【課題】水分による下部電極の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２３及びＴＦＴ保護層３０を一括してエッチングされたコンタクトホールを埋めつつ、ゲートパッド４０及びデータパッド５０が形成されるため、下部電極１１を介さずに、データパッド５０と第２信号配線層５２が接続されると共に、ゲートパッド４０と第１信号配線層４２とが接続される。従って、保護層３４の開口部には下部電極１１が設けられておらず、水分が侵入した場合でも腐食が発生する恐れが少なく、下部電極１１の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し、且つ、変換素子の電極の剥離を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素１１を基板１００の上に有し、画素１１が、スイッチ素子１３と、スイッチ素子１３の上に配置され画素毎に分離されスイッチ素子１３と接合された透明導電性酸化物からなる電極１２２の上に設けられた不純物半導体層１２３を含む変換素子１２と、を有し、複数のスイッチ素子１３を覆うように複数のスイッチ素子１３と複数の電極１２２との間に設けられた有機材料からなる層間絶縁層１２０を有する検出装置の製造方法であって、層間絶縁層１２０に接する複数の電極１２２の間において層間絶縁層１２０を覆うように配置された無機材料からなる絶縁部材１２１を形成する工程と、絶縁部材１２１と複数の電極１２２とを覆うように不純物半導体膜１２３’を成膜する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光学素子の光機能部に水分が結露することを防止し、光学素子の機能が損なわれることのない光学装置を提供する。
【解決手段】光学装置は、一面に光機能部１２が露出した光学素子を有する第一基板１１と、前記光機能部に対向して配された第二基板１３と、前記光機能部を覆い、前記第一基板と前記第二基板とを接合する光透過性の第一樹脂層１４と、前記第一基板の平面視において前記第一樹脂層を取り囲む空洞部１５と、前記第一基板の平面視において前記空洞部を取り囲み、前記第一基板と前記第二基板とを接合する第二樹脂層１６と、を備えた光学装置であって、前記第一樹脂層と前記空洞部とは、隣接している。 （もっと読む）

【課題】特定の構造の化合物を光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、かつ、その素子は低い暗電流を示し、かつ該素子を加熱した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】透明導電性膜と導電性膜との間に挟持された、光電変換層及び電子ブロッキング層を含む光電変換膜を有する光電変換素子であって、前記電子ブロッキング層が環構造を３つ以上含む置換アミノ基を置換基に有する化合物を含む事を特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】光導電層で生成した電荷を収集する収集効率の低下を抑制しつつ、光導電層の表面に形成された凹部又は凸部で発生する放電破壊を抑制する。
【解決手段】光導電層404に形成された凸部404Ａを覆うように、バイアス電極401と光導電層404との間に第１有機高分子膜422を形成する。これにより、凸部404Ａの部位で電界集中を抑制し、この部位で生じる放電破壊を抑制する。また、光導電層404の表面を部分的に覆うように第１有機高分子膜422を形成する。これにより、電荷収集電極407aの電荷の収集効率の低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】光バリア性能を確保しながら平坦化を図ることができる光電変換装置及び放射線検出装置を提供する。
【解決手段】複数の画素２０を備え、前記複数の画素２０の各々が基板１１上に形成された光電変換素子２３を備えた光電変換装置において、前記光電変換素子２３は光入射側に受光面を備え、前記複数の画素２０間の領域には受光面を露出させて光バリア層４６が配置されており、前記受光面は、前記光バリア層４６から露出しており、前記光バリア層４６は、前記光電変換素子２３と前記基板１１とで形成される段差に配置されている。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す新規な有機半導体を提供する。
【解決手段】薄膜からなる有機半導体において、薄膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物を含んでなる有機半導体。
一般式（Ｉ）


