【課題】酸化物半導体層を含むトランジスタを有する不揮発性メモリにおいて、保持された情報を容易に消去できる不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性メモリは、第１のトランジスタ２０及び第２のトランジスタ２１を有するメモリセルを有し、第１のトランジスタ２０は第１のチャネル、第１のゲート電極、第１のソース電極及び第１のドレイン電極を有し、第２のトランジスタ２１は酸化物半導体からなる第２のチャネル、第２のゲート電極、第２のソース電極及び第２のドレイン電極を有し、第２のソース電極及び第２のドレイン電極の一方は第１のゲート電極と電気的に接続され、メモリセルへの情報の書き込み及び消去は、第２のソース電極及び第２のドレイン電極の一方と、第１のゲート電極との間のノードの電位を高くすることにより情報が書き込まれ、第２のチャネルに紫外線を照射して、ノードの電位を低くすることにより情報が消去される。 （もっと読む）

【課題】優れたデータ保持特性と、高速でのデータ書換え性能と、低消費電力での動作性能と、高い信頼性と、を同時に兼ね備えた不揮発性ＭＯＳ型半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】ＭＯＳ型半導体メモリ装置６０１は、大きなバンドギャップを持つ第１の絶縁膜１１１および第５の絶縁膜と、最も小さなバンドギャップを持つ第３の絶縁膜１１３との間に、両者の中間の大きさのバンドギャップを持つ第２の絶縁膜１１２および第４の絶縁膜１１４を備えている。このようなエネルギーバンド構造を有することにより、データ書き込み時には第１の絶縁膜１１１を介した電荷の移動が起こりやすく、書き込み動作速度を高速化することが可能で、かつ絶縁膜積層体に電荷を注入するために必要な書き込み電圧を小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 エネルギー照射によりメモリセルの書き込みが行なわれる不揮発性記憶装置において、書き込み処理を正確に行ないつつその全体の処理時間を短縮できる不揮発性記憶装置、及びその書き込み方法を提供する。
【解決手段】 複数のメモリセル１０Ｃがマトリクス状に配置された不揮発性記憶装置１０において、書き込み対象メモリセル１０Ｃを複数設定し、複数のエネルギー照射源３１Ａの各書き込み対象メモリセル１０Ｃに対する相対位置を適正位置に調整した上で、複数のエネルギー照射源３１Ａから一括してエネルギー照射を行ない、複数の書き込み対象メモリセル１０Ｃに対し一括書き込みを行なうとともに、これら書き込み処理と並列的に、既に書き込まれたデータの誤り検出符合の生成処理を順次行なうようにする。 （もっと読む）

【課題】有機ＦＥＴの応用の一つとして、外部からの刺激、例えば、外部からの光に応答する光メモリのようなメモリ機能を有する、外部刺激応答性素子の基本的な原理・構成を提供すること。
【解決手段】有機半導体層、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を有し、該ソース電極と該ドレイン電極の間のチャネル領域が該有機半導体層からなり、該有機半導体層と該ゲート電極がゲート絶縁層によって隔てられている有機電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極が、前記ゲート絶縁層側から順番に配置された、フローティングゲート電極、光照射等の外部刺激に応答して導電性となる性質を有する第２絶縁層、コントロールゲート電極から構成されていることを特徴とする有機電界効果トランジスタである。 （もっと読む）