【課題】Ｘ線検出用フォトダイオード等においては、初期結晶材料として、裏面側に高濃度の不純物がドープされた単結晶ウエハ等を使用する場合がある。このような場合、裏面側不純物の外方拡散によるクロスコンタミネーション等を防止するために、予め、ウエハの裏面に、酸化シリコン膜等の不純物外方拡散防止膜等を形成しておく等の対策が講じられる。しかし、裏面に不純物外方拡散防止膜を形成する際に、ウエハの表面を損傷する等の問題が有る。
【解決手段】本願発明は、裏面に高濃度の不純物ドープ層を有する半導体ウエハの裏面に、不純物防止膜を形成するに当たり、まず、前記半導体ウエハの表面に酸化シリコン系絶縁膜等の表面保護膜を形成し、その状態で、前記裏面に、前記不純物防止膜を形成し、その後、ウエットエッチングにより、前記不純物防止膜を残した状態で、前記表面保護膜をほぼ全面的に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】複数の検出電流経路が発生することを防止し、光吸収層の表面状態にかかわらず、高感度で安定して検出することができる光検出素子及び光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出素子は、透光性基板１、光吸収層２、電極３、電極４、接着層５、絶縁膜６、パッケージ７で構成される。透光性基板１上に光吸収層２が形成され、光吸収層２に電極３と電極４の一部が埋め込まれている。パッケージ７上に光検出部がジャンクションダウンで接着層５により接合されている。光吸収層２は、特定波長の光を選択的に吸収して、電気信号に変換する。測定する光は、透光性基板１の裏面から照射される。 （もっと読む）

【課題】被曝量による閾値電圧のシフトを抑制するが可能なトランジスタを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、フォトダイオードとトランジスタ１１１Ｂとを含む光電変換層を有する。トランジスタ１１１Ｂは、基板１１上に、第１ゲート電極１２０Ａ、第１ゲート絶縁膜１２９、半導体層１２６、第２ゲート絶縁膜１３０および第２ゲート電極１２０Ｂをこの順に有し、第１ゲート絶縁膜１２９および第２ゲート絶縁膜１３０におけるＳｉＯ₂膜の総和が６５ｎｍ以下となっている。トランジスタが被曝すると、ゲート絶縁膜におけるＳｉＯ₂膜に正孔がチャージされ、閾値電圧がシフトし易くなるが、上記のようなＳｉＯ₂膜厚の最適化により、閾値電圧シフトが効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】ショットキーバリアダイオードとアンテナとのインピーダンスミスマッチを低減することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】電磁波検出素子は、基板１１に設けられたショットキーバリアダイオード１１１、１１２とアンテナとを含む。アンテナが、分割された第一導電要素１０１と第二導電要素１０２、分割された第三導電要素１０３と第四導電要素１０４、第一及び第三導電要素を電気的に接続する第一接続部１０５、及び第二及び第四導電要素を電気的に接続する第二接続部１０４を含む。第一導電要素と第二導電要素、及び第三導電要素と第四導電要素が、夫々、電磁波の入射方向に沿って隔たった基板１１上の複数の面に形成される。ショットキーバリアダイオードが、第一導電要素と第二導電要素との間に電気的に接続されて設けられる。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、半導体基板１０上に形成された、フォトダイオード用の不純物領域３１、３２と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の入射角度を制限するための角度制限フィルター４１、４２と、を含む。角度制限フィルター４１、４２は、フォトダイオード用の不純物領域３１、３２の上に半導体プロセスによって形成された遮光物質（光吸収物質または光反射物質）によって形成される。 （もっと読む）

