【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出用フォトダイオード等においては、初期結晶材料として、裏面側に高濃度の不純物がドープされた単結晶ウエハ等を使用する場合がある。このような場合、裏面側不純物の外方拡散によるクロスコンタミネーション等を防止するために、予め、ウエハの裏面に、酸化シリコン膜等の不純物外方拡散防止膜等を形成しておく等の対策が講じられる。しかし、裏面に不純物外方拡散防止膜を形成する際に、ウエハの表面を損傷する等の問題が有る。
【解決手段】本願発明は、裏面に高濃度の不純物ドープ層を有する半導体ウエハの裏面に、不純物防止膜を形成するに当たり、まず、前記半導体ウエハの表面に酸化シリコン系絶縁膜等の表面保護膜を形成し、その状態で、前記裏面に、前記不純物防止膜を形成し、その後、ウエットエッチングにより、前記不純物防止膜を残した状態で、前記表面保護膜をほぼ全面的に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】複数の検出電流経路が発生することを防止し、光吸収層の表面状態にかかわらず、高感度で安定して検出することができる光検出素子及び光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出素子は、透光性基板１、光吸収層２、電極３、電極４、接着層５、絶縁膜６、パッケージ７で構成される。透光性基板１上に光吸収層２が形成され、光吸収層２に電極３と電極４の一部が埋め込まれている。パッケージ７上に光検出部がジャンクションダウンで接着層５により接合されている。光吸収層２は、特定波長の光を選択的に吸収して、電気信号に変換する。測定する光は、透光性基板１の裏面から照射される。 （もっと読む）

【課題】 増幅用ＴＦＴと選択用ＴＦＴとを含む画素を有する検出装置において選択用ＴＦＴのオフリークが十分なされた検出装置を提供する。
【解決手段】 変換素子１００と、ゲート１１４が変換素子１００に接続された第１薄膜トランジスタ１１０と、ゲート１２４が駆動配線１５０に接続され、真性半導体領域であり第１領域１２２と第２領域１２３との間でゲート１２４の正投影が位置する第３領域１２１を有する多結晶半導体層を含み、第１領域１２２及び第２領域１２３の一方が第１薄膜トランジスタ１１０のソース及びドレインの一方１１３に接続された第２薄膜トランジスタ１２０と、を有し、多結晶半導体層は、第１領域１２２と第３領域１２１との間に、また、第２領域１２３と第３領域１２４との間に、それぞれ第１領域１２２及び第２領域１２３よりも不純物の濃度が低い第４領域１２５と第５領域１２６と、を含む検出装置。 （もっと読む）

【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負（−）のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】被曝量による閾値電圧のシフトを抑制するが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、フォトダイオードとトランジスタ１１１Ｂとを含む光電変換層を有する。トランジスタ１１１Ｂは、基板１１上に、第１ゲート電極１２０Ａ、第１ゲート絶縁膜１２９、半導体層１２６、第２ゲート絶縁膜１３０および第２ゲート電極１２０Ｂをこの順に有し、第１ゲート絶縁膜１２９および第２ゲート絶縁膜１３０におけるＳｉＯ₂膜の総和が６５ｎｍ以下となっている。トランジスタが被曝すると、ゲート絶縁膜におけるＳｉＯ₂膜に正孔がチャージされ、閾値電圧がシフトし易くなるが、上記のようなＳｉＯ₂膜厚の最適化により、閾値電圧シフトが効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】白傷欠陥の発生を抑制することができ、数画素に亘る感度低下を抑えることができる撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方で二次元状に配列された複数の下部電極１０４と、各下部電極１０４と対向して配置された上部電極１０８と、複数の下部電極１０４と上部電極１０８との間に配された光電変換層と、上部電極１０８の上方に配置され、該上部電極を覆う封止膜１１０と、上部電極１０８と封止膜１１０との間に配置された封止補助層１０９と、を備える撮像素子であって、封止膜１１０が複数の層で構成され、該封止膜全体の膜応力を緩和する応力緩和層を含み、封止補助層１０９は、真空蒸着法又はＣＶＤで形成された膜であり、厚さが５ｎｍ以上で、内部応力が１００ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】量子ドット型赤外線検知器の感度を向上させること。
【解決手段】量子ドットと、前記量子ドットを覆い、エネルギーギャップが前記量子ドットより広い第１の障壁層と、前記第１の障壁層の上側および前記量子ドットの下側に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い中間層と、前記第１の障壁層内に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い量子井戸層とを有する光電変換層と、前記光電変換層の両側に設けられた電極層を備えた量子ドット型赤外線検知器。 （もっと読む）

