【課題】カソードの長寿命化を図ることが可能な電子銃の駆動方法と、この機能を備えた電子ビーム描画装置、さらには、カソードの長寿命化を図ることが可能な電子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】所定間隔毎に、電子ビームの電流密度を測定し、この値から得られる輝度が目標輝度のスペック内でない場合に、エミッション電流を調整して輝度がスペック内となるようにする。電子ビームの開き角の測定値が設定範囲内となるように調整してから、エミッション電流の調整を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】描画中の電流密度分布の自動調整が可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】本発明の荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子銃より荷電粒子ビームを照射し、荷電粒子ビームを第1のアパーチャで第１の成形を行い、第１の成形がなされた荷電粒子ビームを、第２のアパーチャのエッジのいずれかに所定の面積がかかるように照射することにより第２の成形を行い、第２の成形がなされた荷電粒子ビームの電流値を測定し、第２の成形および電流値の測定を、複数のエッジについて同様に行うことにより得られた各電流値より、荷電粒子ビームの中心位置のズレ情報を取得し、ズレ情報に基づき、アライメント調整を行う。 （もっと読む）

【課題】 所望パターンを効率的かつ高い信頼性のもとに露光できるラスタースキャン荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線をラスタースキャンしながら、照射をオンオフすることにより、パターンを描画する荷電粒子線描画方法において、線幅を測定する対象の前記パターンを描画する第１の描画工程と、前記第１の描画工程の後に前記パターンの描画位置を前記線幅の測定方向に移動して前記第１の描画工程を実行する第２の描画工程と、前記第１の描画工程及び前記第２の描画工程において固定された前記パターンからの荷電粒子線量を測定する測定工程と、測定された前記荷電粒子線量と前記描画位置とに基づいて前記描画パターンの線幅を決定する線幅決定工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンの寸法を精度良く予測できるマスクパターンの作成方法を提供すること。
【解決手段】 マスクパターンの作成方法は、レジスト膜上に転写される光または荷電ビームのパターンに関し、その光強度分布または荷電ビーム強度分布に係る第１の関数を見積もる工程（Ｓ２）と、前記第１の関数を用いて前記レジスト膜の特性が反映された第２の関数を算出する工程（Ｓ３）と、前記第２の関数に係る勾配を算出する工程（Ｓ４）と、前記算出した前記勾配に基づいて、前記第１の関数を補正することにより、前記パターンが転写された前記レジスト膜を現像して得られるレジストパターンの寸法を予測する工程（Ｓ５）とを含む。 （もっと読む）

【課題】電子ビームリソグラフィシステムの電磁集束法を提供する。
【解決手段】電子ビームリソグラフィシステムの真空チャンバ内で、エミッタからウェーハに所定パターンの電子ビームを投射するための電磁集束法であって、電磁気をフォーカシングするための初期条件を設定する第１工程と、エミッタから放出される電子の初期放出速度及び放出角度差による電子ビーム広がり現象を補正する第２工程と、電場と磁場とが平行ではなくして発生する電子ビームの偏移を補正する第３工程と、磁場の微小変位による電子ビームの偏移を補正する第４工程と、エミッタから放出された電子間のクーロン相互力による電子ビームの半径増大を補正する第５工程と、を含み、フォーカシング誤差が許容誤差範囲内にあるか否か確認し、許容誤差範囲を外れる場合、第１工程ないし第５工程を反復することを特徴とする電子ビームリソグラフィシステムの電磁集束法である。 （もっと読む）

【課題】 第１アパーチャの像を第２成形アパーチャマスク上に精度良く結像することができるＥＢ描画装置を提供すること。
【解決手段】 ＥＢ描画装置は、ＥＢを成形するための第１アパーチャを含む第１成形アパーチャマスク、第１アパーチャにより成形され、第１アパーチャの像を含むＥＢを偏向する偏向手段、偏向されたＥＢを成形する第２成形アパーチマスク、第１アパーチャの像を第２成形アパーチャマスク上に結像する投影レンズ、第２成形アパーチャマスクに設けられ、偏向されたＥＢにより走査され、第２成形アパーチャマスク上に結像される第１アパーチャの像の偏向焦点、偏向非点を検査する検査用マーク、検査用マークを走査したＥＢの強度プロファイルを検出する検出手段、強度プロファイルに基づいて偏向焦点量、偏向非点量を算出する算出手段、偏向焦点量、偏向非点量に基づいて、偏向焦点、偏向非点の補正を行うための補正手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】 ノイズによる悪影響を抑制することにより、レジストのラインエッジラフネスを低減することができ、ＣＤ精度の高いパターン描画を可能にする。
【解決手段】 荷電粒子ビーム描画装置により、試料上のレジストに所望の図形パターンを描画するパターン描画方法であって、描画装置の構成要素２３，３１〜３５に対して、ノイズ発生器７０により周波数の異なる複数のノイズを順次注入し、構成要素２３，３１〜３５と周波数との組み合わせに対して同一パターンを試料２１上のレジストに描画し、レジストを現像して形成された複数のレジストパターンのエッジ形状を取得し、取得された各エッジ形状から形状誤差に関係する特性データを求め、求めた各特性データから形状誤差がしきい値以上となる構成要素と周波数との組み合わせを特定し、特定された構成要素の信号入力側に特定された周波数の帯域をカットするノイズフィルタを導入する。 （もっと読む）

【課題】所望のパターン寸法精度を得られる荷電粒子線露光装置を提供する。
【解決手段】露光される基板に対して荷電粒子線の遮蔽と露光を繰り返すブランキング手段を用いて前記基板を露光する荷電粒子線露光装置において、ブランキングの方向を調整する。ブランキングの方向は、例えばラスタースキャン方向と垂直な方向または荷電粒子線の基板上でのビーム径が最も短い方向となるように調整する。 （もっと読む）