【課題】より容易な方法で集積度を向上させた情報格納装置を提供する。
【解決手段】本発明の情報格納装置は、基板と、基板上のゲートライン構造体を含むトランジスターと、少なくとも一部が基板内に埋め込まれてトランジスターの活性領域を定義する導電性分離パターン（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｐａｔｔｅｒｎｓ）と、を有し、導電性分離パターンは、互いに電気的に連結される。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】本発明の磁気メモリ素子は、基板上のトンネルバリア、トンネルバリアの一面と接する第１接合磁性層、第１接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第１垂直磁性層、トンネルバリアの他の面と接する第２接合磁性層、第２接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第２垂直磁性層、及び第１接合磁性層と第１垂直磁性層との間の非磁性層を含む。 （もっと読む）

【課題】磁性層としてフルホイスラー合金を用いても、可及的に高くかつ温度変化の影響を可及的に受けない磁気抵抗変化率を得ることを可能にする。
【解決手段】半導体基板上に離間して設けられたソース部およびドレイン部であって、前記ソース部およびドレイン部はそれぞれ、ＣｏおよびＦｅを含む合金からなる第１強磁性層１５ａ_１、１５ｂ_１と、前記第１強磁性層上に形成されたＣｏおよびＭｎを含むフルホイスラー合金からなる第２強磁性層１５ａ_２、１５ｂ_２とを有する強磁性積層膜を含む、ソース部およびドレイン部１５ａ、１５ｂと、前記ソース部と前記ドレイン部との間の前記半導体基板上に設けられるゲート絶縁膜９と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】隣接した磁気トンネル接合装置間の干渉現象および電気的な短絡を防止することのできる磁気トンネル接合装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】所定の間隔を有する複数の開口部を備える絶縁膜を形成するステップと、前記開口部の底面および側壁に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に磁気トンネル接合層を形成するステップと、前記磁気トンネル接合層上に残りの前記開口部を埋め込む第２電極を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比の磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた中間層とを有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に垂直にセンス電流を流すための一対の電極とを有し、前記磁化固着層および前記磁化自由層の少なくともいずれか一方は、Ｃｏ，ＦｅまたはＮｉを含む磁性層と、Ｍｎを含有する金属材料および酸素を含有する機能層とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。 （もっと読む）