【課題】保護層の界面剥離を抑制し、諸特性および信頼性を確保したＸ線検出器を提供する。
【解決手段】表面側に複数の光電変換素子13を複数配列した受光部14、および、光電変換素子13と電気的に接続した電極パッド16を備えた固体撮像素子12を有する。固体撮像素子12の受光部14に対向し外部から入射したＸ線24を光に変換するシンチレータ層26を有する。外部接続用電極パッド18および外部接続用電極パッド18と電気的に接続した電極端子19を備え、固体撮像素子12を固定する基台17を有する。電極パッド16，18を電気的に接続する配線20を有する。固体撮像素子12、電極パッド16、外部接続用電極パッド18および配線20上に中間層22を有機珪素化合物により形成する。中間層22上に保護層28を有機物により形成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子とシンチレータとの間に設けられる保護層による光電変換素子の量子効率の低下の度合を低減し、かつ、光電変換素子等が腐食することを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、入射した放射線を光に変換するシンチレータ４が一方の面５ａに形成された第一の基板５と、シンチレータ４により変換された光を受けて電気信号に変換する光電変換素子１４が一方の面３ａに形成された第二の基板３とを備え、第二の基板３の、光電変換素子１４が設けられた側の面３ａ上には、第一の基板５の面５ａ上に形成されたシンチレータ１４と接触する保護層２０が形成されており、保護層２０は、光電変換素子１４のシンチレータ４に対向する受光面１４ａ上の部分では、シンチレータ４から離間する状態で凹部２０ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、超伝導転移温度の低下を抑えることが可能であり、単一光子検出素子の高速動作が可能な超伝導光検出素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 光子の入射に応じて抵抗が変化する単体の超伝導細線及び該超伝導細線上に形成された酸化防止層を有する超伝導光検出素子。 （もっと読む）

【課題】欠陥画素を分離してリペアしつつ、欠陥画素を分離するための切断箇所を保護した放射線検出素子を提供する。
【解決手段】欠陥画素７ＡのＴＦＴスイッチ４に接続された走査配線１０１と信号配線３の少なくとも一方を検出領域Ｓ外でかつ保護部３２で覆われた部分で切断する。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、前記素子層内に設けられた読出回路と、素子層の表層２９４に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子２１１と、を備える。素子層には、読出回路の一部を構成する配線２１２上に、表層２９４を貫通して配線２１２の一部に通じるコンタクトホールＨ２が形成されている。外部接続端子２１１は、コンタクトホール内Ｈ２と表層２９４上とにわたって設けられて配線２１２と導通接続された導電膜を含む。導電膜において外部４１に導通接続される接続領域Ａ３が、コンタクトホールＨ２の開口と重ならない領域になっている。 （もっと読む）

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、第１電極２５１と第２電極２５２との間に配置された光電変換層を有する光電変換素子２５と、第１電極２５１と導通するソース領域２４３を有するＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４のドレイン領域２４２と導通する第１配線２２２と、ＴＦＴ２４のゲート電極２４１と導通する第２配線２１２と、第２電極２５２と導通し、第１配線２２２と第２配線２１２とのうちの一方の配線２２２と略平行に延設された第３配線２３とを備える。第２電極２５２が、透明導電材料からなり、光電変換層に対する光入射側に配置されている。第３配線２３が、透明電極材料よりも導電性が高いメタル材料からなり、面方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間隔ｄ１、ｄ２が、面方向に垂直な厚み方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間の間隔よりも長い。 （もっと読む）

