【課題】支持基板に接地電極を備えることなく、第１、第２素子形成領域間でノイズが伝播することを抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】支持基板１０を、第１導電型領域１０ａと第２導電型領域１０ｂとを有し、第１素子形成領域２０にノイズが印加されてノイズが伝播されたときの当該ノイズの伝播経路中に、第１、第２導電型領域１０ａ、１０ｂで構成されるＰＮＰ接合またはＮＰＮ接合を有するものとする。このような半導体装置では、ＰＮＰ接合またはＮＰＮ接合の間に構成される空乏層により、第１、第２素子形成領域２０、３０の間でノイズが伝播することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】外部からの高周波ノイズに対して誤動作しにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型コレクタ層１１上に配置されたｐ型ベース層１２ｂと、ｐ型ベース層１２ｂ上に配置されたｎ型エミッタ層１３ｂと、ｐ型ベース層１２ｂ上にｐ型ベース層１２ｂを包囲するように配置されたｎ型ベースコンタクト層２１と、ｎ型コレクタ層１１上にｐ型ベース層１２ｂと離隔して配置されたｐ型アノード層１２ｃと、ｎ型エミッタ層１３ｂに接続されたエミッタ電極１６ｃと、ｐ型ベース層１２ｂおよびｎ型ベースコンタクト層２１に接続されたベース電極１６ａと、ｐ型アノード層１２ｃに接続され、かつエミッタ電極１６ｃと共通接続されたアノード電極１６ｂと、エミッタ電極１６ｃとベース電極１６ａ間に接続された第１抵抗Ｒ１と、ベース電極１６ａに接続された第２抵抗Ｒ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の回路を搭載する場合において、回路間のノイズ伝播などの誤動作を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】支持基板と、前記支持基板上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ第１回路を有する第１半導体層と、前記絶縁層上に設けられ、前記第１半導体層と絶縁され、第２回路を有する第２半導体層と、前記絶縁層上のうち前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、前記第１半導体層及び前記第２半導体層とそれぞれ絶縁され、電気的に接地された容量領域を有する分離層とを備える。 （もっと読む）

【課題】異常動作の発生を抑制することを可能にする。
【解決手段】モータ駆動回路は、入力電極が電源側に接続され出力電極がモータコイルの一端と接続される第１トランジスタと、入力電極がモータコイルの一端と接続され出力電極が接地側に接続される第２トランジスタと、入力電極が電源側に接続され出力電極がモータコイルの他端と接続される第３トランジスタと、入力電極がモータコイルの他端と接続され出力電極が接地側に接続される第４トランジスタと、第１及び第４トランジスタがオンの状態と第１〜第４トランジスタ全てがオフの状態とを適宜選択してモータコイルを駆動する駆動制御回路と、入力電極が電源側に接続され出力電極がモータコイルの一端と接続された第５トランジスタと、第５トランジスタがオンになると第４トランジスタをオンさせる保護回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】能動素子または受動素子が一つの半導体基板に複数個形成されてなる半導体装置およびその製造方法であって、両面電極素子についても絶縁分離と集積化が可能であり、安価に製造することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２０が、当該半導体基板２０を貫通する絶縁分離トレンチＴに取り囲まれて、複数のフィールド領域Ｆ１〜Ｆ８に分割されてなり、複数個の能動素子３１〜３３，４１〜４３または受動素子５１，５２が、それぞれ異なるフィールド領域Ｆ１〜Ｆ８に分散して配置されてなり、二個以上の素子が、当該素子に通電するための一組の電極ｄｒ１，ｄｒ２が半導体基板２０の両側の表面Ｓ１，Ｓ２に分散して配置されてなる、両面電極素子４１〜４３，５１，５２である半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのＮ型領域が負電位となる半導体集積回路において、寄生電流の影響を効果的に防止できるとともに、チップ面積の増大を防ぐことができる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｎ領域が負電位となるトランジスタＱ１と、そのトランジスタＱ１に隣接するトランジスタＱ２との間のＰ型分離領域１２中に、Ｎ型島領域としてのコンタクト領域１１を電源電位とした抵抗領域のＰ型領域１０を配置する。また、Ｐ型分離領域１２をトランジスタＱ１の周囲を取り囲むように配置し、さらにコンタクト領域１１を、トランジスタＱ１の外側を取り巻くように配置することにより、チップ面積の増加を伴わずに、寄生トランジスタＱ３，Ｑ４による影響を低減する。 （もっと読む）