【課題】磁気抵抗効果素子の感磁層を単磁区化するためのバイアス磁界を感磁層に印加するバイアス磁界印加層の保磁力を大きくして、安定したバイアス磁界を感磁層に印加できるようにする。
【解決手段】ＭＲ素子５は、外部磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５を有している。２つのバイアス磁界印加層６は、ＭＲ素子５の２つの側面５ａ，５ｂに隣接するように配置されている。バイアス磁界印加層６は、非磁性の中間層６２と、この中間層６２を挟むように配置された第１の磁性層６１および第２の磁性層６３とを有している。第１の磁性層６１と第２の磁性層６３は、ＲＫＫＹ相互作用によって反強磁性的に交換結合している。 （もっと読む）

【課題】自由層と固定層が微小な幅の導通部分を介して導通される磁気抵抗効果素子であって、導通部分の幅の制御が容易な磁気抵抗効果素子を実現する。
【解決手段】ＭＲ素子５は、積層体３０を備えている。積層体３０は、互いに反対側を向く第１の面および第２の面を有するスペーサ層２４と、スペーサ層２４の第１の面に隣接するように配置され、信号磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、スペーサ層２４の第２の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定された固定層２３とを有している。スペーサ層２４は、少なくとも一部が導体以外の材料よりなり、電流の通過を阻止または全体が導体よりなる層に比べて電流の通過を制限する。ＭＲ素子５は、更に、積層体３０の外周面に配置されて、自由層２５と固定層２３とを導通させる導電膜４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】高密度記憶の磁気記憶装置に適用可能で、信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する金属層を含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記磁化固着層、前記スペーサ層を構成する前記第１の金属層、前記第２の金属層、及び前記第２の金属層が前記絶縁層に変換された後の絶縁層、並びに前記第３の非磁性金属層の少なくとも一箇所に、イオン、またはプラズマを照射して、各層間の密着性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流されるＭＲ素子におけるＭＲ比を大きくする。
【解決手段】ＭＲ素子５は、非磁性導電層２４と、非磁性導電層２４を挟むように配置された固定層２３およびフリー層２５を備えている。固定層２３とフリー層２５は、それぞれホイスラー合金層３３Ｈ，２５Ｈを含んでいる。ホイスラー合金層３３Ｈ，２５Ｈは、単位格子の体心位置に磁性金属元素の原子が配置されたホイスラー合金と、ホイスラー合金を構成しない非磁性金属元素である添加元素とを含んでいる。固定層２３とフリー層２５の少なくとも一方は、非磁性導電層２４に隣接する領域であって、非磁性導電層２４に近づくに従って添加元素の濃度が大きくなる領域を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果やセンサ分解能を低下させることなく電流誘起ノイズを最小限に抑えたCPPセンサが求められている。
【解決手段】反平行フリー(APF)構造を備え、センス電流の方向を特定の方向に限定した面直電流型（CPP）磁気抵抗センサ２００は、第１フリー強磁性層（FL1）２０１、第２フリー強磁性層（FL2）２０２、および、反平行結合APC層２０３から成り、APC層２０３は、FL1とFL2を反強磁性的に結合し、その結果、FL1とFL2がほぼ反平行の磁化方向を有し、磁界が存在すると一致して回転する。FL1とFL2の厚さは、センサのフリー層全体(APF)として望ましい磁気モーメント／面積が得られるように設定する。FL1の厚さは、バルクスピン依存散乱を増加させてセンサ信号を大きくするためにFL1材料における電子のスピン拡散距離よりも大きくすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからなる薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層と，を具備する。薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変化する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子，磁気ヘッド，および磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と，磁化固着層上に配置され，かつ絶縁層と，この絶縁層を貫通する金属導電体と，を有するスペーサ層と，スペーサ層上に，金属導電体と対向して配置され，かつ磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の磁性層１４、スペーサ層１６、およびイオン、プラズマ、または熱で処理される被処理層を有する第２の磁性層１８を順に形成する。第２の磁性層をイオン等で応力調整処理することで電流狭窄部での膜残留応力を低下させ、磁気抵抗効果素子の信頼性の向上を図る。 （もっと読む）

磁気メモリデバイス（３００）のメモリセル（３１０）は、自由層（３１１）と、キャップ層と、反強磁性層と、非磁気空間層を介して反強磁性結合された２つ以上の強磁性層を備える合成反強磁性層とを含む。該合成反強磁性層は反強磁性層によってピン止めされる。該反強磁性層および該合成反強磁性層は合成反強磁性ピン（ＳＡＦＰ）記録層を形成する。該ＳＡＦＰ記録層の磁化は、加熱プロセスと、ビットライン（３２０）およびワードライン（３３０）に沿って流れる電流から誘導された外部電界とを組み合わせることによって変更可能である。従って、該ＳＡＦＰ記録層の高い容積および異方性エネルギーゆえに、該ＳＡＦＰ記録層を導入した後に、高密度で、熱的安定性が高く、電力損失が少なく、かつ熱耐性が高いＭＲＡＭが達成可能である。 （もっと読む）