【課題】レーザー照射でヒューズを溶断しなくても半導体装置の回路特性を調節することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１の不純物領域１ａ上に第１の絶縁膜２を形成する。第１の絶縁膜２上に、互いに離間している第１の導電膜３ａ及び第２の導電膜３ｂそれぞれを形成し、さらに第２の絶縁膜４を形成する。第２の絶縁膜４上のうち、第１の導電膜３ａの上方及び第２の導電膜３ｂの上方それぞれを含む領域に、第１の金属膜５を形成し、第２の絶縁膜４上及び第１の金属膜５上に、保護膜６を形成する。保護膜６に、第１の金属膜５上に位置する開口部６ａを形成し、開口部６ａ内及びその周囲に位置する前記保護膜６上に、第１のバンプ７を形成する。そして第１のバンプ７を押下することにより、第１の絶縁膜２の絶縁性を破壊し、第１の導電膜３ａと第２の導電膜３ｂとを、不純物領域１ａを介して導通させる。 （もっと読む）

熱プログラマブルメモリは、熱プログラマブル抵抗材料、好適には、相変化材料のプログラマブル素子（２０）と、プログラマブル材料に隣接するように配置された破壊可能な又は破壊されたアンチヒューズ（８０）とを有する。そのような破壊されたアンチヒューズは、製造中に誘電体に小さな孔を形成するよう高電圧を短時間誘電体の両端間に印加できるようにするために導電層（９０，１１０）に包囲された誘電層（１００）から有して、材料をプログラミングする際のきわめて小さいヒータとして用いることができる小さい導通経路を形成することができる。孔による電流の制限のために、高抵抗状態に切り替えるために加熱する必要がある材料の量が非常に少なくなる。その結果、プログラム電力を低くすることができる。
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【課題】接地用配線を設けずに半導体素子の破壊を確実に防止して、集束イオンビーム加工により集積回路の導電体を切断する。
【解決手段】
複数のＭＯＳＦＥＴ(41,42)を設けた半導体基板(10)上に形成された導電体に互いに離間する一対の接地端子(31,32)を電気的に接続し、一対の接地端子(31,32)の間に延伸する導電体にスパッタリングイオン(33)を照射して、第４の配線導体(4)に供給されるスパッタリングイオン(33)を一対の接地端子(31,32)の各々を介してグランドに流出させながら、スパッタリングイオン(33)により第４の配線導体(4)を切断する。スパッタリングを行う際に、スパッタリングイオン(33)は、一対の接地端子(31,32)の各々を通り第４の配線導体(4)からグランドに排出されるため、ＭＯＳＦＥＴ(41,42)に流入するスパッタリングイオン(33)を回避して、ＭＯＳＦＥＴ(41,42)の破壊又は損傷を確実に防止することができる。 （もっと読む）