【課題】強磁性半導体膜への効率的なスピン注入を可能とすること。
【解決手段】本発明は、ＩｎＡｓを含む強磁性半導体膜と、強磁性金属膜と、前記強磁性半導体膜と前記強磁性金属膜との間に設けられた絶縁膜と、を具備するトンネル磁気抵抗素子およびスピントランジスタである。本発明によれば、ＩｎＡｓを含む強磁性半導体膜を用いることにより、強磁性金属膜に印加される電圧が小さくとも強磁性半導体膜にキャリアをスピン注入することができる。よって、強磁性金属膜から強磁性半導体膜への効率的なスピン注入が可能となる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子の長さ方向、すなわち電極間方向と直交する方向の半導体動作層の幅Ｗを小さくしても、従来の大きな幅Ｗと同程度の高い磁気抵抗変化率を実現すること。
【解決手段】基板上に形成された薄膜状半導体動作層と、半導体動作層上の少なくとも２つの端部に配置された入出力電極と、入出力電極間の半導体動作層上で、入出力電極間に延在する半導体層の延在方向と直角方向に延在する形で、半導体層の延在方向に一定間隔をおいて、配置された複数の短絡電極とを有する半導体磁気抵抗素子において、入出力電極間に延在する半導体層の延在方向と直角方向の半導体動作層の幅が６０μｍ以下、短絡電極の、半導体層の延在方向の長さが５μｍ以下、半導体動作層の幅をＷ、一定間隔の複数の短絡電極間の距離をＬとしたとき、ＬとＷの比であるＬ／Ｗが０．３以下とする。ここで、Ｌ／Ｗが０．１以上、短絡電極の長さが２μｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 特に、ＲＡを小さくし、且つ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を大きくすることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 酸化チタン等の絶縁酸化物で形成された絶縁障壁層５の上に形成されるフリー磁性層６のうち前記絶縁障壁層５と接する位置にエンハンス層６ａが形成されている。前記絶縁障壁層５の下には固定磁性層４を構成する第２固定磁性層４ｃが形成される。前記第２固定磁性層４ｃは、膜面と平行な方向に｛１１１｝面が優先配向する面心立方構造で形成され、前記絶縁障壁層５は、ルチル型構造等で形成され、前記エンハンス層６ａは、膜面と平行な方向に｛１１０｝面が優先配向する体心立方構造で形成される。これにより、ＲＡを小さくし、且つ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を大きくすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 単結晶エピタキシャル酸化物の歪を制御する方法を提供する。
【解決手段】 単結晶エピタキシャル酸化物の歪を制御する方法は、シリコン基板を準備する工程と、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ及びＳｉ_１−ｙＣ_ｙから成るシリコン合金層のグループから選択されるシリコン合金層をシリコン基板上に形成する工程と、シリコン合金層の歪の型を選択し調節するために合金材料の含有量を選択することによってシリコン合金層の格子定数を調節する工程と、ペロブスカイト型マンガン酸化物、単結晶希土類酸化物、マンガンを含まないペロブスカイト型酸化物、２価の希土類酸化物、及び３価の希土類酸化物から成る酸化膜のグループから選択される単結晶エピタキシャル酸化膜を原子層堆積法でシリコン合金層上に堆積させる工程と、所望のデバイスを完成させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、超格子のナノデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係わる超格子のナノデバイスは、少なくとも一つの構成ユニットを含む。該構成ユニットは、基体と該基体に形成される一次元のナノの構成を含む第一電極と、該基体に形成され、前記一次元のナノ構成を囲う機能層と、該第一電極と電気絶縁し、前記機能層を囲う第二電極と、を含む。一次元のナノ構成の側面に多くの薄層の膜を積層することを通じるから、二次元の超格子の構成を製造する成熟の技術を利用でき、その製造難度が下がる。しかも、気相−液相−固相成長法でナノワイヤーを成長させる技術では、超格子の材料と金属の触媒が合金又は固溶体を形成する必要がある問題を解決できるから、種類が多い超格子のナノデバイスを製造できる。 （もっと読む）