【課題】 表面プラズモンを伝送するための開口における表面プラズモンの透過光量の低下を招くことなく、高速応答性の向上をはかる。
【解決手段】 入射光を表面プラズモンに変換するための結合周期構造２２が表面に設けられ、該結合周期構造２２中に表裏面を貫通する開口２３が設けられた導電性薄膜２１と、開口２３の結合周期構造２２が設けられた面と反対面の端部に配置された受光部とを有した受光素子であって、開口２３の形状は、２つのスリットを直交交差させた十字形であり、各々のスリットの長辺方向が前記表面プラズモン波長の１／２より長く、短辺方向が前記表面プラズモン波長の１／２より短い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サイズが基板の水平方向に対して大きくなることなく、使用時の消費電力を抑えることができる光センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る光センサは、基板１１と、該基板１１上に積層してある第１電極層１３と、該第１電極層１３上の一部の領域に積層してある第１酸化物半導体層１４と、該第１酸化物半導体層１４上に積層してある第２電極層１５とを備える。入射する光を遮る第１電極層１３の外周１３Ａ又は第２電極層１５の外周１５Ａの少なくとも一部は、第１第１酸化物半導体層１４を介して第２電極層１５又は第１電極層１３と重なるようにしてある。 （もっと読む）

【課題】安価で特性が安定し、応答速度の速い紫外線センサを提供すること。
【解決手段】本発明の紫外線センサは、酸化亜鉛の光導電効果を利用した紫外線センサであって、前記酸化亜鉛が無添加の酸化亜鉛からなり、前記酸化亜鉛のＸ線回折パターンにおいて（００２）面における回折ピークの半値幅が０．５度以下であることを特徴とする。これにより、安価で応答速度の速い紫外線センサを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】放射線像検出器の高精細化をできるようにする。
【解決手段】放射線像検出器１が、二次元アレイ状に配列された複数のダブルゲートトランジスタ２０と、これらダブルゲートトランジスタ２０上に形成されたシンチレータ５０と、を備える。ダブルゲートトランジスタ２０が、ボトムゲート電極２１と、ボトムゲート電極２１上に形成されたボトムゲート絶縁膜２２と、ボトムゲート絶縁膜２２上に形成された半導体膜２３と、半導体膜２３に接した２つの不純物半導体膜２５，２６と、不純物半導体膜２５上に形成されたソース電極２７と、不純物半導体膜２６上に形成されたドレイン電極２８と、半導体膜２３を被覆したトップゲート絶縁膜２９と、トップゲート絶縁膜２９上に形成されたトップゲート電極３１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】感度を向上し、撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】第１の光導波部材１３１ａよりも屈折率が低い光学材料にて発散レンズ１２１が形成し、集光レンズ１１１を介して入射された光を、発散レンズ１２１によって第２の光導波部材１３１ｂへ発散させる。そして、その発散レンズ１２１によって発散された光を、第２の光導波部材１３１ｂがフォトダイオード２１の受光面ＪＳへ導くように構成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置において、最上の配線層を覆う絶縁膜の上に複数の色フィルタを設けた場合でも、複数の色フィルタが絶縁膜から剥がれにくくなるようにする。
【解決手段】光電変換装置は、複数の第１の光電変換部及び複数の第２の光電変換部を含む複数の光電変換部が行方向及び列方向に配列された半導体基板と、前記半導体基板の上に配され、前記複数の光電変換部のそれぞれに対する開口領域を規定する多層配線構造と、第１の色フィルタ層２１０と、第２の色フィルタ層２２０とを備え、前記多層配線構造は、前記複数の光電変換部のそれぞれに対する前記開口領域の輪郭辺を規定する最上の配線層と、前記最上の配線層を覆うように配された絶縁膜５とを含み、前記第１の色フィルタ層及び前記第２の色フィルタ層は、前記絶縁膜を覆うように配されている。 （もっと読む）

【課題】光劣化が抑制され、長寿命であり、かつ簡単な構成のＴＦＴ光センサ及びこのＴ
ＦＴ光センサを備えた液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光センサは、半導体層１４Ｌ１〜１４Ｌｎとしてアモルファスシリ
コン層を用いた薄膜トランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎであって、前記薄膜ト
ランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎのチャネル領域の表面は外光の積算光量に応
じて光透過率が上昇する材料からなる層１８が形成されていることを特徴とする。この外
光の積算光量に応じて光透過率が上昇する材料からなる層１８としては、ポジ型感光性樹
脂材料からなるものを使用できる。本発明の光センサは、液晶表示装置のバックライト等
の明るさの制御に使用することができる。 （もっと読む）

