【課題】ドリフトによる電子ビーム照射位置の変動を抑制して、所望のパターンを描画することのできる電子ビーム描画方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームの主偏向領域の中心付近における位置ずれ量を求める。次いで、複数の位置ずれ量から補正値を求める。そして、この補正値から荷電粒子ビームの照射位置を補正する。主偏向領域の中心付近は、主偏向領域の中心を含む副偏向領域とすることができる。この場合、位置ずれ量は、副偏向領域における任意の１点についてのものとすることもできるし、副偏向領域における任意の複数の点の位置ずれ量の平均とすることもできる。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム方式の描画装置で、異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子光学系と制限部と制御部とを備える。荷電粒子光学系は、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたｎ以上のＮ本の荷電粒子線を含む行が、第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでｍ以上のＭ行存在し、Ｍ行のうち１番目からｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置が第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置がｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置と同じに配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する。制御部は、（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍの約数分の行だけ第２方向に沿って連続して使用できるように、制限部を制御する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム描画装置を含む半導体製造システムにおいて、地震発生時に電子ビーム描画を中止することなく、段ズレ等による描画パターンの品質低下の無い高品質なパターン描画が可能な半導体製造システムを提供する。
【解決手段】地震情報を受信する受信装置と、電子ビーム描画装置とを含む半導体製造システムであって、上記受信装置が、緊急地震情報を受信する受信部と、震度と到達時間を計算する計算部と、一定の震度以上の主要動を予測検出した際のみに電子ビーム描画装置へ地震対策指示の信号を出力する信号出力部と、を備え、上記電子ビーム描画装置が、出力信号を受信する信号受信部と、出力信号に基づいて一定の震度以上の主要動到達前に所定の動作を完了してから、装置の運転を一時停止する地震対策実行部と、一定時間経過後に、運転動作を再開する復帰実行部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】地震振動による描画効率及び描画精度の低下を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、試料Ｗに描画する描画パターンに基づいて荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２と、地震の震度に関する震度情報を受信する震度受信部３４と、その震度受信部３４により地震の震度情報が受信された場合、描画部２による描画中の描画パターンの描画精度と、震度受信部３４により受信された震度情報の震度とに応じて、描画部２による描画を中止する描画制御部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の温度測定中のバッテリ切れをなくすとともに、実際の描画処理と同様の状況下での測定を可能とし、かつ各チャンバ内の温度調整を精度良く行うことが可能な温度調整用マスク及び荷電粒子ビーム描画装置の温度調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１を構成するチャンバ内の温度を測定する温度測定装置１１と、温度測定装置１１を収納する筐体１２と、筐体１２の互いに対向する辺に配置される複数のバッテリ１３，１４と、温度測定装置１１が測定した温度測定データを送出するデータ送出部１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】描画中に放電箇所を特定することのできる電子ビーム描画装置および電子ビーム描画装置の診断方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、電子ビームを放出する電子銃１００と、電子銃１００に電子の加速電圧を印加する高圧電源１０８と、電子銃１００の内部の圧力変動と、高圧電源１０８の電圧変動とをそれぞれ演算し、圧力変動が所定の圧力変動値以上である時刻と、電圧変動が所定の電圧変動値以上である時刻とをデータ出力する演算部１１１と、演算部１１１から出力されたデータを受け取り、圧力変動が生じた時刻と電圧変動が生じた時刻とが一致している場合にログＡとしてこの時刻を記録し、電圧変動が生じた時刻に対応する圧力変動のデータがない場合にログＢとしてこの時刻を記録する記録部１１２とを有する。電子銃１００の内部の圧力は真空計１１０によって測定する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用マスクの評価を簡便且つ正確に行うことができ、また、精度劣化の原因を効率的に把握できる、パターン描画方法、パターン描画装置およびマスク製造方法を提供する。
