【課題】耐圧をより向上することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置の一態様には、基板１と、基板１の上方に形成された化合物半導体積層構造８と、基板１と化合物半導体積層構造８との間に形成された非晶質性絶縁膜２と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高電力で高性能なデバイスによって生成される熱応力に耐えることができる金属相互接続システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス構造であって、炭化ケイ素およびＩＩＩ族窒化物からなる群から選択される広バンドギャップの半導体部分と、該半導体部分に対する相互接続構造であって、それぞれ２つの高導電性層と互い違いに、少なくとも２つの拡散バリア層を含む、相互接続構造とを備え、該拡散バリア層は、該高導電性層とは異なる熱膨張係数を有し、該高導電性層よりも低い熱膨張係数を有し、該それぞれの熱膨張係数の差異は、該高導電性層の膨張を抑えるために十分な大きさであるが、層間の接着強度を超える歪みを隣接層間に生じさせる差異よりも小さい、半導体デバイス構造。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体は、面方位が（１１１）のシリコン基板上にエピタキシャル成長される。ＧａＮの格子定数と、とシリコン（１１１）面の格子定数の差が、約１７％と大きいのでめ、成長されたＧａＮには１０^１０ｃｍ^−２を超える転位が導入される。転位により、ＧａＮを用いたトランジスタのリーク電流が増大する。また、トランジスタの移動度が低下する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板の（１５０）面上に、エピタキシャル成長された窒化物半導体層と、を備える半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】逆方向の漏洩電流を防止し、製作コストを減少させた窒化物系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は窒化物系半導体素子及びその製造方法に関するものであり、本発明による窒化物系半導体素子はＰＮ接合構造を有するベース基板、前記ベース基板上に配置されるエピ成長膜、そして前記エピ成長膜上に配置された電極部を含む。 （もっと読む）

【課題】動作層に与える影響が小さく且つ絶縁性を向上した下地層を備えたトランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】トランジスタは、基板３００の上に形成された下地層３０１と、下地層３０１の上に形成された窒化物半導体からなる動作層３０２とを備えている。下地層３０１は、複数の窒化物半導体層が積層された積層体である。下地層３０１は、遷移金属であるコバルト、ニッケル、ルテニウム、オスミウム、ロジウム及びイリジウムのうちの少なくとも１つを含む遷移金属含有層を有している。 （もっと読む）

【課題】Si基板内に形成される低抵抗層の抵抗率が、このGaN系エピタキシャル成長基板を利用して形成されるFETの動作特性に影響を与えることがない程度の大きさに形成されている。
【解決手段】Si基板10の主面とバッファ層60-1との間にストライプ状絶縁膜26が形成されている。このストライプ状絶縁膜が形成されていることによって、Si基板内に形成される低抵抗層11の抵抗率がこのGaN系エピタキシャル成長基板を利用して形成されるFETの動作特性に影響を与えることがない程度の大きさにすることが可能となるという効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】ダイオードの外付けによる部品点数の増加及び占有面積の増大を抑えた、高いアバランシュエネルギー耐量を有する窒化物半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面側にカソード１２が形成され、第２の面側にアノード１３が形成されたダイオード１１と、半導体基板１０の上に形成されたトランジスタ２１とを備えている。トランジスタ２１は、半導体基板１０の上に形成された半導体層積層体２３と、半導体層積層体２３の上又は上部に互いに間隔をおいて形成されたソース電極２４及びドレイン電極２５と、ソース電極２４とドレイン電極２５との間に形成されたゲート電極２７とを有している。ソース電極２４は、アノード１３と電気的に接続され、ドレイン電極２５は、カソード１２と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】サイズを低減させた装置、及びその作成方法を提供する。
【解決手段】装置は、第一の結晶性物質層、第一の結晶性物質層の近傍に配置され、第一の界面で電子ガスを形成させる第二の結晶性物質層、及び第一の界面の部分に電場を付与する強誘電性ドメインを有する第一の強誘電性層を包含する。 （もっと読む）