【課題】試料の描画中に発生する電子ビームの位置異常、電子ビーム照射量等の特性の異常の発生を即座に検出できる電子ビーム装置及びその電子ビーム装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】偏向制御手段により試料上に照射されるように偏向制御された電子ビーム２を通過させる開口部９、偏向制御手段により試料上に照射されないように偏向制御された電子ビームを遮蔽する遮蔽部、および、遮蔽部の下面に発光物質を有する発光体を有するアパーチャ手段と、電子ビームが開口部を通過し試料に照射され反射された反射電子および２次電子１８の少なくとも一方により発光体から発生する光を検出する検出手段１１と、検出手段の検出結果１４に基づいて、試料上での照射状態を求める手段１５と、を備えるため、試料に照射された電子ビームの特性を導出できる。 （もっと読む）

【課題】電子ビームのウエハ面への垂直性であるテレセントリック度を高精度に検出して校正する電子ビーム装置およびその電子ビーム装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハと平行に設けられ、電子ビームを透過する単結晶から成る基板と、基板を透過した電子ビームを検出する検出手段と、検出手段の検出結果に基づいて電子ビームの基板への入射角度を制御する制御手段と、を有するため、信号強度が高く、Ｓ／Ｎの優れたチャンネリング信号が得られ、電子ビームのウエハ面への垂直性であるテレセントリック度を高精度に検出して校正できる。高精度に電子ビームのテレセントリック度を計測できるため電子ビーム描画の描画精度、特に、ＣＤ精度の優れた描画が可能となり、構成がシンプルであるためステージへの設置が容易となる。デバイス製造方法によれば、電子ビーム描画の描画精度、特に、ＣＤ精度の優れた描画が可能となる。 （もっと読む）

【目的】 成形アパーチャの劣化を抑制しながら必要な電子ビームの強度分布を維持する電子ビーム装置を提供することを目的とする。
【構成】 電子ビーム２００を発生する電子銃２０１と、大きさの異なる複数の開口部が形成され、前記電子ビーム２００を受けて前記複数の開口部のいずれかを通過させ、残りの電子ビーム２００の通過を制限するＣＬ−ＡＰ２１０と、前記ＣＬ−ＡＰ２１０の開口部を通過した電子ビーム２００を所望の形状に成形する第１の成形アパーチャ２０３及び第２の成形アパーチャ２０６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 各種の微細構造物の必須の機能を保証する空間を容易且つ迅速に形成するとともに、製造コストの飛躍的な低減を実現し得る微細構造物の作製方法を提供する。
【解決手段】 貴金属成分（Ｉｒ）とハロゲンとからなる前駆体を、微細孔５３の底部に吸着させるとともに、吸着させた前駆体にハロゲンラジカルを作用させて還元することにより前記貴金属の薄膜５７を形成した後、ハロゲンラジカルによるエッチングモードとして前記薄膜５７を触媒とする基板３のエッチングを急激に進行させることで基板３内における前記各微細孔５３の下方にキャビティ５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は可変成形型電子ビーム描画装置における高分解能ビーム寸法補正方法を高速かつ低コストで提供し、高精度の電子ビーム露光を実現することである。
【解決手段】本発明は、ビーム電流測定でビーム寸法を多項式で近似し、各次数でオフセットおよび回転係数の寄与の大きい微細寸法領域をあらかじめ校正して、ゲイン係数はｘｙ座標方向に独立にオフセット係数を加え、高次の台形係数はビーム寸法大領域でその傾斜歪が最小となるように校正するものである。 （もっと読む）

【課題】 稼働率を低下させることなく且つコストを増大させることなくアパーチャマスクの交換時期を判定可能となる電子ビーム描画装置のアパーチャマスク交換判定方法を提供する。
【解決手段】 複数の開口部４０ａ〜４０ｅを有するアパーチャマスク２０を介して被処理基体２７に電子ビームを照射するステップと、電子ビームの照射量を測定するステップと、測定された電子ビームの照射量を照射量記憶部に格納するステップと、描画データに基づいて複数の開口部４０ａ〜４０ｅのうち対象とする開口部４０ａを選択するステップと、照射量記憶部４２から電子ビームの照射量を読み出して、対象とする開口部４０ａに対して過去に照射された電子ビームの累積照射量を計算するステップと、累積照射量に基づいてアパーチャマスク２０の交換が必要か判定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム描画システムの電流計測の多様な計測モードにおいて、電流計測に要求される計測精度を保障した上で、最短時間での計測を行い、効率の良い電流計測を可能にする電子ビーム電流計測技術を提供する。
【解決手段】要求精度を保障する最短時間で計測可能な計測パラメータの一覧を参照データとして作り、この参照データを用いて、計測パラメータを決定し５０４、効率の良い電流計測を行う５０６。また、事前に計測された個々のビームごとの電流値や計測ばらつきを履歴データとして保存しておき、これを参照することで、計測パラメータの決定を正確に行う。さらに、履歴データからビーム電流条件の変化をチェックすることで、不良ビームの判定を行う５１２。これらにより、多様な計測モードにおいて、常に最短時間で計測を実現する。 （もっと読む）

