系から射出した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイ（１１７）と、アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ複数のクロスオーバを形成する集束レンズアレイ（１１９）と、複数のクロスオーバに対応する複数の開口を備えた素子（１２２）と荷電粒子線を基板上に投影する複数の投影ユニットとを含む投影系（１６０）と、を有し、照射光学系の収差に依る入射角でアパーチャアレイに入射して集束レンズアレイにより形成される複数のクロスオーバのそれぞれの位置が前記素子における対応する開口に整合するように、集束レンズアレイは、前記素子における対応する開口に対して偏心している集束レンズを含む、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】偏向器の電極対の温度上昇を抑制し、かつ、スループットの向上に有利な偏向器アレイを提供する。
【解決手段】偏向器アレイ１３は、荷電粒子線３０を偏向する偏向器３１を複数備える。ここで、偏向器３１を構成する、荷電粒子線３０が通過する開口部３２に対して設置される電極対３３、および該電極対３３に電圧を印加する制御回路３４は、第１層４０および第２層４１の少なくとも２つの層からなる積層構造体に形成され、層の少なくとも１つ（第１層４０）は、電極対３３と制御回路３４との間に、断熱部４２を有する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線描画装置において、バッファメモリの容量の削減および高いスループットの実現に有利な技術を提供する。
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、荷電粒子線を偏向させる偏向器と、基板を駆動するステージ機構とを有し、前記偏向器によって荷電粒子線を主走査方向に走査するとともに前記ステージ機構によって前記基板を副走査方向に走査しながら前記基板にパターンを描画するように構成され、前記基板に対する荷電粒子線の照射および非照射を制御するブランカユニットと、前記ステージ機構によって前記基板が前記副走査方向に駆動されている状態で、前記基板に対する描画が停止された後に再開される際に、描画の停止から再開までの期間における前記ステージ機構による前記副走査方向における前記基板の駆動量だけ前記副走査方向に荷電粒子線を偏向させるように前記偏向器を制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 サブアレイの荷電粒子線を有効に利用するのに有利な描画装置を提供。
【解決手段】 荷電粒子線のアレイで基板に描画を行う描画装置は、基板を保持するステージと、基板に上記アレイを投射する投射系と、基板上の描画領域を変更するようにステージと投射系との間の所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、制御手段とを有する。投射系は、上記アレイが、基板上において、上記所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを含み、かつ、上記所定方向におけるスペースの幅（第１幅）が、上記所定方向におけるサブアレイの幅（第２幅）の［ｎ１／ｎ２］倍（ｎ１、ｎ２は正の整数）となるように構成されている。制御手段は、第１幅の［１／ｎ２］倍ずつ上記所定方向にずれている［ｎ１＋ｎ２］組の描画領域に複数のサブアレイで順次描画が行われて基板上のショット領域に描画が行われるように、投射系と駆動手段とを制御する。 （もっと読む）

【課題】偏向器の偏向の歪みによる描画精度の劣化を抑制する荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームを偏向制御して試料に照射することで描画を行う、荷電粒子ビーム描画装置１００であって、複数の図形が定義された描画データを記憶する描画データ記憶部１０６と、描画データを変換し荷電粒子ビームのショットを単位として構成され、複数の単位描画領域に分割されるショットデータを生成するショットデータ生成部１４０と、ショットデータに、偏向器の偏向領域中、単位描画領域の描画に使用可能な領域を、単位描画領域毎に指定するための偏向領域情報を付加する偏向領域情報付加部１５０と、偏向領域情報が付加されたショットデータから偏向器の偏向制御データを生成する偏向制御データ生成部１６０と、偏向制御データを用いて、単位描画領域毎に使用する偏向領域中の領域を切り替えながら描画を行う描画部１０２と、を有する。 （もっと読む）

【目的】多重描画する場合の描画時間の低減を図ることを目的とする。
【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、試料を載置し、描画の際に連続移動するＸＹステージ１０５と、多重描画する際の第１回目の描画用にＳＦ分割し、第２回目の描画用として改めてＳＦ領域に分割するＳＦ分割部１１２と、少なくともステージの移動方向と直交する方向に並ぶ複数のサブフィールド領域で構成されるサブフィールド領域群単位で第１回目の描画と第２回目の描画とを交互に繰り返すように描画動作を制御する順序制御部１１４と、ステージが所定の方向に連続移動している状態で、荷電粒子ビームを用いて、サブフィールド領域群単位で第１回目の描画と第２回目の描画とを交互に繰り返す描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】描画処理が一時的に停止した場合に、ステージを移動して電子ビーム漏れによる試料への影響を低減することのできる電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、描画制御部１１２からのショット開始指示にしたがって、ショットデータ生成部１１１から供給されるショットデータの描画を行う偏向制御部１１３と、ショットデータ生成部１１１から偏向制御部１１３へのショットデータの送信が途切れた場合に、偏向制御部１１３からショット中断信号を受け取る試料面外退避制御部１１５と、描画制御部１１２からの指示を試料面外退避制御部１１５へ転送し、試料面外退避制御部１１５の指示にしたがってステージ１０２を移動させるステージ制御部１１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】精度良くレジストに所望のパターンを形成することが可能な荷電ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電ビーム描画装置１０は、基板１１ｂ上に塗布したレジスト１１ａにビームを照射する照射部１２と、照射部を制御する制御部１４とを具備し、制御部は、ビームの照射量とビームの照射により引き起こされるパターンの位置偏移量との関係を取得し、レジストにパターンを形成するために必要なビームの基準照射量Ｄ１を取得し、パターンに対して許容される許容位置偏移量ｄＰを取得し、関係に基づいて許容位置偏移量に対応するビームの限界照射量Ｄｌｉｍｉｔを取得し、関係に基づいて基準照射量に対応する基準位置偏移量Ｐ１から許容位置偏移量を減じた飽和位置偏移量Ｐｓａｔに対応する飽和照射量Ｄｓａｔを取得し、照射部に対して１回の照射量が限界照射量を越えないように、飽和照射量に到達するまでビームをレジストに照射させる。 （もっと読む）