【解決手段】環境要素となる、温度、磁場、気圧、振動、入力電圧、ビームドリフトおよびビーム電流密度の内少なくとも１つを測定しながら試料上にビームを照射して、パターンを描画する。このパターンには、主パターンと、主パターンの領域外に描画される第１の副パターンおよび第２の副パターンとがあり、第１の副パターンを描画する第１の描画工程の後に、主パターンを描画する第２の描画工程を行う。主パターンの描画工程では、環境要素の変化量によって主パターンの描画を停止し、第１の副パターンの近傍の所定位置に第２の副パターンを描画した後、主パターンの描画に戻る工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】スループットの維持を図りつつＤＡＣアンプが異常（故障）として検出される前にショットの変化を確実に検出していくことで、ＤＡＣアンプの異常（故障）を事前に予測可能とするＤＡＣアンプの評価方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】ＤＡＣアンプ３４，３５から出力されるアナログ電圧信号を受信し、加算するステップと、加算の結果生成される加算信号をデジタル加算信号に変換するステップと、デジタル加算信号を基にエラーを検出するステップと、を備え、エラー検出ステップでは、電子ビーム照射の整定待ち時間を整定時間よりも短く設定することで荷電粒子ビームのショット時におけるＤＡＣアンプ３４，３５の電圧値が予め設定される閾値外となることをエラーと定義する。 （もっと読む）

【課題】基板ズレの解析を容易にする荷電粒子ビーム描画装置の基板ズレ評価方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置の基板ズレ評価方法は、３軸加速度計を備える評価用基板を準備し、評価用基板を互いに直交する水平なＸ方向およびＹ方向に移動自在なステージに載置し、ステージを移動させる。そして、評価用基板に印加される加速度を３軸加速度計を用いて測定し、ステージのＸ方向の位置およびＹ方向の位置をレーザ干渉計を用いて測定し、位置の測定結果からステージに印加される加速度を算出する。さらに、評価用基板に印加される加速度とステージに印加される加速度を解析して、ステージと基板との相対位置のズレである基板ズレを評価する。 （もっと読む）

【課題】従来よりもさらに偏向精度を向上させることが可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は描画対象となる基板の高さ方向分布を測定するＺ測定部５０と、基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を基板の高さ方向分布に加算して、補正するＺマップ補正部５４と、補正されたＺマップを用いて描画されるパターンの位置ずれ量を演算するＺ補正部６０と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に電子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部６２と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】既に行った描画処理の再現と同等な装置制御が可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、電子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部１５０と、既に完了した過去の描画処理について過去の描画処理中に取得された環境データを記録した環境データ履歴を記憶する記憶装置１４２と、環境データ履歴を入力し、環境データ履歴に記録された環境データを現在の環境データとしてデータ処理する環境データ処理部３２と、環境データ履歴に記録された環境データを用いて、過去の描画処理の再現となるように、試料に対する描画位置を補正する補正部２０と、補正されたことにより過去の描画処理の再現となる試料の描画位置にパターンを描画するように現在の描画処理を制御する描画処理制御部１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高精度な描画位置にビームを照射可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、描画対象となる基板１０１の位置を検出する測定部５２と、基板を配置するＸＹステージ１０５と、検出された基板の位置を用いて、基板とステージとの相対位置を演算する相対位置演算部５３と、演算された相対位置から得られる補正量を用いて、パターンの描画位置を補正する補正部７２と、ステージ上に基板を配置した状態で、荷電粒子ビームを用いて基板上の補正された描画位置にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】試料の温度変化による描画精度の低下を抑制することのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、マスク基板２を載置するステージ３を内蔵する描画室１と、ステージ３に載置されるマスク基板２に電子ビーム５４を照射するビーム照射手段１０と、マスク基板２の伸縮量を測定するレーザ干渉計と、伸縮量を補正量として電子ビーム５４の照射位置にフィードバックする補正処理部３１ａとを有する。