【課題】Ａｌ原子を有するコンタクト電極が用いられる場合に、絶縁膜の絶縁信頼性を向上させることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板面１２Ｂを有する炭化珪素基板１０が準備される。基板面１２Ｂの一部を覆うように絶縁膜１５が形成される。絶縁膜１５に接触するように基板面上にコンタクト電極１６が形成される。コンタクト電極１６はＡｌ、ＴｉおよびＳｉ原子を含有する。コンタクト電極１６は、Ｓｉ原子およびＴｉ原子の少なくともいずれかと、Ａｌ原子とを含有する合金から作られた合金膜５０を含む。炭化珪素基板１０とコンタクト電極１６とがオーミックに接続されるようにコンタクト電極１６がアニールされる。 （もっと読む）

【課題】 結晶成長させたｐ型窒化物半導体領域をエッチングすることなく、ｎ型半導体層とｐ型半導体層が隣接する構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本半導体装置の製造方法は、ｎ型半導体層２２の表面の一部をエッチングして溝１７を形成する溝形成工程と、溝１７の内外に亘るｎ型半導体層２２の表面上にｐ型窒化物半導層１６を結晶成長させるｐ型窒化物半導体層形成工程と、溝形成工程でエッチングされなかった範囲のｎ型半導体層２２の上部に位置するｐ型窒化物半導体層１６の少なくとも一部にｎ型不純物を注入し、ｐ型窒化物半導体層１６の表面からｎ型半導体層２２に達するｎ型領域１０を形成するｎ型領域工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】高いゲート・ソース間耐圧を有する静電誘導トランジスタを提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板の第１主面に、第１導電型の不純物領域であるソース領域と、前記ソース領域を取り囲むように第２導電型の不純物領域であるドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間にはメサ溝部を有し、前記半導体基板の第２主面の周縁部および前記メサ溝方向に交差する方向に、前記半導体基板の第１導電型の不純物と交互に配列するようにストライプ状の第２導電型不純物領域部であるゲート領域と、前記第１主面から前記ゲート領域まで達する深さの前記メサ溝部と、前記第１主面の前記ソース領域にはソース金属電極、前記ドレイン領域にはドレイン金属電極を有し、前記第２主面の前記ゲート領域の第２導電型不純物領域にゲート金属電極を有することを特徴とする静電誘導トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の縦型有機トランジスタを用いた、インバータ特性を示す半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】第一の電極２１と、第一の電極上２１の第一の半導体層２２、２４と、第一の半導体層２２、２４上の第三の電極２５と、第一の半導体層２２、２４の導電型と導電型が同一である第三の電極２５上の第二の半導体層２６、２８と、第二の半導体層２６、２８に挿入された第五の電極２９と、第一の半導体層２２、２４に挿入された第二の電極２３と、第二の半導体層２６、２８中に挿入された第四の電極２７とを有することを特徴とする半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】 チャネル幅の均等性が高い縦型ＪＦＥＴを提供する
【解決手段】 本発明の縦型ＪＦＥＴは、半導体基体、第１導電型のソース領域、第１導電型のチャネル領域と、第２導電型のゲート領域とを備える。第１導電型のソース領域は、半導体基体の素子表面に設けられる。第１導電型のチャネル領域は、ソース領域から、半導体基体の深さ方向に延び、半導体基体の第１導電型の下層域に繋がる。第２導電型のゲート領域は、チャネル領域を挟んで深さ方向に形成される。以上の構成において、ゲート領域は、第２導電型不純物の濃度ピークが深さ方向に複数存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 短絡不良の発生を抑え、信頼性に優れた半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 トレンチ１５に充填する絶縁用酸化膜３０を、ｎ^＋ソース領域１２よりも上まで形成し、この絶縁膜３０の開口部においてのみ、金属またはシリサイド膜をｎ^＋ソース領域１２とオーミック接触させソース電極２２１を形成する。また、ユニットの長手方向におけるソース配線２２の端部とソース領域１２の端部の距離ｄをソース配線２２の厚さＴｓｗの２倍以上とする。
【効果】 ソース／ゲート間の短絡を防止し、歩留り向上によりコストを低減し、冷却系及びシステムサイズを小型化した。 （もっと読む）

【課題】 低オン抵抗化を実現し、高速スイッチングが可能なＪＦＥＴやＳＩＴなどの炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】 トレンチ溝１１０〜１１３に沿って形成したゲート領域１３間のチャネルに拡がる空乏層により電流をオンオフするＪＦＥＴやＳＩＴにおいて、半導体基体表面あるいはトレンチ溝１１３の底部に、外部より電圧が供給可能なゲートコンタクト層１０２とゲート電極１０３を設け、これとは独立し、トレンチ溝１１０〜１１２の底部で、ゲート領域１３のｐ^＋＋コンタクト層１４にオーミック接触するメタル導電部（仮想ゲート電極）１０１を設ける構造とした。この仮想ゲート電極１０１は、ゲート電極１０３や外部配線とは絶縁された形となる。
【効果】 ゲート抵抗を小さくし、高速スイッチング動作が可能な大電流容量の炭化珪素半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体装置では、ゲート領域から注入された自由キャリア（正孔）がソース領域に取り込まれ、所望のｈＦＥを得られ難いという問題があった。
【解決手段】 本発明の半導体装置では、ソース領域６と同電位となる固定電位絶縁電極１１とゲート領域７と同電位となる可変電位絶縁電極９とを有する。そして、固定電位絶縁電極１１を介してチャネル領域１２を空乏層で満たし、ＯＮ動作、ＯＦＦ動作状態を成す。一方、可変電位絶縁電極を利用し、自由キャリア（正孔）のポテンシャルエネルギーを積極的に可変することで、所望のｈＦＥやスイッチング特性を得ることができる。 （もっと読む）