【課題】描画中の電流密度分布の自動調整が可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】本発明の荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子銃より荷電粒子ビームを照射し、荷電粒子ビームを第1のアパーチャで第１の成形を行い、第１の成形がなされた荷電粒子ビームを、第２のアパーチャのエッジのいずれかに所定の面積がかかるように照射することにより第２の成形を行い、第２の成形がなされた荷電粒子ビームの電流値を測定し、第２の成形および電流値の測定を、複数のエッジについて同様に行うことにより得られた各電流値より、荷電粒子ビームの中心位置のズレ情報を取得し、ズレ情報に基づき、アライメント調整を行う。 （もっと読む）

本発明は、多数のビームからのそれぞれのビームの強度が決定されるリソグラフィシステムであって、複数のビームを同時に感知して、これらの集合信号を与えるように構成されたセンサ領域を有するセンサを備えた測定装置を具備するリソグラフィシステムに関する。複数のビームが、関連する一時ブランキングパターンに従ってそれぞれ変調される。本発明は、さらに、測定された集合信号及びビームの一時ブランキングパターンによってそれぞれのビームの強度を計算する方法に関する。
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【目的】第１と第２のアパーチャ間での焦点合わせを行なう装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を照射する電子銃２０１と、電子ビーム２００を成形する第１と第２のアパーチャ部材２０３，２０６と、電子ビーム２００を一旦偏向した後に向きを変えて第１のアパーチャ部材２０３を通過する位置に偏向するアライメントコイル２１２，２１４と、第１のアパーチャ部材２０３を通過した電子ビーム２００の焦点を調整する結像レンズ２１８と、結像レンズ２１８により調整されるビームの焦点位置とアライメントコイル２１２，２１４によるビームの偏向量との組合せを変化させた際の同じ焦点位置で異なる偏向量間での第２のアパーチャ部材２０６上でのビームの位置の差を演算する制御計算機１１０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、第１と第２のアパーチャ間での焦点合わせを行なうことができる。 （もっと読む）

【目的】最適なセトリング時間を迅速に見つけるための検査方法を提供することを目的とする。
【構成】偏向アンプのセトリング時間検査方法は、セトリング時間を設定して、設定されたセトリング時間で駆動させる偏向アンプの出力により制御される偏向器により電子ビームを偏向させて、第１と第２の成形アパーチャを通過させることによって成形された異なる２種のパターンを複数回交互にショットする工程と、ショットされたビーム電流を測定する工程と、測定されたビーム電流について、積分電流を演算する工程と、演算された積分電流と基準積分電流との差分を演算し、出力する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、最適なセトリング時間を迅速に見つけることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、かぶり効果によるＣＤ変動を補正するための照射量のより精密な調整が可能な電子ビーム描画装置の調整方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子ビーム描画装置の調整方法は、電子ビームを測定用マスクの所定位置に照射し、電子ビームの照射された照射位置の周辺に所定間隔で設けられた複数の測定位置において、かぶり量を測定し、複数の測定位置においてそれぞれ測定されたかぶり量より、かぶり効果補正パラメータを求め、かぶり効果補正パラメータにより、電子ビームの照射量を調整する。 （もっと読む）

【課題】大電流の電子ビームを利用する場合でも、ウェハにパターンを精度良く露光する電子ビーム露光装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム露光装置１００は、電子ビームを成形する第１及び第２のブロックパターンを有するマスク３０を備え、第１のブロックパターンで成形され、第１の電流を有する電子ビームが露光すべき第１の露光パターンに対する第１のブロックパターンの倍率は、第２のブロックパターンで成形され、第２の電流を有する電子ビームが露光すべき第２の露光パターンに対する第２のブロックパターンの倍率とは異なる。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子ビーム描画装置のビーム電流検出方法に関し、オンライン動作させながら、電子ビームの電流密度を測定することができるようにした電子ビーム描画装置のビーム電流測定方法を提供することを目的としている。
【解決手段】第１のスリットと第２のスリットを組み合わせることで、任意の形状の電子ビームを作り、その電子ビームを描画材料１２上に照射して所定のパターンを描画するようにした電子ビーム描画装置のビーム電流測定方法であって、第２のスリットを電子ビームが開口部を通過しないようにして、第２のスリットを流れる電流Ｉａを求め、次に第２のスリットの部分で電子ビームの一部が開口部を通過するようにして第２のスリットを流れる電流Ｉｂを求め、前記電流ＩａとＩｂの差分に基づいて材料面上の電流密度を測定するように構成する。 （もっと読む）

