【課題】短パルス幅領域での反転電流の増加を防ぎ、熱安定性を確保して高速動作が可能な記憶素子を提供する。
【解決手段】記憶素子は、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。
そして、上記記憶層は、グラニュラー構造の酸化物の領域を含み、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる。 （もっと読む）

【課題】より広い電流レンジの測定を可能とする。
【解決手段】電流を検知するための素子として、磁界の強度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗素子を用いる。磁気抵抗素子の近傍に配置した配線に測定対象の電流が流れた際に発生する磁界に応じた当該磁気抵抗素子の抵抗に基づき、当該測定対象電流の電流値を測定する。また、磁気抵抗素子を、ＩＶ特性の直線領域において純抵抗として用いて、当該磁気抵抗素子に測定対象電流を直接流して電流値の測定を行う。これらの、磁気抵抗素子の磁気抵抗効果を利用した電流測定と、磁気抵抗素子を純抵抗として用いた電流測定とを、測定対象電流の電流値に応じて切り替える。 （もっと読む）

【課題】熱安定性の情報書き込み方向に対する非対称性をすくなくし特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。この場合に、磁化固定層を少なくとも２層の強磁性層と非磁性層とを有する積層フェリピン構造とし、かつ、いずれかの上記強磁性層に接して反強磁性酸化物層が形成されているようにする。 （もっと読む）

【課題】環境温度によらず、熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。この場合に、記憶層は正の磁歪定数を持つ磁性層を有するようにし、上記層構造に加えてさらに、負熱膨張材料層が設けられるようにする。 （もっと読む）

【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層と、少なくとも１つの非磁性層を有し、酸化物層、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。 （もっと読む）

【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。
そして、上記記憶層は非磁性体と酸化物が積層された積層構造層を含み、上記層構造の積層方向に電流を流すことにより、上記記憶層の磁化の向きが変化して、上記記憶層に対して情報の記録が行われる。 （もっと読む）

【課題】電力検知を精度良く行う。
【解決手段】磁気抵抗素子１１を備えた電力検知センサ１０であって、測定対象となる負荷Ａに印加される電圧を、磁気抵抗素子１１の抵抗成分に基づいて検知し、負荷Ａに流れる電流を、磁気抵抗素子１１の近傍に配置される電気配線ｗａより発生する磁界に基づく磁気抵抗素子の出力変化、および磁気抵抗素子１１の磁気抵抗変化に基づいて検知し、電力検知を行う。 （もっと読む）

【課題】熱安定性の情報書き込み方向に対する非対称性をすくなくし特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。この場合に、磁化固定層を少なくとも２層の強磁性層とＣｒを含む非磁性層とを有する積層フェリピン構造とする。 （もっと読む）

【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。記憶層は、少なくともＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層を有する。また記憶層に接する中間層と、該中間層とは反対側で記憶層が接する他方の層は、少なくとも記憶層と接する界面が酸化物層とされており、さらに上記他方の層は、酸化物層が、Ｌｉを含むＬｉ系酸化物層とされている。 （もっと読む）

【課題】トンネル磁気抵抗素子を利用した生体磁気センサーにおいて、トンネル磁気抵抗素子の高感度を達成し、高精度に生体磁気を計測する。
【解決手段】ゼロ磁界での強磁性金属磁化自由層４の容易磁化軸４ａは、強磁性金属磁化固定層６の容易磁化軸６ａに対してねじれの位置にある。好ましくはねじれの角が４５度から１３５度である。また、当該固定層が自由層より上層に積層され、固定層の面積は自由層の面積に対して小さくされる。当該固定層及び自由層がそれぞれ３層とされ、極薄非磁性体金属層を介して第１の強磁性体の磁化の向きと前記第２の強磁性体の磁化の向きとが反平行になる交換結合力を有する反平行結合膜構造体とされる。絶縁層としてはＭｇＯ、極薄非磁性体金属層としてはＲｕが適用される。 （もっと読む）

【課題】電流値を精度良く検知する。
【解決手段】磁気抵抗素子１１を備えた電流センサ１０であって、該磁気抵抗素子１１の、磁気抵抗素子１１自体に流すセンス電流に応じた出力変化（センス電流部１２による出力変化）と、磁気抵抗素子の近傍に配置される電気配線（電気配線ｗｄ２等の影響による出力変化）への電流に応じた出力変化と、の２つの出力変化に基づいて測定対象である負荷Ａへの電流を測定する。 （もっと読む）