【課題】高感度なモーションセンサーとして三軸検知可能であり、また磁界センサーとして使用可能で、簡便な構成で、小型で、かつ低消費電力の複合センサーを提供すること。
【解決手段】傾斜面を有する基板の前記傾斜面に設けられた磁気検知素子と、前記基板上に梁により支持され３軸方向の自由度を有する錘を有する磁界発生部とを備えた複合センサーであって、
前記磁気検知素子により第１の物理量の外部磁界を検知可能であると共に、
前記錘を有する磁界発生部の位置変動による前記磁気検知素子の出力の差に基づいて第２の物理量を検知することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発生後短時間で消滅する信号の存在を確実に検出し得る周波数検出装置を提供する。
【解決手段】磁化固定層、磁化自由層、および磁化固定層と磁化自由層との間に配設されたスペーサー層を備えた２つの磁気抵抗効果素子（例えばＴＭＲ素子やＣＰＰ−ＧＭＲ素子など）２ａ，２ｂと、各磁気抵抗効果素子２ａ，２ｂの磁化自由層に磁場を印加する磁場印加部３ａ，３ｂと、入力端子４ａ，４ｂを介して磁気抵抗効果素子２ａ，２ｂに交流信号Ｓ１が供給されたときに磁気抵抗効果素子２ａ，２ｂの両端に発生する直流電圧を増幅して出力信号Ｓ２として出力する差動増幅部６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッド浮上面保護層の薄膜化と同時に、再生素子のＳＮ比の劣化を抑制することで、高密度記録に適した磁気ヘッドを高歩留まりで提供する。
【解決手段】磁気ヘッド１の再生素子１２は、下部磁気シールド層１４と上部磁気シールド層１６の間に磁気抵抗効果膜（TMR膜）２が設けられ、TMR膜２の両脇にはリフィル膜１８と磁区制御膜１９が設けられている。TMR膜２は、下部金属層３、反強磁性層４、強磁性固定層５、中間層６、強磁性自由層７、上部金属層８により構成されている。TMR膜２の記録媒体対向面９には、膜厚が約２．０ｎｍの窒化珪素膜からなる浮上面保護層１００が形成される。窒化珪素膜中の珪素は、窒素によって不活性化されるので、TMR膜２に対して損傷を与えることはない。したがって、再生素子１２のノイズを低レベルに抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】基板自体の小型化を実現しつつ、基板に実装されるセンサ素子における高い検出精度を確保すること。
【解決手段】温度特性を有するＧＭＲ素子群１３が実装されると共にＧＭＲ素子群１３の近傍に発熱し得るＡＳＩＣ１１、１２が実装される表面層と、この表面層に重ねられ、ＧＭＲ素子群１３及びＡＳＩＣ１１、１２の駆動に伴って発生する熱を放出するための銅箔パターン２１が設けられた内層２０とを具備するセンサ素子用基板であって、上記銅箔パターン２１におけるＧＭＲ素子群１３に対応する位置と、ＡＳＩＣ１１、１２に対応する位置との間に他の部分に比べて熱伝導率を低減させるスリット２２を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セルサイズの微細化を図る。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第１の配線ＢＬと、この第１の配線の上方に第１の配線と離間して設けられた第２の配線ＷＷＬと、第１及び第２の配線間に配置され、第１の配線の上面に接して配置され、固定層と記録層と非磁性層とを有する磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、この磁気抵抗効果素子上に配置され、磁気抵抗効果素子と積層して一体に形成された金属層ＨＭと、金属層、磁気抵抗効果素子及び第１の配線の側面に設けられたサイド絶縁膜２４と、このサイド絶縁膜の側面と接して形成されたコンタクト２６と、金属層及びコンタクト上に配置され、磁気抵抗効果素子とコンタクトとを電気的に接続する第３の配線ＷＷＬとを具備する。 （もっと読む）

【課題】低い面積抵抗（ＲＡ）で高いＴＭＲ比を有することができるとともに、低電流での情報の書き込みを行うことを可能にする。
【解決手段】磁化の向きが可変の磁性層を有する磁化自由層６と、磁化の向きが固着された磁性層を有する磁化固着層２と、磁化自由層と磁化固着層との間に設けられた中間層４とを備えた積層膜を含み、中間層は、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｓｃから選ばれる元素を含むとともにＢを含む酸化物であり、磁化固着層と磁化自由層との間に中間層を介して双方向に通電することにより、磁化自由層の磁化が反転可能である。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率および信頼性の向上が図れる磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子におけるスペーサ層を、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇからなる群から選択される元素を主成分とした第１の金属層を形成し、この第１の金属層上にＳｉ，Ｈｆ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｃｒ，およびＺｒからなる群から選択される元素を主成分とする機能層を形成し、この機能層上にＡｌを主成分とする第２の金属層を形成し、この第２の金属層に対して、酸化・窒化・酸窒化を行い、絶縁層、及びこの絶縁層の層方向に電流を通過させる導電体を有する電流狭窄層を形成することによって構成する。 （もっと読む）

【課題】高密度記憶の磁気記憶装置に適用可能で、信頼性の向上が図られた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層と前記絶縁層を貫通する金属層を含むスペーサ層とを有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、前記スペーサ層は、第１の金属層を成膜し、前記第１の金属層上に、前記絶縁層に変換される第２の金属層を成膜し、前記第２の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第１の変換処理を行い、前記第１の変換処理を通じて形成された前記絶縁層及び前記金属層上に、前記絶縁層に変換される第３の金属層を成膜し、前記第３の金属層を前記絶縁層に変換するとともに前記絶縁層を貫通する前記金属層を形成する第２の変換処理を行って形成する。 （もっと読む）