【目的】渦電流によるビームの描画位置のずれを低減する描画装置及び方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を照射する電子銃２０１と、電子ビーム２００を偏向する主偏向器２１４と、試料１０１を載置して連続移動するＸＹステージ１０５と、試料上に焦点合わせを行なう対物レンズ２０７と、対物レンズ２０７に起因する第１の磁場と、第１の磁場とステージの移動とによって生じる渦電流によって生じる第２の磁場とに基づく試料面上での電子ビーム２００の位置ずれを補正する補正量を計算する補正量計算部１２６と、補正量を用いて試料面での位置ずれを補正した補正位置を計算するオフセット部１２８と、補正位置に荷電粒子ビームが偏向されるように主偏向器２１４を制御する偏向制御回路１１０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、渦電流による磁場の影響分の位置補正を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】 マルチビームが試料面に対して垂直になるようにランディング角を高精度に調整することができる露光装置、及びその露光装置を用いたデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 電子線が通過する際に平行ビーム化する集束レンズ１１２と、平行ビームが通過する際にマルチビーム化するアパーチャアレイ１１３と、マルチビームの個別の通過の際にオンオフ用偏向を行うブランカーアレイ１１５と、マルチビームが個別に通過する２段配置の偏向器を有するマルチアライナー１１６，１１７と、マルチビームを一括して偏向する一括偏向器１１９と、マルチビームが流入されるブランキング絞り１２０と、マルチビームを個々に試料面に結像させる電子光学系１３０，１３１とを有する。ブランキング絞りに流入するマルチビームの電流の検出に基づき、マルチアライナー１１６，１１７により試料面に対してマルチビームが垂直になるようランディング角を調整する。 （もっと読む）

【課題】 可視光や紫外光等によって影響を受けることなく、試料に照射された電子線エネルギーを正確に測定することのできる電子線照射システムを提供する。
【解決手段】 電子線照射システムにおいては、チャンバ２に収容された試料４に電子線Ｅを照射し、その試料４に照射された電子線エネルギーを、電子線検出器７によって測定する。このとき、電子線検出器７の検出面７ａを、導電性遮光膜７ｂで覆うことにより、当該電子線検出器７にて電子線Ｅを検出する際に、チャンバ２内における可視光や紫外光等から影響を受けることを防止する。これによって、試料４に照射された電子線エネルギーを正確に測定することができる。 （もっと読む）

【課題】 所望パターンを効率的かつ高い信頼性のもとに露光できるラスタースキャン荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線をラスタースキャンしながら、照射をオンオフすることにより、パターンを描画する荷電粒子線描画方法において、線幅を測定する対象の前記パターンを描画する第１の描画工程と、前記第１の描画工程の後に前記パターンの描画位置を前記線幅の測定方向に移動して前記第１の描画工程を実行する第２の描画工程と、前記第１の描画工程及び前記第２の描画工程において固定された前記パターンからの荷電粒子線量を測定する測定工程と、測定された前記荷電粒子線量と前記描画位置とに基づいて前記描画パターンの線幅を決定する線幅決定工程とを有する。 （もっと読む）

【目的】ファラデーカップまでビームを到達させる手間を省き、より短時間にアライメントコイルによるビームの光軸調整を行なう方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のアライメントコイルによるビーム軸調整方法は、アライメントコイルを用いて荷電粒子ビームを走査して、アライメントコイルから見て荷電粒子ビーム進行方向の後段に位置するアパーチャの画像を取得する画像取得工程と、取得された画像の輝度に基づいて、輝度の重心位置を演算する重心位置演算工程と、かかる重心位置に荷電粒子ビームが照射されるように上述したアライメントコイルへ流す励磁電流を調整するアライメント工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、より短時間でビーム軸を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】装置を大気開放すること無しに、簡便にマスクを検査することができる電子ビーム露光装置、及び電子ビーム露光装置用マスクの検査方法を提供すること。
【解決手段】
ブロックパターン８ａの形状に電子ビームEBを整形するブロックマスク８と、複数のブロックパターン８ａのうちの一つに電子ビームEBを偏向する偏向器１３、１４と、ブロックパターン８ａを通った電子ビームEBをウエハ２６表面に結像させるレンズ系２１と、レンズ系２１を通った電子ビームEBの電流値を測定する電流計２７ａと、上記電流値をブロックパターン８ａの開口面積で割ることにより電子ビームEBの電流密度を算出し、更に該電流密度が基準値の許容範囲を超えているかどうかを調べ、超えている場合にブロックパターン８ａに異常があると判断する制御部３０とを有する電子ビーム露光装置による。 （もっと読む）

