【課題】地震振動による描画効率及び描画精度の低下を抑止する。
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置１は、試料Ｗに描画する描画パターンに基づいて荷電粒子ビームによる描画を行う描画部２と、地震の震度に関する震度情報を受信する震度受信部３４と、その震度受信部３４により地震の震度情報が受信された場合、描画部２による描画中の描画パターンの描画精度と、震度受信部３４により受信された震度情報の震度とに応じて、描画部２による描画を中止する描画制御部３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ローディング効果による寸法変動量と描画されたレジストの経過時間による寸法変動量とを合わせて補正する描画装置、及び描画方法を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、近接効果補正係数と基準照射量との第１の組と、近接効果密度毎の裕度と、放置時間に起因するパターンの寸法変動量とを用いて、近接効果密度毎の荷電粒子ビームの第１の照射量を演算する照射量演算部４４と、第１の照射量を、裕度と寸法変動量とをパラメータとせず近接効果補正係数と基準照射量とをパラメータとする照射量演算式を用いてフィッティングして、近接効果補正係数と基準照射量との描画位置毎の第２の組を取得する近接効果補正係数及び基準照射量演算部５０と、第２の組を用いて荷電粒子ビームの第２の照射量を演算する照射量演算部５６と、描画位置毎に、演算された第２の照射量の荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】適切な位置依存ベースドーズ・近接効果補正係数の値を計算する。
【解決手段】レジストが上面に塗布された試料Mの描画領域に荷電粒子ビーム10a1bを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置10において、パターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）と影響分布関数κ_Ｇとの畳み込み積分計算を畳み込み積分計算部10b1a4によって実行し、ローカル領域内のパターン面積密度Ｕとグローバル領域内のパターン面積密度Ｖとローカル領域内に描画されるパターンのドーズラチチュードＤＬとの関係であって、パターン面積密度Ｕおよびパターン面積密度Ｖの値を変化させた関係に基づくと共に、畳み込み積分計算部10b1a4により得られる値であって、パターン面積密度Ｖの値に対応する値に基づき、位置依存ベースドーズＤ_ｂ^ΔＣＤ（ｘ）および位置依存近接効果補正係数η（ｘ，ｙ）を計算する。 （もっと読む）

【目的】複数の補正マップで描画位置を補正する場合に効率的に処理を行なうことが可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、描画位置を補正するための複数の補正量マップデータを記憶する記憶装置１４２と、複数の補正量マップデータを入力し、複数の補正量マップデータから描画する際の各ショット位置を取り囲む位置に定義される部分データを抽出する抽出部１２と、抽出された部分データを用いて各補正量マップデータの部分マップを作成する部分マップ作成部１４と、作成された複数の部分マップを合成する合成部１６と、合成された合成マップに定義された補正量を用いて補正された各ショット位置に荷電粒子ビームを照射することによって試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細かつピッチが近接したパターンを形成するのに適したパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、第２レジストパターンの形成にあたり第２レジスト膜に電子線が露光される部位の少なくとも一部は、第１レジストパターンの形成にあたり第１レジスト膜に電子線が露光された部位同士に挟まれた位置に対応する部位に配置されている。これにより、電子線ビームの近接効果の影響を受けずにパターン形成を行なうことが出来る。よって、従来、電子線ビームの近接効果の影響が無視できなかった微細なピッチ幅のパターンであっても好適にパターン形成を行なうことが出来る。 （もっと読む）

【課題】ホウ化マグネシウム超伝導体の微細パターンの作製方法において、超伝導特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】結晶基板１０１の上に、電子線レジストからなる微細パターン１０２を形成する（図１（ａ））。次に、微細パターン１０２の上に、室温においてアモルファス状炭素１０３及びアモルファス状珪素１０４を蒸着する（図１（ｂ））。その後、電子線レジストの微細パターン１０２をリフトオフして、炭素および珪素からなる微細パターン１０６を形成する（図１（ｃ））。次に、微細パターン１０６を設けた基板１０１の上にホウ化マグネシウム１０５を蒸着する（図１（ｅ））。ここで、蒸着時の基板温度は２８０℃であることが好ましい。最後に、ホウ化マグネシウム１０５が形成された基板１０１の超音波洗浄を行うことにより微細パターン１０６をリフトオフして、ホウ化マグネシウム１０５の微細パターンを得る（図１（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】基板上にレジスト膜と帯電防止膜とを積層してなる試料において、ミキシング層の影響を排して、パターンプロファイルの劣化が無い、高精度なレジストパターンを形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型レジスト膜とこの化学増幅型レジスト膜上に形成された導電性膜とを有する基板試料に所望のパターンを露光する露光工程と、露光後の基板試料に加熱処理をする加熱工程と、加熱処理された基板試料上のレジスト膜に現像処理をする現像工程と、露光工程と加熱工程との間または加熱工程と現像工程との間に、導電性膜、化学増幅型レジスト膜の一部をドライエッチングまたはアッシングにより剥離する剥離工程とを有する。 （もっと読む）