式中、Ａ_１はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ_１５を表す。Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ_１１、Ｒ_１２は連結して環を形成してもよい。Ｂ_１は少なくとも一つの窒素原子を含む環構造を表す。ｎ１は０〜２の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上に直接固着する透明部材の小型化を図りながら、当該透明部材への付着物を抑え、光学特性の不良を防止できる光学半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面に光学素子12が形成された半導体チップ11と、前記光学素子12を覆うように前記半導体チップ11上に透明接着剤25により固着された透明部材13とを備え、前記透明部材13における前記半導体チップ11への対向面の少なくとも一つの稜線は面取り部14またはＲ部とされる。 （もっと読む）

【課題】有機層の形成範囲を規定して放射線検出器の耐久性を向上させる。
【解決手段】正孔注入阻止層402の外縁部が、取出電極470から１ｍｍ画像情報取得領域Ｇ側に位置しており、画像情報が取得される画像情報取得領域Ｇの領域端Ｇ１と取出電極470との間に位置する。これにより、光導電層404の画像情報取得領域Ｇを正孔注入阻止層402が覆うことになり、光導電層404の画像情報取得領域Ｇにおける結晶化等の劣化を抑制でき、放射線検出器400としての耐久性が向上する。また、正孔注入阻止層402は、取出電極470を覆わないので、取出電極470の導通不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】受光素子用保護シートが積層された個々の光ピックアップ装置において、加熱処理を行った後に、光ピックアップ装置から受光素子用保護シートを剥離する際に、前記受光素子上に粘着層の一部が残存する恐れのない受光素子用保護シートを提供することを目的とする。
【解決手段】有機フィルム上に、発泡剤および樹脂成分を含有する粘着層が積層されてなり、前記粘着層を構成する発泡剤の重量Ｘと、該粘着層の厚さＹ（μｍ）とが下記関係式を有することを特徴とする請求項１に記載の受光素子用保護シートである。
【数１】


但し、Ｘは樹脂成分１００重量部に対する発泡剤の重量部を示す。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面から半導体基板の裏面側の半導体領域へ基板バイアスを供給することができる光電変換装置及び撮像システムを提供する。
【解決手段】光電変換装置１は、画素領域１３０と前記画素領域の周辺に位置する周辺領域１３１とを有する半導体基板と、基板バイアスを供給するための電源ラインと、前記周辺領域に配された、前記半導体基板と前記電源ラインとを接続するコンタクトプラグ１５０とを備え、前記半導体基板は、前記基板バイアスが前記電源ラインから前記コンタクトプラグを介して前記半導体領域へ供給される。 （もっと読む）

【課題】保護膜を接着する構成であっても、保護膜の変動を防止又は抑制する。
【解決手段】外部の気圧低下や温度上昇により粘着シート１２０と保護フィルム１０８との間の空間１２８の気体が膨張しても、膨張した気体が、バッファ空間１１０に移動し、柔軟な保護フィルム１０８Ａの作用によってバッファ空間１１０の体積が大きくなる。つまり、粘着シート１２０と保護フィルム１０８との間の空間１２８の体積変動がバッファ空間１１０によって吸収される。したがって、保護フィルム１０８の変動が防止又は抑制される。これにより保護フィルム１０８の剥離が防止される。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器の基板の端面における保護層の破損を抑制する。
【解決手段】保護層554が、ガラス基板536上に設けられた放射線検出層522の上面に形成された上部電極518上を覆い、保護層554の端部は、ガラス基板536の端面に達している。ガラス基板536の下面から保護層554の表面にかけて形成された補強フィルム566が、保護層554の端部を覆う。これにより、保護層554の端部のガラス基板536の端面への付着性が向上し、時間が経過しても保護層554の端部に捲れが発生しにくく、保護層554の破損を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】光電変換部で取得した放射線画像にて光電変換基板間の継ぎ目が目立たない放射線検出器を提供する。
【解決手段】画素単位の光電変換素子14を配列した複数の光電変換基板12を、光電変換素子14が隣接するように貼り合わせて光電変換部13を形成する。光電変換部13は、画素単位間距離を一定として光電変換素子14を配設し、隣接する光電変換基板12に近づくほど光電変換素子14の面積を小さくする。光電変換基板12の継ぎ目に近づくほど感度を低下させ、光電変換基板12の継ぎ目部分の感度の差を小さくすることで、光電変換部13で取得する放射線画像にて、光電変換基板12の間の継ぎ目を目立たなくできる。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換素子の光電変換性能が時間の経過と共に低下してしまうのを抑え易い光電変換デバイスを提供する。
【解決手段】第１電極７と、該第１電極７上に配置された有機光電変換部８と、該有機光電変換部８上に配置された第２電極９とを有する有機光電変換素子１０を支持基板１上に多数配置して光電変換デバイス２０Ａを構成するにあたり、各有機光電変換素子１０を覆って該光電変換素子を封止する封止部１９を設け、この封止部により各有機光電変換素子１０への水分や酸素等の侵入を防止する。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサであって、方向性がなく、かつ引き出し電極が必要ではなく、さらに、広い波長範囲にわたって、分光波長感度特性がフラットなものを得る。
【解決手段】紫外線センサ１は、ｎ型半導体としてのＺｎＯ層２とｐ型半導体としての（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３とを含む、積層体４を備える。積層体４の各端部上に、第１および第２の端子電極５および６がそれぞれ設けられる。（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３内には、第１および第２の端子電極５および６にそれぞれ電気的に接続される第１および第２の電流経路付与電極７および８が互いの間に所定の間隔９を隔てかつ同一平面上に位置するように設けられる。ＺｎＯ層２の外表面上には、細線をもって第３の電流経路付与電極１０が設けられる。ＺｎＯ層２が紫外線の受光側に位置するように用いられる。 （もっと読む）

