【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられた機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層は、Ｆｅ含有量が５原子％以上である金属材料と窒素とを含有する層からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】より大きなＭＲ変化率を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層と、前記磁化固着層または磁化自由層の上に設けられたキャップ層と、前記磁化固着層中、前記磁化自由層中、前記磁化固着層と前記中間層との界面、前記中間層と前記磁化自由層との界面、および前記磁化固着層または磁化自由層と前記キャップ層との界面のいずれかに設けられ、酸素または窒素を含有する材料で形成された機能層とを含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを有し、前記機能層の結晶配向面が、その上または下の隣接する層の結晶配向面と異なることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】磁区構造の安定性に優れ、シールド層の影響による再生ヘッドの出力バラツキを抑えて安定した出力を得ることができる新規な素子構造を提供する。
【解決手段】第１のシールド層３および第２のシールド層５と、を有し、積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子で、第１のシールド層および第２のシールド層の少なくとも一方は、Ｘ−Ｙ平面が、フロント枠構成部５１と、バック枠構成部５５とを有した窓枠形状体に形成されており、バック枠構成部の奥域長さは、フロント枠構成部の奥域長さよりも大きく、バック枠構成部は、非磁性ギャップ層１５５とバイアス磁界印加層１５６との組合わせ体を部分的に備え、非磁性ギャップ層とバイアス磁界印加層との組合わせ体は、前記窓枠形状体を磁束がぐるりと回る閉磁路を形成し、フロント枠構成部の磁化を単磁区化する。 （もっと読む）

【課題】 スペーサー層に半導体酸化物層を用いた磁気抵抗効果素子構造において、加工プロセス上の熱や応力によって、素子の特性の変動や、経時劣化が起こり難い、新規な磁気抵抗効果素子の構造を提供する。
【解決手段】 スペーサー層に用いられる半導体酸化物層が、ＣＰＰ−ＧＭＲ素子の側面を電気的に保護するために形成された絶縁層と接する箇所に、窒素元素を含有する界面保護層を介在させる。これによって、半導体酸化物層の界面保護層との接合表面に共有結合性の高い窒化物が形成され、半導体酸化物層から酸素の移動が抑制されて、素子特性の変動や劣化が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ノイズの抑制とスピントルクの影響の抑制とを可能とする抵抗値を有し、且つ大きなＭＲ比を得ることのできる磁気抵抗効果素子を実現する。
【解決手段】ＭＲ素子は、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、磁化の方向が固定された固定層２３と、これらの間に配置されたスペーサ層２４とを備えている。スペーサ層２４は、それぞれ層状をなしＭＲ素子の各層の面と交差する方向に並ぶ第１の領域４１、第２の領域４２および第３の領域４３を有している。第２の領域４２は、第１の領域４１と第３の領域４３に挟まれている。第１の領域４１および第３の領域４３は酸化物半導体によって構成され、第２の領域４２は、非磁性導体相と酸化物半導体相のうち少なくとも非磁性導体相を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＲ変化率および耐熱性のさらなる向上を図る。
【解決手段】 本発明は、スペーサー層（４０）と、スペーサー層を挟むようにして積層形成される２つの磁性層（３０）、（５０）を有し、この積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の磁気抵抗効果素子であり、スペーサー層（４０）は、非磁性金属材料から形成された第１の非磁性金属層（４１）および第２の非磁性金属層（４３）と、第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の間に介在された半導体酸化物層（４２）を有し、スペーサー層を構成する半導体酸化物層は、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、および酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）のグループから選択された少なくとも１つから構成され、第１の非磁性金属層は、Ｃｕから構成され、第２の非磁性金属層は、実質的にＺｎから構成される。 （もっと読む）

本発明は第１の磁化が固定された磁気層（４１０）と磁気脱共役のために第１の分離層（４２０）によって分離されている高感度層である第２のフリー磁化磁気層（４３０）とを備える磁気抵抗センサに関する。前記センサは磁気脱共役のために第２分離層（４４０）によって前記高感度層から分離された第２の磁化が固定された磁気層（４５０）を更に備え、前記第１および第２の分離層は前記高感度層の両側に位置し、外部磁場がない場合、前記第１の磁化が固定された磁気層および前記高感度層の各磁化は実質的に垂直である。前記第２ピン層の磁化配向は選択される。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の向上を図ることができ、しかも耐磁場性が良好で信頼性に優れるＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】積層体素子部５の積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造の磁気抵抗効果素子であって、前記積層体素子部５の後方には、積層体素子部５の後方端面と接し、かつ後方に延びる補充絶縁層(refilled insulation layer)７が形成されており、前記補充絶縁層７が積層体素子部５の後方端面と接する最も上側の位置Ｐは、キャップ層２６の後方端面であり、キャップ層２６の厚さをＴ１、キャップ層２６の最上部から位置Ｐに至るまでの厚さ方向の距離の絶対値をＴ２とした場合に、０．２≦（Ｔ２／Ｔ１）＜１の関係を満たすように設定されてなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＰ−ＣＰＰ素子のＭＲ変化率を向上させる。
【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と具える磁気抵抗効果素子において、前記磁化固着層及び前記磁化自由層の少なくとも一方の層中又は層表面に、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、Ａｌを含む機能層を設ける。 （もっと読む）