マスク基板２の伸縮量は、そのＸ軸方向およびＹ軸方向の少なくとも一方について、端面のそれぞれを２点ずつ測定することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】試料に形成されたパターンに起因する高さ測定誤差を低減して、描画精度の向上を図ることのできる高さ測定方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、高さ測定方法は、高さの基準となる範囲を決定する工程と、ＰＳＤを含むアナログ信号処理回路上でのオフセット値を求める工程と、ＰＳＤの出力値からオフセット値を差し引いた値を用いて試料の高さの測定データを求める工程と、試料の高さの測定データの内で基準となる範囲に含まれない値を除き、残った値を用いてフィッティングを行い、試料の高さデータを作成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線描画装置において、バッファメモリの容量の削減および高いスループットの実現に有利な技術を提供する。
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、荷電粒子線を偏向させる偏向器と、基板を駆動するステージ機構とを有し、前記偏向器によって荷電粒子線を主走査方向に走査するとともに前記ステージ機構によって前記基板を副走査方向に走査しながら前記基板にパターンを描画するように構成され、前記基板に対する荷電粒子線の照射および非照射を制御するブランカユニットと、前記ステージ機構によって前記基板が前記副走査方向に駆動されている状態で、前記基板に対する描画が停止された後に再開される際に、描画の停止から再開までの期間における前記ステージ機構による前記副走査方向における前記基板の駆動量だけ前記副走査方向に荷電粒子線を偏向させるように前記偏向器を制御する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ストライプ間でドリフト補正量のばらつきをより少なくすることが可能な描画可能な装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、描画領域が短冊状に分割された複数のストライプ領域について、ストライプ領域毎に当該ストライプ領域を描画する描画時間を予測するストライプ描画時間予測部５２と、描画される前のストライプ領域に対し、当該ストライプ領域の予測された描画時間の中間時刻を用いて、当該ストライプ領域を描画する際の荷電粒子ビームのドリフトを補正する補正量を算出するドリフト補正量算出部５４と、当該ストライプ領域を描画する際に、当該ストライプ領域の描画開始位置から、算出された補正量で補正された描画位置に所望のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料の高さを正確に測定することのできる高さ測定方法と、高さを正確に測定して高い精度で描画することのできる電子ビーム描画装置とを提供する。
【解決手段】光の波長を所定値としたときの反射光の光量を測定し、光量が閾値以下である場合には光の波長を変えて反射光の光量を測定する工程を繰り返し、光量が閾値より大きくなる波長で試料の高さを測定する。あるいは、光の波長を変えて反射光の光量を測定し、光量が最大となる波長で試料の高さを測定する。 （もっと読む）

【課題】検出器の分解能に起因するエラーの発生を抑制する。
【解決手段】磁気記録媒体上にて、データ領域の情報とサーボ領域のサーボ信号と、を検出するために別途用いられる検出器の分解能を入力する分解能入力手段と、或る露光位置の候補α、βから別の露光位置の候補α、βまでの距離を、分解能入力手段により入力された分解能の自然数倍に設定することにより、露光位置の候補α、βを基板４上にて決定する露光位置候補決定手段と、電子ビームの照射位置を基板４に対して相対的に移動させる移動手段と、サーボパターンに対応した形状の露光且つデータパターンに対応した形状の露光を行う露光手段とを備え、移動手段により基板４を移動させながら、露光手段を用いて、露光位置候補決定手段により決定された或る露光位置の候補にのみ露光を行う、及び／又は、或る露光位置の候補α、βを始点とし且つ別の露光位置の候補α、βを終点として連続的に露光を行う。 （もっと読む）

【課題】マスクなどの試料面の高さと実質的に等しい高さのマークを用いて、電子ビームの焦点や偏向感度を調整することが可能なマーク台が設けられたステージ装置と、このステージ装置を用いた電子ビーム描画装置とを提供する。
【解決手段】ステージ装置は、電子ビームの光軸と直交する方向に移動可能なＸＹステージと、ＸＹステージ上に固定された電子ビーム調整用のマーク台と、マーク台が固定されている領域を回避してＸＹステージ上に搭載され、光軸方向に移動可能であり、試料が載置されるＺステージとを有する。マーク台には、表面の高さが異なる複数のマーク４ａ_１、４ａ_２、４ａ_３、４ｂ_１、４ｂ_２、４ｂ_３が設けられた基準チップ１１４、１１５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】より精度の高い寸法でパターンを描画可能な装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、描画開始前に描画時間を予測すると共に、描画中に改めて描画時間を再予測する描画時間予測部と、予測された描画時間を用いて荷電粒子ビームの照射量を算出すると共に、描画中に再予測された描画時間を用いて、残りの描画に対する荷電粒子ビームの照射量を算出し直す照射量計算部５０と、照射量が算出し直される前は算出し直される前に算出された照射量でレジストが塗布された試料にパターンを描画すると共に、照射量が算出し直された後は算出し直された照射量でレジストが塗布された試料に以降のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）