【課題】本発明は、電界が存在する際に、ナノスコピックワイヤを成長させるステップを含む方法を提供する。電界は、ワイヤの成長の方向を定めるだけの十分な強さからなる。この方法は、オプションで、自己集合した単分子膜上にナノスコピックワイヤを成長させるステップを含む方法と組み合わせて用いることができる。全ての方法において、ナノスコピックワイヤの成長は、化学気相成長（ＣＶＤ）を用いて実行されることができる。
【解決手段】本方法は、金属ナノチューブと半導体ナノチューブとの混合体を設けるステップと、半導体ナノチューブから金属ナノチューブを分離するステップと、を含む方法。
分離するステップは、前記混合体を、金属ナノチューブの向きを選択的に定めるだけの十分な強さの電界にかけるステップを含む。電界は、半導体ナノチューブが前記電界に対して、その向けられないままであるような強さからなる。 （もっと読む）

【課題】モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物の絶縁体相−金属相間の相転移を容易に誘起することができるペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法を提供する。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物の相転移を誘起するための相転移誘起方法は、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物に、これまでの数ｋＶ／ｃｍよりも２桁低い４０Ｖ／ｃｍ〜８０Ｖ／ｃｍ程度の電場を印加することで、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物を金属相に相転移させると共に、電場の印加により金属相に相転移したペロブスカイト型酸化物を冷却させることで、常磁性金属相にあるペロブスカイト型酸化物を強磁性金属相に相転移させる。 （もっと読む）

マルチプログラマブル不揮発性デバイスは、ソース／ドレイン領域の一部分に重なるＦＥＴゲートとして機能する浮遊ゲートで動作し、ジオメトリ及び／又はバイアス条件によって可変結合を可能にする。これにより、デバイス用のプログラム供給電圧が可変容量結合によって浮遊ゲートに付与され、デバイスの状態を変更する。本発明は、データ暗号化、リファレンス調整、製造ＩＤ、セキュリティＩＤ及び他の多くのアプリケーションなどの各環境において使用できる。
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半導体材料から形成されたダイオードを含む不揮発性メモリセルは、（抵抗を減少させる）セットパルスまたは（抵抗を増大させる）リセットパルスを印加することにより半導体材料の抵抗を変更することによりメモリ状態を記憶することができる。好適な実施形態では、セットパルスはダイオードに順方向バイアスで印加されるが、リセットパルスはダイオードに逆バイアスで印加される。ダイオードの半導体材料の抵抗率を切り替えることにより、メモリセルを１回限りプログラム可能または再書き込み可能とすることができ、２つ、３つ、４つまたはそれ以上の区別可能なデータ状態を獲得することができる。
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【課題】 「なりすまし」を防止するとともに管理コストの上昇を可及的に防止することを可能にする。
【解決手段】 連続した入力信号に対する出力信号の特性が製造時に自然発生的にばらつく被認証素子を少なくとも１個備え、前記被認証素子の前記特性を個体固有の情報とすることを特徴とする。 （もっと読む）

メモリ装置は、ビット配置部（31）の配列において電磁材料の磁化状態にデータビットを保管する情報面（32）を有する。さらに装置は、電磁センサ素子（51）の配列を有し、この配列は、ビット配置部と位置が揃えられている。情報面（32）は、プログラム化することが可能であり、または別個の記録装置（21）を介してプログラム化される。記録装置は、少なくとも1の放射線（26）を提供し、ビット配置部において電磁材料がプログラム化温度まで加熱される。ビット配置部の磁化状態は、選択されたビット配置部の放射線による前記加熱の間に、磁場を印加することによってプログラム化される。従ってメモリ装置は、磁気再生専用メモリ（MROM）を提供し、これは専用の記録装置でなければ(再)プログラム化することはできない。
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