【課題】高MR比で高S/N比を得ることができるとともに、出力変動を抑えた新規な構成の再生素子を提供する。
【解決手段】磁化固着層、磁化自由層、及び前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する電流パスを含む複合スペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁化自由層を安定化させるためのバイアス機構と、再生分解能を確保するためのシールド機構と、前記磁気抵抗効果素子の面内垂直方向に通電するための上下電極とを具える垂直通電型再生素子において、面積抵抗（RA：単位 Ω×μｍ²）が前記磁気抵抗効果素子のトラック幅（TW：単位nm）とギャップ長さ（GAP：単位nm）に対して0.00062×√(GAP)×TW+0.06以下、又は面積抵抗（RA：単位Ω×μｍ²）が、使用する線記録密度(kBPI：単位 kBPI)と前記磁気抵抗効果素子のトラック幅（TW：単位nm）に対して0.14×TW(nm)/√(kBPI)+0.06 以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗効果が得られるポイントコンタクトを有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁体層と、前記絶縁体層を挟んで積層された第１及び第２の強磁性体層と、前記第２の強磁性体層と積層された磁性バイアス層と、前記絶縁体層の側面に不連続に形成され、前記第２の強磁性体層と前記磁性バイアス層との間に介在せず、強磁性体からなり、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とを電気的に接続する接続部と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子が提供される。絶縁体層を挟んで積層された第１及び第２の強磁性体層と前記第２の強磁性体層と積層された磁性バイアス層とを形成する工程と、前記絶縁体層の側面に強磁性体を不連続に形成して前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】狭い再生ギャップ長においても、縦バイアス印加層から自由層に適度な縦バイアス磁界を効率よく印加する。
【解決手段】磁気抵抗効果センサ膜のトラック幅方向において、縦バイアス印加層２０を磁気抵抗効果センサ膜近傍までほぼ同様な厚さとし、かつ、縦バイアス印加層２０の磁気抵抗効果センサ膜側の端部を自由層１６のトラック幅方向の端部よりトラック幅方向の外側に配置し、さらに、縦バイアス印加層２０のトラック幅方向絶縁層２２との境界線の最も基板に近い境界線を、磁気抵抗効果センサ膜と下部シールド層１１の界面よりも下側に位置させる。 （もっと読む）

【課題】 所望の低い素子面積抵抗化を保持することができ、ノイズの増大を抑制しつつ、スペーサー層を構成する半導体酸化物層の厚さを厚くすることができるＣＰＰ−ＧＭＲ素子を提供する。
【解決手段】 スペーサー層と、スペーサー層を挟むようにして積層形成される磁化固定層およびフリー層を有し、この積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ構造の巨大磁気抵抗効果素子であって、フリー層は、外部磁界に応じて磁化の方向が変化するように機能しており、スペーサー層は、非磁性金属材料から形成された第１および第２の非磁性金属層と、これらの第１および第２の非磁性金属層の間に介在された半導体酸化物層を有し、スペーサー層を構成する半導体酸化物層は、その主成分が酸化亜鉛から構成され、この酸化亜鉛に、亜鉛よりも酸化されにくい金属を含有させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 所望の低い素子面積抵抗を保持しつつ、スペーサー層を構成する半導体酸化物層の厚さを厚くすることができ、高いＭＲ特性が得られるとともに、素子面積抵抗のばらつきを抑えることができ、膜特性の信頼性が格段と向上するＣＰＰ−ＧＭＲ素子を提供する。
【解決手段】 スペーサー層と、スペーサー層を挟むようにして積層形成される磁化固定層およびフリー層を有し、この積層方向にセンス電流が印加されてなるＣＰＰ構造の巨大磁気抵抗効果素子であって、スペーサー層は、非磁性金属材料から形成された第１および第２の非磁性金属層と、これらの第１および第２の非磁性金属層の間に介在された半導体酸化物層を有し、スペーサー層を構成する半導体酸化物層は、その主成分が酸化亜鉛から構成され、主成分である酸化亜鉛に、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇａ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃の三価の陽イオンを含む酸化物、およびＴｉＯ₂の四価の陽イオンを含む酸化物の中から選ばれた少なくとも１種を含有させるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 ノイズを抑制し、かつスピントルクの影響を抑制しながら大きなＭＲ比を得ることができるＣＰＰ−ＧＭＲ素子を提案する。
【解決手段】 ＣＰＰ−ＧＭＲ素子におけるスペーサー層を構成する半導体層の厚さは、当該半導体層と前記第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層との接合関係において、オーミック伝導特性と半導体伝導特性との間の伝導特性を示す遷移領域の膜厚範囲に設定される。 （もっと読む）