【課題】平面に適用された磁場を測定する方法を提供する。
【解決手段】第１の交流ドライブ電流を第１のストラップに適用し、第１のストラップの少なくとも一部が、磁気抵抗センサの上に横たわり、第１のストラップが、第１の方向Ｘに延びる大きさを有することを特徴とし、第２の交流ドライブ電流を第２のストラップに同時に適用し、第２のストラップの少なくとも一部が第１のストラップの少なくとも一部の上に横たわり、第２のストラップが第２の方向Ｙに延びる大きさを有し、第２の方向が、第１の方向と並行ではなく、第２の交流ドライブ電流が、第１の交流ドライブ電流と位相が異なり、磁気抵抗センサが、磁気抵抗センサの平面で回転する周期的回転磁気ドライブ磁場に影響を受けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力、高Ｑ値で且つ、膜厚が薄いＳＴＯを備えた磁気ヘッド、磁気センサ、および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の磁気ヘッドは、スピントルク発振素子を備え、スピントルク発振素子は、第１強磁性層と、第２強磁性層と、第２強磁性層に対して前記第１強磁性層と反対側に設けられた第３強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、第２強磁性層と第３強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、第１強磁性層に対して第１非磁性層と反対側の面に設けられた第１電極と、第３強磁性層に対して第２非磁性層と反対側の面に設けられた第２電極と、を備え、第２強磁性層と第３強磁性層は、第２非磁性層を介して反強磁性結合をし、前記第１および第２電極間に電流を流さない場合に第１強磁性層と第２強磁性層の磁化の向きが反平行配置であり、第１および第２電極間に電流を流すと、第１乃至第３強磁性層においてそれぞれ、磁化の歳差運動が誘起される。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合を有する磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合２は、シンセティック記憶層２３、可逆性であるセンス磁化方向２１１を呈するセンス層２１、及びこのセンス層とこの記憶層との間のトンネル障壁層２２から構成される。正味の漂遊局所磁界が、前記記憶層を前記センス層に結合させる。前記正味の漂遊局所磁界は、センス層に結合する前記正味の漂遊局所磁界が５０エルステッド未満であるような漂遊局所磁界である。また、ＭＲＡＭセルに書き込み、ＭＲＡＭセルを読み出すための方法に関する。当該開示されたＭＲＡＭセルは、従来のＭＲＡＭセルに比べてより低い消費電力で書き込まれ且つ読み出され得る。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の内蔵メモリとしてのＭＲＡＭへの不正アクセスに対する保護を改善すること。
【解決手段】半導体集積回路(１０)は、プロセッサ(１)と不揮発性メモリ(３)とを具備する。不揮発性メモリ(３)は、複数の磁気ランダムアクセスメモリセルと、複数の磁気リードオンリーメモリセルとを含む。複数の磁気ランダムアクセスメモリセルはプロセッサ(１)による通常書き込みによって書き換えが可能とされ、複数の磁気リードオンリーメモリセルはプロセッサ(１)による通常書き込みによって書き換えが不可能とされる。不揮発性メモリ(３)と接続された感知回路(２)は、不揮発性メモリ(３)の不正アクセスによる複数の磁気リードオンリーメモリセルの状態遷移を感知する。状態遷移に応答して、感知回路(２)は不正アクセスの検出結果をプロセッサ(１)に通知する。 （もっと読む）

【課題】向上した磁気性能および堅牢性を有する磁気読み出しセンサを提供する。
【解決手段】磁気センサは、磁化自由層構造３１０と磁化固定層構造とを含む。磁化固定層構造は、非磁性結合層３１８によって互いに分離させた第１の磁性層３１４および第２の磁性層３１６を含む。磁化固定層構造の第２の磁性層はＣｏＦｅＢＴａの層を含んでおり、この層が原子の拡散を防止し、さらには所望のＢＣＣ結晶粒成長を促進する。磁化自由層構造は、原子拡散をさらに防止し、所望のＢＣＣ粒成長をさらに促進するためのかかるＣｏＦｅＢＴａ層を含むこともできる。 （もっと読む）

【課題】小さい書き込み磁界及び読み出し磁界をそれぞれ使用して書き込みされ得て読み出しされ得るＭＲＡＭセルを提供する。
【解決手段】ＭＲＡＭセル１は、磁気トンネル接合２が高温閾値で加熱されるときに第１方向から第２方向に調整可能であり且つ低温閾値でピン止めされる正味の記憶磁化方向を有する記憶層２３と、可逆性である正味のセンス磁化方向を有するセンス層２１と、このセンス層をこの記憶層から分離するトンネル障壁層２２とから構成された磁気トンネル接合を有する。記憶層２３とセンス層２１とのうちの少なくとも１つの層の補償温度で、その第１磁化方向とその第２磁化方向とがほぼ等しいように、記憶層２３とセンス層２１とのうちの少なくとも１つの層が、３ｄ−４ｆアモルファスフェリ磁性合金材料から成り、その材料が、第１磁化方向を提供する３ｄ遷移金属原子の副格子と、第２磁化方向を提供する４ｆ希土類原子の副格子とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、単方向電流で書き込みが可能であり、微細化が可能な磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、スピントランジスタ、及び集積回路を提供することができる。
【解決手段】 磁気メモリ素子は、磁化が可変の第１の強磁性層と、第１のバンド及び第２のバンドを有する第２の強磁性層と、前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられた非磁性層と、を備える。 （もっと読む）