【課題】原盤作製用ディスクに対するピット形成に必要な情報の記録を高精度に行うことができる電子ビーム装置を提供する。
【解決手段】原盤作製用ディスク２の１ピット形成部分を照射する情報記録用電子ビーム鏡筒の数が内周部から外周部にかけて多くなるように情報記録用電子ビーム鏡筒（４６−１〜５５−１、４６−２〜５５−２、４６−３〜５５−３、４６−４〜５５−４）を配置し、原盤作製用ディスク２を一定角速度で回転させる場合においても、原盤作製用ディスク２の半径方向の各点での単位面積あたりの電子ビーム照射量を均等化する。 （もっと読む）

【課題】 ２次元分布を考慮して中心座標を決定する方法を提供する。
【解決手段】 電子線の偏向量を（Ｘ_ｉ，Ｙ_ｊ）（ｉ＝１〜128，ｊ＝１〜128）とし、そのときにブランキングアパーチャ１２に流れる電流をＩ（Ｘ_ｉ，Ｙ_ｊ）とする。まず、Ｉ（Ｘ_ｉ，Ｙ_ｊ）を、以下に示すようにＹ軸方向に積算してＢ（Ｘ_ｉ）を求める。このようにして求まったＢ（Ｘ_ｉ）を図に示す。Ｂ（Ｘ_ｉ）の差分をとり、差分データのゼロクロスポイントを求めると、Ｉ（Ｘ_ｉ，Ｙ_ｊ）のＸ方向中心値が求まる。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム描画装置において、微弱なビーム電流を高精度に計測する際、長い伝送経路に重畳するノイズの影響を低減し、また、マルチビーム描画装置において、微弱なビーム電流を高精度に効率よく計測する技術を提供する。
【解決手段】電子ビーム検出素子１０９と検出信号用伝送経路１２４を遮断・接続するスイッチ１１０を用いて、ビーム電流計測の間、電子ビーム検出素子１０９を検出信号用伝送経路１２４から遮断し、電子ビーム検出素子１０９内に検出信号を蓄積し、計測終了と同時に電子ビーム検出素子１０９と検出信号用伝送経路１２４を接続し、蓄積信号を計測する。また、同様な計測方法を複数同時に行うため、電子ビーム検出素子と複数のスイッチとを用いて、複数本の電子ビームを同時に高精度に計測する。 （もっと読む）

【課題】
可変成形電子ビームを用いる描画装置において、高い寸法精度での描画を行うことが出来る電子線描画技術を提供する。
【解決手段】
可変成形ビームを用いる電子ビーム描画装置において、可変成形ビームの電流量を計測するための複数の電子ビーム検出器１３０、１３１を有し、可変成形ビームの複数のビームサイズに応じて計測された電流値を、電子ビームの露光時間にフィードバックすることにより解決する。 （もっと読む）

粒子ビームリソグラフィーのようなシステムにおいて使用される粒子ビームまたはその他のビームのようなビームの形状補正および位置決め補正を決定するシステムおよび方法である。補正された偏向器電圧を提供する方法は、現在の偏向器電圧値から以前の偏向器電圧値を減算することによって、電圧ステップ値を決定すること、電圧ステップ値と現在の偏向器電圧値のための露光時間とを用いて、複数の補正値を決定すること、現在の偏向器電圧値を用いて、複数の補正値から現在の電圧補正値を選択すること、および、現在の電圧補正値を現在の偏向器電圧値に加算することによって、補正された偏向器電圧値を計算することを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は電子線描画装置の描画異常検出方法に関し、描画材料表面のゴミ等による描画異常検出が可能な検出方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 電子線で描画材料表面を描画する電子線描画方法において、描画データの描画と同期しながら描画中吸収電流測定を行ない、描画中吸収電流量の変化のあった場所の座標位置及び／又は図形を記憶・表示することように構成される。レジストの表面にゴミ等が付着している場合には、その点の吸収電流が小さくなるので、電子線の描画異常を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】
荷電粒子線露光装置において、部品破損をなくし、精度良く照明強度を調整する方法を提供すること。
【解決手段】
荷電粒子線投影露光装置において、荷電粒子線源から放射される電流値とレチクル上の照明強度との関係を事前に校正して、必要な放射電流をレチクル上の照明強度の関数として表した近似式として定義する。レチクル上の照明強度を設定変更する際に、設定変更動作の前に現在の放射電流値とレチクル上の照明強度を計測し、照明強度計測値が、放射電流値と上記の近似式から計算された照明強度の目標値に対し、許容誤差範囲１内にあるかどうかを判断する。その結果、照明強度計測値が許容誤差範囲１内の場合は、荷電粒子線源から放射される電流値を変更する。許容誤差範囲１外の場合は、放射電流値を変更せずに処理を終了する。 （もっと読む）