放射の検出に使用される第１の活性領域２１０および第２の活性領域２２０を有する半導体ボディ２を備えている放射受光器１を開示する。第１の活性領域２１０および第２の活性領域２２０は、垂直方向に互いに隔置されている。第１の活性領域２１０と第２の活性領域２２０との間にはトンネル領域２４が配置されている。トンネル領域２４は接続面３１に導電接続されており、接続面３１は、第１の活性領域２１０と第２の活性領域２２０との間で半導体ボディ２に外部から電気的に接触する目的で使用される。さらに、放射受光器を製造する方法も開示する。
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【課題】ホトダイオードアレイを備える放射線検出器の製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる半導体基板３に、該半導体基板の両側表面を貫通する貫通配線８を形成する第１工程と、半導体基板の片側表面について、所定の領域に不純物を添加して複数の第２導電型の不純物拡散層を形成し、複数のホトダイオード４をアレイ状に配列して設ける第２工程と、半導体基板の片側表面側に、少なくともホトダイオード４が形成された領域を保護する膜厚１〜５０μｍの透明樹脂膜６を設ける第３工程とにより、ホトダイオードアレイを製造した後、ホトダイオードアレイを実装配線基板に実装する工程と、透明樹脂膜６上に、シンチレータパネル３１を、シンチレータパネルから出射された光を透過する光学樹脂３５を介して取り付ける工程とによって製造する。 （もっと読む）

オプトエレクトロニック・デバイス（２０）は、表面（１６）と、その表面の一方の側の光子活性領域（１２）とを有する間接遷移半導体材料の本体（１４）を含む。光誘導機構（２２）が表面の反対側に本体と一体化して形成される。
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【課題】表示装置のバックライトの照度制御に特に好適な光センサ及びそれを備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】ａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されるトランジスタＴｒ１に光が照射されることによって出力される光電流信号Ｉｄを増幅回路によって増幅する。この増幅回路は、光電流信号Ｉｄを電圧に変換するトランジスタＴｒ２と、電圧増幅を行うトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４と電流増幅を行うトランジスタＴｒ５とを有し、何れもａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されている。バックライトの照度制御は増幅回路によって増幅された電流に基づいて行われる。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの下部電極と、データとの間の寄生容量を低減する。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサーは、ガラス基板１と、ガラス基板１上に設けられ、ガラス基板１よりも低い誘電率を有する下地絶縁膜１９と、下地絶縁膜１９上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３、半導体層４を積層してなり、半導体層４に接続されたドレイン電極７を有するスイッチング素子とを備える。ドレイン電極７は、下地絶縁膜１９表面に直に接する延設部分を有する。そして、ドレイン電極７の延設部分上に設けられたフォトダイオード２０をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】 光検出器の上部層をエッチングする際に、ポリマーが形成されるためエッチング速度が低下する。
【解決手段】 受光部を有する基板上に上部層を形成し、上部層の受光部に対応する領域を開口する集積回路製造方法であって、上部層を複数回のエッチング条件でエッチングを行い、少なくとも１つのエッチング条件の終了後に酸素プラズマ処理を行う。これにより、エッチングを行った際に形成されるポリマーを除去することができ。エッチング処理の処理時間を低減できる。 （もっと読む）

【課題】照度センサにおいて、製造の歩留まりを高くする。
【解決手段】照度センサ１は、可視光及び長波長光に感度を有する光検出部３と、光検出部３に発生する光検出信号を、増幅等の処理を行なって出力する信号処理回路４と、信号処理回路４からの光検出信号を外部に出力するためのボンディングパッド６とを基板表面２１側に備え、長波長光を遮光するための光学フィルタ７を基板裏面１５側に備える。光学フィルタ７が、ボンディングパッド６が配されていない基板裏面１５側に設けられるので、光学フィルタ７の位置ずれによるワイヤボンディング不良等が発生せず、歩留まりが高くなる。 （もっと読む）