Fターム[5F083AD00]の内容
半導体メモリ (164,393) | DRAM (5,853)
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読出しトランジスタ (1,433)
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1MOSトランジスタ+1Cap以外のDRAM (506)
Fターム[5F083AD00]に分類される特許
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半導体記憶装置
【課題】 多ビットのデータを入出力可能であって、動作速度の遅延や消費電力の増大を抑えたDRAMを提供する。
【解決手段】 このDRAMでは、多数のグローバル入出力線対GIOがサブワードドライバ領域24間のメモリセルアレイ上を走る。ローカル入出力線対LIOはメモリサブブロック26ごとに複数に分割される。グローバル入出力線対GIOとローカル入出力線対LIOを接続するスイッチング素子30はセンスアンプ領域22上に分散して配置される。1つのローカル入出力線対LIOには複数のビット線対が共通に接続される。
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