【課題】外部からの磁界が印加されない状態で一対の強磁性層の磁化の方向を互いに反平行にし、且つ突発的な出力の変化の発生を抑制する。
【解決手段】ＭＲ素子は、一対のシールド部の間に配置されたＭＲ積層体５およびバイアス磁界印加層６を備えている。各シールド部は単磁区部分を含んでいる。ＭＲ積層体５は、一対の単磁区部分と磁気的に結合する一対の強磁性層と、一対の強磁性層の間に配置されたスペーサ層とを含んでいる。ＭＲ積層体５は、前端面５ｃと後端面５ｄと側面５ｅ，５ｆとを有している。ＭＲ素子は、ＭＲ積層体５の側面５ｅ，５ｆに隣接する位置に配置された２つの磁束ガイド層９０を備えている。磁束ガイド層９０は、前端面９０ｃと後端面９０ｄとを有している。バイアス磁界印加層６は、ＭＲ積層体５の後端面５ｄと２つの磁束ガイド層９０の各後端面９０ｄとに対向する前端面６ａを有している。 （もっと読む）

【課題】トンネル効果とは異なる原理による、直線性の良い負性抵抗２端子素子を提供する。
【解決手段】磁化自由層（３３）と、磁化自由層がもつ磁気モーメントよりも大きな磁気モーメントを有する磁化固定層（３１）と、磁化自由層と磁化固定層との間に設けられた中間層（３２）とを有する磁気抵抗素子を具備する負性抵抗素子である。磁化固定層側から電子が流れ込むように磁気抵抗素子に印加される電流の上昇につれて磁化自由層の磁化方向の変化が連続的に引き起こされることにより負性抵抗を示すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリのセルとして用いられる磁気抵抗素子の自由磁気構造の動作窓を最大化する。書き込み誤りを防止する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０６は、ピン磁気構造１０２と、自由磁気構造１０６と、ピン磁気構造と自由磁気構造との間に結合されているスペーサ層１０４とを含み、自由磁気構造は、２つ以上の反強磁性結合されている強磁性層を含む合成反強磁性構造（ＳＡＦ）１０８と、２つ以上の反強磁性結合されている強磁性層のデカップリングを妨げる、ＳＡＦに結合されている第１のバイアス層１１０とを含む。第１のバイアス層は反強磁性層であり、ＳＡＦに弱結合される。自由磁気構造は、２つ以上の反強磁性結合されている強磁性層のデカップリングをさらに妨げるための、ＳＡＦに結合されている第２のバイアス層と、第１のバイアス層とＳＡＦとの間の結合強度を制御する、第１のバイアス層とＳＡＦとの間に結合されている非磁性層を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】２つの自由磁性層から構成され、また、バイアス印加層による出力低下が少ない構造の高感度の磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその磁気ヘッドを用いた磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいて、形状異方性により2つの自由磁性層の磁化を、互いに反対方向であって、媒体対向面に対し凡そ30〜60°とすることで、従来に比べて約2倍の再生出力を得る。また、バイアス印加層を媒体対向面と対向する面側にのみ配置することで、媒体対向面側の自由磁性層の感度を高くして、より大きな再生出力を得る。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子を他の素子に電気的に接続する導体（例えば，ビア及び配線）と，磁気抵抗素子を構成する層との間の相互拡散を防止することにより，磁気抵抗素子の熱的安定性を，一層に向上する技術を提供する。
【解決手段】本発明による磁気抵抗デバイスは，反転可能な自由自発磁化を有する自由強磁性層（１０）と固定された固定自発磁化を有する固定強磁性層（８）と前記自由強磁性層（１０）と前記固定強磁性層（８）との間に介設されたトンネル絶縁層（９）を含む磁気抵抗素子（４）と，前記トンネル絶縁層を介さずに前記自由強磁性層に電気的に接続される非磁性の導体（３）と，前記自由強磁性層（１０）と前記導体（３）との間に介設される拡散防止構造体（１４）とを備えている。前記自由強磁性層（１０）は，前記トンネル絶縁層に直接に接合する強磁性層（３１）と，強磁性層（３１）に接合され，且つ，非磁性元素と強磁性層（３１）を構成する強磁性材料とを含有する磁化制御構造体（３２，３４，３５）とを含む。 （もっと読む）