【課題】 所望の低い素子面積抵抗を保持しつつ、スペーサー層を構成する半導体層の厚さを厚くすることができ、高いＭＲ特性が得られるとともに、素子面積抵抗のばらつきを抑えることができ、膜特性の信頼性が格段と向上するＣＰＰ−ＧＭＲ素子を提供する。
【解決手段】 本発明のＣＰＰ−ＧＭＲ素子におけるスペーサー層は、非磁性金属材料から形成された第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層と、これらの第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の間に介在された半導体層を有し、第１の非磁性金属層と半導体層との間、および／または、第２の非磁性金属層と半導体層との間に仕事関数調整層が形成されており、半導体層は、ｎ型半導体であり、仕事関数調整層は、第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層よりも小さな仕事関数を有する材料から構成される。 （もっと読む）

【課題】 ヘッドノイズを増大させることがなく、高いＭＲ特性が得られるとともに、素子面積抵抗（ＡＲ）のばらつきが抑えられ、膜特性の信頼性が格段と向上するスペーサー層の構造を提案する。
【解決手段】 本発明のＣＰＰ−ＧＭＲ素子におけるスペーサー層は、非磁性金属材料から形成された第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層と、これらの第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の間に形成された半導体層を有し、半導体層は、ｎ型の酸化物半導体であり、第１の非磁性金属層は、成膜順序として、第２の非磁性金属層よりも先に成膜される膜であり、第１の非磁性金属層と半導体層との間に、酸化防止層が形成されており、酸化防止層は、半導体層との接合において、ショットキーバリア（Schottoky barrier）を生成しない材料から形成される。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層が、その面に平行な断面において混在するように絶縁部と導電部とを含む磁気抵抗効果素子において、ＭＲ比の低下を抑制し、特性のばらつきを小さくする。
【解決手段】ＭＲ素子５のスペーサ層２４を形成する工程は、第１の磁性層の上に第１の非磁性金属層を形成する工程と、第１の非磁性金属層の上に島状構造の第２の非磁性金属層を形成する工程と、第２の非磁性金属層が除去されると共に第１の非磁性金属層の上面に凹凸が形成されるように、第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の上面をエッチングする工程と、第１の非磁性金属層の上に絶縁層を形成する工程と、第１の非磁性金属層の上面における凸部が露出し、且つ第１の非磁性金属層の上面における凹部に絶縁層が残るように絶縁層の一部をウェットエッチングによってエッチングする工程と、第１の非磁性金属層および絶縁層の上に第３の非磁性金属層を形成する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子において、ショットノイズを抑制し、且つスピントルクの影響を抑制しながら大きなＭＲ比を得る。
【解決手段】ＭＲ素子５は、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、磁化の方向が固定された固定層２３と、これらの間に配置されたスペーサ層２４とを備えている。スペーサ層２４は、それぞれ非磁性金属材料によって形成された第１の非磁性金属層４１および第２の非磁性金属層４３と、酸化物半導体を含む材料によって形成され、第１の非磁性金属層４１と第２の非磁性金属層４３との間に配置された半導体層４２とを有している。ＭＲ素子５の面積抵抗は、０．１〜０．３Ω・μｍ^２の範囲内であり、スペーサ層２４の導電率は、１３３〜４３２Ｓ／ｃｍの範囲内である。 （もっと読む）

【課題】ローバーあるいは磁気ヘッドスライダの浮上面研磨加工後に、ドライエッチングを行うと、研磨加工時の塑性流動による導電性スメアを除去することは可能であるが、磁気抵抗効果膜の中間層の端面に損傷領域が形成され、出力の低下或いは絶縁耐圧の低下などの問題が発生する。
【解決手段】ローバー５０あるいは磁気ヘッドスライダ１０の浮上面機械研磨後に、導電性スメアを除去するためにイオンビーム照射によるクリーニングを行い、イオンビーム照射により磁気抵抗効果膜５の中間層１４の端面に形成されている損傷領域１４ａを回復させるために酸素曝露を行い、この後、浮上面保護膜７，８を形成し、続いてレール加工を行う。ローバーに対して上記処理を行った場合は、ローバーを切断して個々の磁気ヘッドスライダに分離する。 （もっと読む）