【課題】重なり露光される隣接したストライプの境界領域で照射量精度を向上する、複数ビームレットを含む電子ビームリソグラフィ方法を提供する。
【解決手段】露光ストライプで構成された画像画素の列であるストライプ（ｓ１、ｓ２）は、隣接したストリップに対するそれらの境界で、相互に重ねられた重複した縁（ｍ１２、ｍ２１）を備えるので、名目上の重複した縁（ｍ２１）の画像画素の位置は、対応している重複した縁（ｍ１２）の画像画素と重なる、または、本質的に一致する。重複した縁（ｍ２１）の露光の間、前記重複した縁の画像画素の第１の部分集合（ｎ_１）は、所望のパターンに関して相補的な部分集合である第２の部分集合（ｎ_２）のそれらが露光しない一方で、露光する；これに反して、対応している重複した縁（ｍ１２）の露光の間、第１の部分集合の画像画素に対応する画像画素は露光しないが、第２の部分集合の画像画素に対応するものは露光する。 （もっと読む）

【目的】異なる基板を用いた場合でも、加速中、或いは減速中の描画位置の誤差を補正可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビームを放出する電子銃２０１と、基板重量を入力し、基板重量を用いてかかる基板重量の基板にパターンを描画した際の位置ずれを補正する補正係数を演算する補正係数演算部１２と、補正係数を用いて電子ビームの第１の偏向量を補正する補正部２４と、補正された第２の偏向量で荷電粒子ビームを偏向し、基板上に荷電粒子ビームを照射する偏向器２０８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】近接効果補正照射量計算用ブロック枠の周りのフリンジ領域内の近接効果補正照射量の計算負荷を低減する。
【解決手段】レジストが上面に塗布された試料Mに荷電粒子ビーム10a1bを照射することにより、描画データDに含まれている複数の図形に対応する複数のパターンを試料Mの描画領域DAに描画する荷電粒子ビーム描画装置10の近接効果補正方法において、第１項から第ｍ項までの近接効果補正照射量の計算が終了した隣接している近接効果補正照射量計算用ブロック枠B2aと近接効果補正照射量計算用ブロック枠B2bとを結合することによって近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠B2abを作成し、近接効果補正照射量計算用結合ブロック枠B2abに対する第ｍ＋１項から第ｎ項（ｎは３以上の整数）までの近接効果補正照射量の計算を実行する。 （もっと読む）

【課題】通信回数を増加することなく、ステップアンドリピート描画モード時の可動ステージの移動効率を向上させる。
【解決手段】連続移動描画モードとステップアンドリピート描画モードとを有する荷電粒子ビーム描画装置10において、描画区画判定部10b1a1が、偏向制御部10b1eから描画制御部10b1aに送られたショット完了報告に含まれている次の主偏向座標に基づいて、次にパターンが描画される区画と、次にパターンが描画される区画を荷電粒子ビーム10a1bの照射位置に配置するためのステージ座標とを算出し、ステージ制御部10b1fが、描画制御部10b1aからのステージ移動指示を受けて、次の主偏向座標に基づいて描画区画判定部10b1a1により算出されたステージ座標まで、パターンが描画されない区画をスキップして可動ステージ10a2aを移動させる。 （もっと読む）

【課題】所望のパターン寸法とパターン精度を実現することが可能な電子銃および荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子源であるカソードと、前記カソードからの荷電粒子ビーム放出方向に順次、前記カソード以下の電位が印加されたウェネルトと、前記カソードより高い電位が印加されたアノードとを配置し、前記荷電粒子ビームを、前記ウェネルトの具備する開口部分を通過させて収束し、クロスオーバを形成するよう構成された電子銃について、前記ウェネルトと前記クロスオーバとの間の距離ｂを、前記カソードと前記ウェネルトとの間の距離であるギャップａにより除して算出される倍率Ｍ（＝ｂ／ａ）が１以下であり、かつ前記ギャップａが０．９ｍｍ以上となるように構成し、荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法で使用する。 （もっと読む）

【目的】帯電減衰に起因した照射位置の位置ずれを補正する装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、共にパターン面積密度に依存する帯電減衰量と帯電減衰時定数とを用いて、試料の描画領域に荷電粒子ビームを照射することにより帯電する帯電量分布を演算する帯電量分布演算部１２０と、帯電量分布の各帯電量に応答関数を畳み込み積分することにより、帯電量分布の各位置の帯電量に起因した描画位置の位置ずれ量を演算する位置ずれ量分布演算部１２２と、位置ずれ量が補正された位置に、荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、高いスループットで精度良く描画する。
【解決手段】 電子線描画装置は、電子光学鏡筒及び試料室を有する本体部、及び主制御装置２５０などを備えている。主制御装置２５０は、制御装置２５１、回転コントローラ２５２、位置コントローラ２５３、同心円演算処理装置２５４、多角形演算処理装置２５５を有している。そして、多角形演算処理装置２５５は、多角形を描画する際の基板の回転数、描画開始位置、多角形の辺の数、及び走査電極の偏向感度に基づいて、偏向周波数を演算する振幅演算調整回路、偏向周波数と同じ周波数の方形波信号から２次関数波信号を生成する第１の信号処理回路、及び２次関数波信号における基板の半径方向の外向きの偏向成分を折り返し、半径方向の内向きの偏向成分と加算して、同心円生成信号に重畳する第２の信号処理回路を有している。 （もっと読む）