【課題】書き込み電流を可及的に低減させるとともに高速に書き込むことができ、かつ大容量化を実現することのできる磁気抵抗効果素子及び磁気メモリを提供することを可能にする。
【解決手段】磁化が膜面に対して略垂直で不変の第１の強磁性層２と、磁化が膜面に対して略垂直でかつ可変の第２の強磁性層６と、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に設けられる第１の非磁性層４と、第２の強磁性層に対して第１の非磁性層と反対側に設けられ、磁化が膜面に略平行でかつ可変の第３の強磁性層１０と、第２の強磁性層と第３の強磁性層との間に設けられる第２の非磁性層８と、を備え、第１の強磁性層と第３の強磁性層との間で膜面に略垂直な方向に電流を流すことにより、スピン偏極した電子を前記第２の強磁性層に作用させるとともに、第２の強磁性層から第２の非磁性層を通って第３の強磁性層に作用させて第３の強磁性層の磁化に歳差運動を誘起し、この歳差運動に応じた周波数のマイクロ波磁場が第２の強磁性層に印加される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、磁気ディスク装置の再生磁気ヘッドに関し、より詳細にはＴＭＲ膜を用いた再生磁気ヘッドの低抵抗化に関する。
【解決手段】 本発明の再生磁気ヘッドは、磁気抵抗効果層の厚さ方向に上部シールド層と下部シールド層とを配置し、その磁気抵抗効果層の側面に磁区制御層を配置した構造の再生磁気ヘッドであって、再生磁気ヘッドの磁気抵抗効果層と磁区制御層との間にシャント層を形成するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】積層構造を有さないでトンネル接合を形成した新規な構造のトンネル接合磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】強磁性体からなる第１の電極１２と強磁性体からなる第２の電極１３と第１の電極１２及び第２の電極１３の間に配置されるナノ粒子１４とを備え、ナノ粒子１４が強磁性金属ナノ粒子１４ａの外周に絶縁性を有する保護基１４ｂを有する。強磁性金属ナノ粒子１４ａと第１の電極１２との間に第１のトンネル接合１５ａが形成され、強磁性金属ナノ粒子１４ａと第２の電極１３との間に第２のトンネル接合１５ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】磁気記憶装置及びその動作方法に関し、スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭ（ＳＴＳ−ＭＲＡＭ）で大容量（Ｇｂｉｔ超）ＭＲＡＭを得る為、臨界電流密度Ｊ_C の低減、出力電圧の向上及び誤動作防止の両立を実現しようとする。
【解決手段】１層以上の強磁性層と非磁性層で構成された磁化自由層４Ｃ及び積層フェリピン構造の磁化固定層４Ａの間にＧＭＲ型の場合は非磁性金属層４Ｂが介在し且つ磁化自由層４Ｃ近傍に発熱層４Ｅが設けられてなる磁気抵抗効果素子を備えて動作させることが基本になっている。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層に隣接する層がホイスラー合金層である場合に、ホイスラー合金層が特定の結晶構造をとりやすくすることによって高いＭＲ比を達成する。
【解決手段】ＭＲ素子４は、ピンド層４３、スペーサ層４４およびフリー層４５が、この順番で積層された構成を有する。ピンド層４３の、スペーサ層４４と隣接する層はホイスラー合金層で構成される。ホイスラー合金層とスペーサ層４４との界面には、化合物４９が海島状に分散して設けられている。化合物４９は、ホイスラー合金層に含まれる元素の少なくとも１種を含んでいる。 （もっと読む）

非揮発性の複数の磁気メモリデバイスの集積アレイであって、前記磁気メモリデバイスの各々は、一定の磁化方向を有する第１の磁化層（１０）と、可変の磁化方向を有する自由磁化層（２０）と、前記第１の磁化層と前記自由磁化層とを分離する空間層（３０）と、前記磁気メモリデバイスを選択するスイッチとを備え、各層、及び前記スイッチの少なくとも一部は、ナノワイヤなどの柱状構体として形成している。前記スイッチは、好適に柱状ナノ構体で集積して形成している。柱状構体の前記スイッチを前記磁化層に組み入れることによって、前記磁気メモリデバイスを小さくして高集積化を可能にする。これは、外部磁界を用いるか、又は柱状構体で発生した磁界のみを用いる磁気デバイスに適用可能である。書き込み電流は、柱状構体に沿って順方向又は逆方向に結合させて、電流の方向に従う前記自由磁化層の磁化方向を変えることができる。
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本発明の装置は、第１の電極（１２）と、磁性基準層（１）と、トンネルバリア（３）と、磁性記憶層（４）と、第２の電極（１３）とを連続的に備えている。記憶層（４）と第２の電極（１３）との間には少なくとも１つの第１の断熱層が配置され、この第１の断熱層は、その熱伝導率が５Ｗ／ｍ／℃未満である材料から形成されている。第１の電極（１２）と基準層（１）との間に配置された層によって第２の断熱層を構成することができる。書込み段階は、記憶層（４）のトンネル接合部を通じて基準層（１）へと向かう電流（ｌ１）の循環を含んでおり、一方、読出し段階は逆方向の電流循環を含んでいる。
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