【目的】現像後のレジストパターンの寸法変動をより高精度に補正する描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、試料１０１の描画領域をメッシュ状に仮想分割した小領域毎にパターン密度を計算するパターン密度計算部１２２と、描画後におこなう現像処理の際の現像液の流れ方とパターン配置位置関係とに起因するパターンの寸法変動を補正する複数の補正係数を記憶する磁気ディスク装置１４０と、磁気ディスク装置１４０から小領域毎にいずれかの補正係数を取得する取得部１２４と、取得された補正係数を用いて、電子ビーム２００の照射量を計算する照射量計算部１２６と、計算された照射量で、試料に所定のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、現像後のレジストパターンの寸法変動をより高精度に補正することができる。 （もっと読む）

【課題】帯電防止膜剥離時の剥離残りが防止され、現像後の面内均一性に優れたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】パターン形成方法が、レジスト膜を半導体基板上に形成する工程、前記レジスト膜上に帯電防止膜を形成する工程、前記レジスト膜に対して電子線を露光する工程、温度３０℃以上３５℃以下の剥離液を用いて前記帯電防止膜を剥離する工程、および前記レジスト膜に対して現像を行い所定のパターンを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチングプロセスによるパターン変動を有効に補正することができる荷電粒子ビーム露光データの補正工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】露光パターンデータと露光量データとを有する露光データにしたがってレジスト膜を露光する荷電粒子ビーム露光工程と，その工程で露光され現像されたレジストパターンをマスクにして被エッチング膜をエッチングするエッチング工程と，被エッチング膜のパターン寸法を測定して，製造ロット毎，エッチング装置毎，パターン密度毎，被エッチング膜の下の段差の上下毎，パターン毎のいずれか一つまたは複数に対応した測定パターン寸法データを有するパターン寸法データベースを構築する工程およびパターン寸法データベースに基づいて，露光データの露光パターンデータまたは露光量データをエッチング工程によるパターン変動を吸収するように補正する露光データのエッチング補正工程を有する。 （もっと読む）

【課題】レジスト上に帯電防止膜が形成されている場合に、精度良くパターンを形成できる荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法を提供すること。
【解決手段】荷電粒子ビーム露光装置は、帯電防止膜が被着されたレジスト膜に荷電粒子ビームを照射して露光を行う露光部１００と露光後のウエハを処理する露光後ウエハ処理部１６０とを有する。前記露光後ウエハ処理部１６０は、露光後に前記帯電防止膜を剥離する帯電防止膜除去手段１６２と、前記ウエハのベーク処理を行うベーク手段１６３と、露光後のウエハを前記帯電防止膜除去手段１６２に搬送し、前記帯電防止膜を除去させた後に前記ベーク手段１６３に搬送する露光後ウエハ処理制御手段２０９とを有する。 （もっと読む）

【課題】 熱処理ユニットを不要として、装置のフットプリントを小さくし、化学増幅型レジスト液を用いる場合には、露光処理時にレジスト膜に与えるエネルギーが小さい場合でも、酸触媒反応を十分に進行させ、スループットの低下を抑えながら、良好なパターン形状を得る。
【解決手段】 現像ユニットの基板保持部３に加熱手段３２を組み込み、現像ユニットにて、例えば化学増幅型レジスト膜が形成されたウエハに表面改質液であるグリセリンが存在する状態でＰＥＢ処理を行う。これにより露光処理時にレジスト膜に与えるエネルギーが不足する場合であっても、この不足分が補完され、化学増幅型レジスト液の酸触媒反応が促進されて酸発生の連鎖反応が起こるので、スループットの低下を抑えながら、良好なパターン形状を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】試料を試料室から露光装置に入れる動作と試料を露光装置から試料室に出す動作とを、同時に行なえるを提供する。
【解決手段】パターンの設けられている基板を保持する基板ステージ手段と、前記基板を一時格納する基板格納手段と、試料を移動可能に保持する試料ステージ手段と、前記試料を一時格納する試料格納手段と、前記試料を前記試料格納手段と前記試料ステージ手段との間で搬送する第１搬送手段と、前記第１搬送手段を格納する第１搬送空間と、前記第１搬送空間の気圧を制御する第１気圧制御手段とを有する第１ロードロック手段と、前記試料を前記試料格納手段と前記試料ステージ手段との間で搬送する第２搬送手段と、前記第２搬送手段を格納する第２搬送空間と、前記第２搬送空間の気圧を制御する第２気圧制御手段とを有する第２ロードロック手段と、を有することを特徴とする半導体露光装置。 （もっと読む）