【課題】高電界領域及び低電界領域のリーク電流を低減する揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板１０１の表面領域に互いに離間して設けられたソース／ドレイン領域１１１と、ソース／ドレイン領域１１１間のチャネル上に設けられたトンネル絶縁膜１０２と、トンネル絶縁膜１０２上に設けられた電荷蓄積層１０３と、電荷蓄積層１０３上に設けられ、かつランタンアルミシリコン酸化物若しくは酸窒化物を含む第１の誘電体膜１０５と、第１の誘電体膜１０５上に設けられ、かつハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、及び希土類金属のうち少なくとも１つを含む酸化物若しくは酸窒化物を含む第２の誘電体膜１０６と、第２の誘電体膜１０６上に設けられた制御ゲート電極１０７とを含む。 （もっと読む）

【課題】積層構造のセルアレイと周辺回路との配置及び連結とを単純化して、集積度を高めた積層構造の不揮発性メモリ装置、メモリカード及びシステムを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ装置は、基板を含む。積層ＮＡＮＤセルアレイは、基板上に垂直に積層された複数のＮＡＮＤストリングを含む少なくとも１つのＮＡＮＤセットと、少なくとも１本の信号ラインとを有する。少なくとも１本の信号ラインは、少なくとも１つのＮＡＮＤセットに共通結合するように、基板上に配される。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＮＯＳ型のフラッシュメモリにおいて、電荷蓄積膜中の電荷蓄積サイトの量を必要量確保すること。
【解決手段】 半導体層１０の表面に離間して形成されたソース・ドレイン領域１０ａ、１０ｂと、ソース・ドレイン領域１０ａ、１０ｂ間の半導体層１０上に設けられたトンネル絶縁膜１１と、トンネル絶縁膜１１の上に設けられ天然状態における同位体比とは異なる比率の同位元素を含む絶縁性の電荷蓄積膜１２と、電荷蓄積膜１２の上に設けられたブロック絶縁膜１４と、ブロック絶縁膜１４の上に設けられた制御ゲート電極１５と、を具備する不揮発性半導体記憶装置。 （もっと読む）

【課題】隣接するメモリセル間での電荷の移動を効果的に防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に形成されたトンネル絶縁膜２１と、トンネル絶縁膜上に形成され、少なくとも２つの互いに離隔された低酸素濃度部分２２ａと、隣接する低酸素濃度部分間に位置し且つ低酸素濃度部分よりも高い酸素濃度を有する高酸素濃度部分２２ｂとを含んだ電荷蓄積絶縁膜２２と、電荷蓄積絶縁膜上に形成された電荷ブロック絶縁膜２３と、電荷ブロック絶縁膜上であって且つ低酸素濃度部分の上方に形成された制御ゲート電極２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】メモリセルトランジスタ及びセレクトトランジスタともに良好な特性を有する優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に設けられた第１の下層絶縁膜２０ａと、第１の下層絶縁膜上に設けられた第１の中間絶縁膜３０ａと、第１の中間絶縁膜上に設けられた第１の上層絶縁膜４０ａと、第１の上層絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極５０ａと、を有するメモリセルトランジスタ１００ａと、半導体基板上に設けられた第２の下層絶縁膜２０ｂと、第２の下層絶縁膜上に設けられた第２の中間絶縁膜３２ｂと、第２の中間絶縁膜上に設けられた第２の上層絶縁膜４０ｂと、第２の上層絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極５０ｂと、を有するセレクトトランジスタ１００ｂと、を備え、第２の中間絶縁膜３２ｂのトラップ密度は、第１の中間絶縁膜３０ａのトラップ密度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】熱的安定性に優れた不揮発性記憶素子を提供する。
【解決手段】不揮発性記憶素子は、半導体領域１１と、半導体領域１１内に互いに離間して設けられたソース領域１２及びドレイン領域１３と、ソース領域１２及びドレイン領域１３間の半導体領域１１上に設けられたトンネル絶縁膜１４と、トンネル絶縁膜１４上に設けられた電荷蓄積層１５と、電荷蓄積層１５上に設けられたブロック絶縁膜１６と、ブロック絶縁膜１６上に設けられた制御ゲート電極１７とを含む。電荷蓄積層１５は、Ｈｆ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、及び希土類金属のうち少なくとも１つを含む、全部又は一部が結晶化した酸化物、窒化物、或いは酸窒化物を含む。ブロック絶縁膜１６は、希土類金属のうち少なくとも１つを含む酸化物、酸窒化物、シリケート、或いはアルミネートを含む。 （もっと読む）