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の画素領域に区画された光検出領域と、複数の画素領域の各々に配置され、第１電極２５１と第２電極２５２とに挟持された光電変換層を有する、光電変換素子２５と、第１電極２５１と電気的に接続され、第１方向に延設された第１配線２２２と、第２電極２５２と電気的に接続され、光電変換層の厚み方向において第１配線２５１から離れた位置に配置されており、第１方向と交差する第２方向に延設された第２配線２３と、を備える。第１配線２２２は、第１方向と第２方向とが交差する交差部２６において分断されてなる。第１配線２２２を含んだ通電経路は、交差部２６の厚み方向において第１配線２２２よりも第２配線２３から離れた位置に設けられた接続導電部２６１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置、エックス線撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、光電変換素子及び読出回路が形成された素子層と、素子層表層に設けられた外部接続端子２２１とを備える。素子層は、読出回路の一部を構成する配線２４４の下地となる配線下地層２０と、表層２９４と配線下地層２０との間に配置された中間層２９１〜２９３と、を有する。表層２９４を貫通して配線２４４に至るコンタクトホールＨ３が形成されている。コンタクトホールＨ３の内壁面は、中間層２９１〜２９３又は表層２９４の面方向の一部が保持されてなりコンタクトホールＨ３の外側の表層２９４上と段差Ｄ３を構成する段差面Ｈ３２を含む。外部接続端子２２１は、コンタクトホールＨ３の内壁面と表層２９４上とコンタクトホールＨ３内に露出した部分の配線２４４とにわたって形成された導電膜を含んでいる （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層２０、２４４、２９１〜２９４からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、素子層内に設けられて光電変換素子から信号を読出す読出回路と、素子層の表層２９４に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子２１１と、を備える。素子層は、読出回路の一部を構成する配線２１２の下地となる配線下地層２０と、表層２９４と配線下地層２０との間に配置された中間層２９１〜２９３と、を含む。中間層２９１〜２９３上に接続導電部２８２〜２８４が設けられている。配線２１２が接続導電部２８２〜２８４と導通接続されているとともに外部接続端子２１１が接続導電部２８２〜２８４と導通接続されている。 （もっと読む）

【課題】放射線像検出器の高精細化をできるようにする。
【解決手段】放射線像検出器１が、二次元アレイ状に配列された複数のダブルゲートトランジスタ２０と、これらダブルゲートトランジスタ２０上に形成されたシンチレータ５０と、を備える。ダブルゲートトランジスタ２０が、ボトムゲート電極２１と、ボトムゲート電極２１上に形成されたボトムゲート絶縁膜２２と、ボトムゲート絶縁膜２２上に形成された半導体膜２３と、半導体膜２３に接した２つの不純物半導体膜２５，２６と、不純物半導体膜２５上に形成されたソース電極２７と、不純物半導体膜２６上に形成されたドレイン電極２８と、半導体膜２３を被覆したトップゲート絶縁膜２９と、トップゲート絶縁膜２９上に形成されたトップゲート電極３１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線、α線、β線、γ線、或いは中性子線等の放射線を高感度で検出することができる新規な放射線検出装置、及び放射線の検出方法を提供する。
【解決手段】 入射した放射線を波長が２２０ｎｍ以下の紫外線に変換する、ＮｄをドープしてなるＬａＦ_３結晶、或いはコアバレンス発光するフッ化バリウムの如き金属フッ化物結晶からなるシンチレーターと、シンチレーターが発する紫外線を導いて紫外線を電気信号に変換するダイヤモンド薄膜センサーとを具備し、そして放射線を電気信号として取り出すことを特徴とする放射線検出装置である。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの上面を平坦化して精度良く所定の膜厚にすることが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１３の上面１３ａには、下部電極１４、有機光電変換材料からなる中間層１５、上部電極１６、透明絶縁層１７、第１〜第３の着色層７５，７９，８３が順次積層され、下部電極１４、中間層１５、上部電極１６、第１〜第３の着色層７５，７９，８３が重なり合う有効画素領域の外側に研磨ストッパー層１８が形成されている。第１〜第３の着色層７５，７９，８３を研磨処理で平坦化する際、研磨ストッパー層１８が露出するまで平坦化するので容易に終点検出を行うことができる。 （もっと読む）