【課題】 装置の個性等に適応した周期で荷電粒子ビーム描画装置の校正を行う方法を実現する。
【解決手段】 荷電粒子ビーム描画装置の校正を周期的に繰り返すにあたり（１０１）、判定項目の値が第１の許容範囲に継続的にとどまるときは、校正の繰り返し回数を数えてその計数値が予め定められた回数に達したときに校正周期を短縮し（１０２−１０５）、判定項目の値が第１の許容範囲を逸脱するときは、第２の許容範囲にとどまるか否かに応じてそれぞれ校正周期を維持または短縮する（１０７−１１０）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一部の電子ビームに異常が発生し、その電子ビームを除く範囲の電子ビームを用いて描画する場合に、使用する電子ビームの最大範囲を自動的に特定する機能を備えた電子ビーム描画方法およびその装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の電子ビームを生成し、前記複数の電子ビームを被露光物上に照射して描画をする電子ビーム描画方法であって、電子ビームが照射する照射範囲内に異常な電子が存在するところを避けて区画され、かつ正常な電子ビームが占める最大な矩形の区画領域を算定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 描画中にビームの一部が欠けている状態や、ビームの一部が露光された状態となるのを防ぎ、パターン寸法精度などの描画性能を向上させる。
【解決手段】 荷電粒子線を用いて被露光基板上に所望のパターンを露光するために、前記荷電粒子線を遮蔽するためのブランキングアパーチャ１１０と、ブランキングアパーチャ１１０を光軸に対して略垂直な平面内で移動するＢＡステージ４０１，４０２と、ブランキングアパーチャ１１０の開口面積を変える開口可変手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ステージ上での荷電粒子ビームの照射位置の測定時において、荷電粒子ビームの偏向動作の分解能を細かくすることにより、当該測定をより正確に行う。
【解決手段】 荷電粒子ビーム源１と、荷電粒子ビーム源１から試料９に向けて放出された荷電粒子ビーム７を偏向し、これにより試料９上で荷電粒子ビーム７を走査するための偏向器４と、試料９を載置すると共に試料９の移動を行うステージ８と、これら荷電粒子ビーム源１、偏向器４、及びステージ８の動作を制御する制御部１６とを備える荷電粒子ビーム装置において、制御部１６により、ステージ８上での荷電粒子ビーム７の照射位置を測定する際での偏向器４による荷電粒子ビーム７の偏向動作の分解能を、試料９上に荷電粒子ビーム７を走査する際での偏向器４による荷電粒子ビーム７の偏向動作の分解能に対して高分解能となるように切り換える。 （もっと読む）

耐雑音性が高く、高感度のビーム電流測定を実現することのできる測定装置および測定方法を提供する。
外部磁場遮蔽用の磁気遮蔽部（８）と、前記磁気遮蔽部によって生成された遮蔽空間に配された磁場センサ（２）とを備え、測定すべきビーム電流が生成する磁場を前記磁場センサで測定するビーム電流測定装置であって、前記磁場センサの磁束−帰還電流変換係数を８×１０^−１５ＷＢ／Ａ以上とする。
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【課題】 荷電ビーム描画装置の描画精度を向上する。
【解決手段】 第１成形アパーチャ８上のビーム電流分布傾向を第１の偏向手段２により偏向された複数の偏向状態において測定し、それらの測定値をもとに第１の偏向手段２にフィードバックを行うことで、制限アパーチャ４の開口部と制限アパーチャ４上のビームの電流密度分布の位置関係に関する調整を行う。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム描画装置において、微弱なビーム電流を高精度に計測する際、長い伝送経路に重畳するノイズの影響を低減し、また、マルチビーム描画装置において、微弱なビーム電流を高精度に効率よく計測する技術を提供する。
【解決手段】 電子ビーム検出素子１０９と検出信号用伝送経路１２４を遮断・接続するスイッチ１１０を用いて、ビーム電流計測の間、電子ビーム検出素子１０９を検出信号用伝送経路１２４から遮断し、電子ビーム検出素子１０９内に検出信号を蓄積し、計測終了と同時に電子ビーム検出素子１０９と検出信号用伝送経路１２４を接続し、蓄積信号を計測する。また、同様な計測方法を複数同時に行うため、電子ビーム検出素子と複数のスイッチとを用いて、複数本の電子ビームを同時に高精度に計測する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線の照射量を安定して高精度に計測することができる荷電粒子線露光装置を提供する。
【解決手段】 感応基板ステージ上に配置され、投影ビームを検出するセンサ４０を具備する荷電粒子線露光装置であって、 センサ４０はビーム入射開口７５を有し、ビーム入射開口７５の大きさが、投影ビームの偏向形態６０の大きさとほぼ等しいか、それよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】露光／非露光部にて電子ビームを高速にＯＮ／ＯＦＦして描画する電子ビーム描画装置において、ビームＯＮ時間に対するビーム照射量の非直線性により、試料上に形成される描画パターンの寸法精度が悪化するという課題がある。
【解決手段】露光／非露光部にて電子ビームを高速にＯＮ／ＯＦＦして描画する電子ビーム描画装置において、ビームＯＮ時間に対するビーム照射量の特性を予め計測し、ビームＯＮ時間の補正データを作成しておき、描画時には前記補正データに基づいて、所望のビーム照射量が得られるようにビームＯＮ時間を補正する。 （もっと読む）