【課題】 動作マージンの大きな磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】 磁気記憶装置は、磁気抵抗効果素子を行列に配置したメモリセルアレイを含む。第１書き込み線４ａは、第１方向に沿って延び、第１方向に向かう電流のみが供給される。第２書き込み線４ｂは、第１方向に沿って延び、第１方向とは逆向きの第２方向に向かう電流のみが供給される。第３書き込み線３ａは、第１方向と直交する第３方向に沿って延びる。第１電極５４ａは、第１、第３書き込み線間に設けられる。第１プラグ５５ａは第１電極に接続され、第１書き込み線より第３方向に沿って下側に設けられる。第２電極５４ｂは、第２、第３書き込み線間に設けられる。第２プラグ５５ｂは、第２電極に接続され、第２書き込み線より第３方向に沿って上側に設けられる。磁気抵抗効果素子は、第１書き込み線と第３書き込み線とが交わる位置、第２書き込み線と第３書き込み線とが交わる位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】検知軸が多軸であって、かつ平面上にないような多軸ベクトルを検知可能な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の基板および磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】外部からの磁界に応じて磁化が変動するソフト層と、磁性体層と反強磁性体層とを有し磁化が固定された磁化固定層とを備え、ソフト層の有する磁化方向と磁化固定層の有する磁化方向との相対角度によって、電気伝導が変化して磁気抵抗効果を生じさせる磁気抵抗効果素子の形成方法であって、磁化固定層を薄膜にて形成する薄膜形成工程と、磁化固定層の膜面方向以外の方向から膜面方向へと磁界を着磁して、磁化方向を形成する着磁工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ショートの発生を防止可能なＭＴＪ積層構造を有する磁気メモリセルおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＣＭＰプロセスに先立つシリコン酸化物層５３の形成前に、ＭＴＪ積層構造２０の上に、シリコン窒化物層またはシリコン酸化窒化物層等の保護層５２を別途形成する。その後、ＣＭＰプロセスにより全面を平坦化研磨してＭＴＪ積層構造２０領域以外のシリコン酸化物層５３を選択的に除去した後、エッチングにより、ＭＴＪ積層構造２０の真上にある保護層５２を選択的に除去する。ＭＴＪショートが少なく、しかも、ビット線とフリー層との距離が制御されたＭＲＡＭセル構造を得ることができる。さらに、従来に比べて耐熱性に優れたＭＲＡＭセル構造を得ることもできる。さらに、製造工程において、ＣＭＰプロセスのマージンが大きくなるので、製造が容易となる。 （もっと読む）

【課題】磁気記憶素子及びその形成方法を提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合体両側にそれぞれ配置された第１及び第２の書き込み導電体を含む。これにより、第１の書き込み導電体又は第２の書き込み導電体によって磁気トンネル接合体にデータをプログラムできる。 （もっと読む）

【課題】異方性が低くかつスピン分極が高い材料を得る。
【解決手段】合成自由層を有するスピンバルブとして磁気抵抗素子を提供する。より具体的には、合成自由層は、スペーサによって高垂直異方性層から分離された低垂直異方性層を含む。したがって、高異方性材料は、交換結合による平面外成分を導入する。また、高垂直異方性材料は、低いスピン分極を有する。さらに、ピン層の近くに配置された低異方性材料は、高いスピン分極を有する。その結果、低異方性材料の磁化は、平面内方向から平面外方向に変更される。したがって、低異方性材料と高異方性材料により全体の自由層垂直異方性を小さくすることができる。これらの層の厚さとその間のスペーサを調整することによって、異方性をさらに小さくし、感度をさらに高めることができる。 （もっと読む）

磁気メモリデバイスは、基板上に形成された複数のトランジスタ３１６、３１７と、トランジスタ上に形成された、多数の有効磁気抵抗素子３１８、３１９、強磁性記録層３２１、非磁性空間層３２３及び自由磁気読出し層３２２を含む共通磁気メモリブロック３１２とを備える。延長共通デジタル線３１５は共通磁気メモリブロック上に配置される。共通磁気メモリブロックは、それぞれの活性領域の各コンタクトを通してトランジスタの対応のソース／ドレイン電極と電気的に接続される。活性領域の強磁性記録層の特定の磁化状態は、加熱プロセスを実行し、かつ共通デジタル線及びビット線３０９、３１１又はワード線３０７から誘導される外部磁界を印加することにより変化させ得る。有効磁気抵抗素子の抵抗変化は、読出し中に磁気反応層の磁化状態を変化させることにより検出でき、小さいスイッチング磁界が必要である。 （もっと読む）