【課題】機能膜を有する機能性素子の機能膜の特性を向上させながらも、機能性素子全体の特性劣化を低コストで防ぐことが可能な機能性素子の製造方法を提供する。
【解決手段】互いに対向する一対の電極７，９と、電極７，９間に挟まれた光電変換膜８とを有する光電変換素子の製造方法であって、電極７上に光電変換膜８を形成する工程（図２（ａ））と、光電変換膜８上に電極９を形成する工程（図２（ｂ））と、光電変換膜８の特性を向上させるために行うアニール処理による電極９の変質を防ぐための変質防止膜１１を電極９上に形成する工程（図２（ｃ））と、変質防止膜１１形成後にアニール処理を施す工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】光機能素子が形成された基板と光透過性の保護部材とを接合する接着層が、光によって変化することを防止可能な電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品１０は、第一部材１２、第二部材１３および光機能素子１１が重なる第一領域αと、この第一領域αを除き、第一部材１２、第二部材１３、および、これらの間に配された接着層１４が在る第二領域βとからなる。そして、第二領域βは、遮光性部材１５を有している。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程を用いずに光導波路構造を実現する。
【解決手段】半導体基板１内に形成された受光部２を有する固体撮像素子の製造方法であって、半導体基板１上に、受光部２の上方に凹部Ａを有した絶縁層７を形成する工程と、絶縁層７上に光学機能材料層８ａを形成する光学機能材料層形成工程とを備え、光学機能材料層８ａは、その上に形成される層との界面で光を反射させる機能を有し、光学機能材料層８ａ全体をエッチングして、受光部２上方の光学機能材料層８ａに開口を形成する工程と、開口形成後、光学機能材料層８上に絶縁層９を形成する工程とを備え、光学機能材料層形成工程で形成された光学機能材料層８ａは、開口を形成すべき部分の厚みが、それ以外の部分よりも薄くなっている。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出器の歩留まりや性能の低下を防止し、信頼性の高い安価なＸ線検出器を提供する。
【解決手段】回路基板17上に酸化インジウムを主成分とするアモルファス状態の導電性物質にてエッチングストッパ層35を形成する。エッチングストッパ層35上でフォトダイオード素子18のアモルファスシリコン層をエッチングする際、エッチングストッパ層35で回路基板17を保護する。エッチング後には、余分なエッチングストッパ層35を回路基板17に影響のない蓚酸を用いて容易に除去できる。 （もっと読む）