【課題】電荷トラップ型の不揮発性半導体メモリにおいて、消費電流を低減すること。
【解決手段】不揮発性半導体メモリは、半導体基板１、第１ゲート電極ＷＧ、第２ゲート電極ＣＧ、電荷トラップ膜２２、及びトンネル絶縁膜２３を備える。第１ゲート電極ＷＧは、半導体基板１の表面上に第１ゲート絶縁膜１０を介して形成される。第２ゲート電極ＣＧは、半導体基板１の表面上に第２ゲート絶縁膜２０を介して形成され、第１ゲート電極ＷＧと絶縁膜２０を介して隣接する。電荷トラップ膜２２は、半導体基板１と第１ゲート電極ＷＧと第２ゲート電極ＣＧとに囲まれたトラップ領域ＲＴ中に少なくとも形成される。トンネル絶縁膜２３は、電荷トラップ膜２２と第２ゲート電極ＣＧとの間に形成される。プログラムあるいは消去において、ＦＮトンネル方式により、第２ゲート電極ＣＧから電荷トラップ膜２２へトンネル絶縁膜２３を通して電子が注入される （もっと読む）

【課題】駆動電流を増加させることにより、読み取り精度を向上させることができる不揮発性半導体記憶装置のメモリセルを提供する。
【解決手段】ゲート酸化膜１３と、ゲート酸化膜１３上に形成されたゲート電極１４と、ゲート酸化膜１３の下方に形成されたチャンネル領域と、チャンネル領域の両側に形成された一対のドレイン・ソース領域と、チャンネル領域およびドレイン・ソース領域を挟む一対の絶縁分離領域２０と、を含み、絶縁分離領域２０の少なくとも一方においてチャンネル領域およびドレイン・ソース領域に沿って延在する窒化膜等の電荷蓄積層２１が設けられている。荷蓄積層２１をドレイン・ソース領域およびチャンネル領域と近接して設けることによって、チャンネル領域内に発生したホットエレクトロンは、電荷蓄積層２１内部に注入され保持される。 （もっと読む）

【課題】読み出しマージンを大きくとることができ、且つ、ワード線，ビット線の制御をＶｃｃレベルで行うことができる書き換え可能な不揮発性メモリセルを提供する。
【解決手段】記憶トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）をサイドスペーサに電荷を注入することによりしきい値を制御可能なトランジスタで構成したインバータをクロス接続してフリップフロップを構成する。一方の記憶トランジスタに書き込みを行うときは、ソース線を介して記憶トランジスタのソースに高電圧を供給するとともに、反対側のインバータの負荷トランジスタを介して記憶トランジスタのゲートに高電圧を供給する。この書き込みを消去するときは、ソース線を介して記憶トランジスタのソースに高電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物絶縁膜内に電荷保存ナノクリスタルを有する集積回路メモリ装置のゲート構造物及びその形成方法を提供する。
【解決手段】集積回路メモリ装置のゲート構造を形成する方法は、集積回路基板１００上に金属酸化物絶縁膜１５０を形成することを含む。絶縁膜内に周期律表のＩＶ族から選択され、０．５ｃｍ^２／ｓ以下の熱拡散度を有するＧｅ等の元素のイオンを注入して絶縁膜内に電荷保存領域を形成するが、電荷保存領域の下部にトンネル絶縁膜１３５を、電荷保存領域の上部にキャッピング絶縁膜１４０を有するように形成する。絶縁膜１５０を含む基板１００は、熱処理されて電荷保存領域内に複数の分離された電荷保存ナノクリスタル１３０＿ＮＣが形成される。ゲート電極層１６０は、絶縁膜１５０上に形成される。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリの製造工程に於いて電荷蓄積構造形成のために追加される工程を低減して製造工程を簡略化することにある。また、不揮発性メモリの小型化を図ることにある。
【解決手段】 半導体基板１０１上に第１の酸化膜１０２、第１の窒化膜１０３を順次形成する工程と、素子分離領域１０１０Ｂに於いて第１の酸化膜１０２、第１の窒化膜１０３を除去する工程と、第１の酸化膜１０２の縁部を洗浄またはウェットエッチングにより除去して、第１の窒化膜１０３を第１の酸化膜１０２に対してオーバハングさせる工程と、第１の酸化膜１０２の側方で他の部分よりも膜の密度が粗になる低密度部１０５ｃが形成されるように第１の絶縁膜１０５（素子分離絶縁膜）を形成する工程と、低密度部１０５ｃを露出する工程と、洗浄又はウェットエッチングによって低密度部１０５ｃを浸食して第１の絶縁膜１０５に孔を形成する工程と、孔に電荷蓄積膜を形成する工程とを含む、半導体記憶装置の製造方法。 （もっと読む）